- 電壓法測量LED結溫的原理
- 測試儀器性能介紹
LED應用于照明除了節能外,長(cháng)壽命也是其十分重要的優(yōu)勢。目前由于LED熱性能原因,LED及其燈具不能達到理想的使用壽命;LED在工作狀態(tài)時(shí)的結溫直接關(guān)系到其壽命和光效;熱阻則直接影響LED在同等使用條件下LED的結溫;LED燈具的導熱系統設計是否合理也直接影響燈具的壽命。因此功率型LED及其燈具的熱性能測試,對于LED的生產(chǎn)和應用研發(fā)都有十分直接的意義。
電壓法測量LED結溫的原理
LED熱性能的測試首先要測試LED的結溫,即工作狀態(tài)下LED的芯片的溫度。關(guān)于LED芯片溫度的測試,理論上有多種方法,如紅外光譜法、波長(cháng)分析法和電壓法等等。目前實(shí)際使用的是電壓法。1995年12月電子工業(yè)聯(lián)合會(huì )/電子工程設計發(fā)展聯(lián)合會(huì )議發(fā)布的>標準對于電壓法測量半導體結溫的原理、方法和要求等都作了詳細規范。
電壓法測量LED結溫的主要思想是：特定電流下LED的正向壓降Vf與LED芯片的溫度成線(xiàn)性關(guān)系,所以只要測試到兩個(gè)以上溫度點(diǎn)的Vf值,就可以確定該LED電壓與溫度的關(guān)系斜率,即電壓溫度系數K值,單位是mV/°C。K值可由公式K=ㄓVf/ㄓTj求得。K值有了,就可以通過(guò)測量實(shí)時(shí)的Vf值,計算出芯片的溫度(結溫)Tj。為了減小電壓測量帶來(lái)的誤差,>標準規定測量系數K時(shí),兩個(gè)溫度點(diǎn)溫差應該大于等于50度。對于用電壓法測量結溫的儀器有幾個(gè)基本的要求：
A、電壓法測量結溫的基礎是特定的測試電流下的Vf測量,而LED芯片由于溫度變化帶來(lái)的電壓變化是毫伏級的,所以要求測試儀器對電壓測量的穩定度必須足夠高,連續測量的波動(dòng)幅度應小于1mV。
B、這個(gè)測試電流必須足夠小,以免在測試過(guò)程中引起芯片溫度變化;但是太小時(shí)會(huì )引起電壓測量不穩定,有些LED存在匝流體效應會(huì )影響Vf測試的穩定性,所以要求測試電流不小于IV曲線(xiàn)的拐點(diǎn)位置的電流值。
C、由于測試LED結溫是在工作條件下進(jìn)行的,從工作電流(或加熱電流)降到測試電流的過(guò)程必須足夠快和穩定,Vf測試的時(shí)間也必須足夠短,才能保證測試過(guò)程不會(huì )引起結溫下降。
在測量瞬態(tài)和穩態(tài)條件的結溫的基礎上,可以根據下面公式算出LED相應的熱阻值：
Rja=ㄓT/P=【TaTj】/P
其中Ta是系統內參考點(diǎn)的溫度(如基板溫度),Tj是結溫,P是使芯片發(fā)熱的功率對于LED可以認為就是LED電功率減去發(fā)光功率。由于LED的封裝方式不同,安裝使用情況不同,對熱阻的定義有差別,測試時(shí)需要相應的支架和夾具配套。SEMI的標準中定義了兩種熱阻值,Rja和Rjb,其中：Rja是測量在自然對流或強制對流條件下從芯片接面到大氣中的熱傳導,情形如圖一(a)所示。
圖一
Rja在標準規范的條件下測量,可用于比較不同封裝散熱的情況。
Rjb是指在自然對流以及風(fēng)洞環(huán)境下由芯片接面傳到下方測試板部分熱傳時(shí)所產(chǎn)生的熱阻,可用于由板溫去預測結溫。見(jiàn)圖二
圖二
大功率LED封裝都帶基板,絕大部分熱從基板通過(guò)散熱板散發(fā),測量LED熱阻主要是指LED芯片到基板的熱阻。與Rjc的情況更加接近。見(jiàn)圖三
圖三
幾款測試儀器性能介紹
目前用于LED熱性能測試的設備是參照EIA/JESD51標準的要求進(jìn)行設計的。典型的設備有：MicReD公司的T3Ster®;AnaTech公司的Phase10ThermalAnalyzer;TEA公司的differentTTSsystems等。由于LED熱性測試的進(jìn)口設備價(jià)格昂貴,使用復雜,目前國內只有很少的單位配備了進(jìn)口設備。目前國產(chǎn)設備和進(jìn)口設備相比,綜合技術(shù)指標方面有一定差距,尤其是分析軟件方面差距較大。但是由于LED芯片體積較大,測試要求和集成電路的測試要求有很大不同,大部指標已經(jīng)可以完全滿(mǎn)足測試要求。在價(jià)格方面國產(chǎn)設備有很大競爭優(yōu)勢,設計要求也以L(fǎng)ED測試為主,使用方便,有利LED熱性能測試的廣泛使用。
