材料:

 

●   ADALM2000主動(dòng)學(xué)習模塊

●   無(wú)焊面包板

●   一個(gè)100 Ω電阻

●   一個(gè)ZVN2110A NMOS晶體管

●   一個(gè)ZVP2110A PMOS晶體管

 

NMOS說(shuō)明

 

增強型NMOS晶體管柵源的電流與電壓特性可以使用ADALM2000實(shí)驗室硬件和以下連接來(lái)測量。使用面包板，將波形發(fā)生器W1連接到電阻R1的一端。將示波器輸入2+也連接到這里。將M1的柵極和漏極連接到R1的另一端，如圖所示。M1的源極連接至負電源Vn(–5 V)。將示波器輸入2-和示波器輸入1+連接到M1的柵極-漏極節點(diǎn)。示波器輸入1–最好接地，以降低噪聲影響。構建電路時(shí)，確保關(guān)閉電源Vn。確保所有連接都正確之后，接通電源。

 

圖1.NMOS二極管連接圖。

 

硬件設置

 

波形發(fā)生器配置為100 Hz三角波，峰峰值幅度為10 V，偏移為0 V。示波器的差分通道2（2+、2-）用于測量電阻（和晶體管）中的電流。連接示波器通道1 (1+)的單端輸入，以測量晶體管兩端的電壓。流過(guò)晶體管的電流是2+和2-之間的電壓差除以電阻值(100 Ω)的結果。

 

圖2.NMOS二極管面包板電路。

 

程序步驟

 

將捕獲的數據加載到Excel表格中，計算電流。計算并繪制電流與晶體管兩端電壓(V_GS)的曲線(xiàn)。應沒(méi)有反向流動(dòng)電流。在正向導通區域，電壓-電流應呈二次函數關(guān)系。計算并繪制電流與V_GS的平方根曲線(xiàn)。比較兩條曲線(xiàn)的形狀并評論。V_GS的平方根曲線(xiàn)。比較兩條曲線(xiàn)的形狀并評論。

 

圖3.NMOS二極管XY曲線(xiàn)。

 

PMOS說(shuō)明

 

使用PMOS器件，重復實(shí)驗。連接方法類(lèi)似，如圖4所示。您可能注意到，在本示例中，示波器輸入的極性發(fā)生反向。所以，示波器屏幕的電壓和電流方向與NMOS示例中類(lèi)似。M1的源極連接至正電源V_p (+5 V)。將示波器輸入2+和示波器輸入1–連接到M1的柵極-漏極節點(diǎn)。構建電路時(shí)，確保關(guān)閉電源(V_p)。確保所有連接都正確之后，接通電源。

 

圖4.PMOS二極管連接圖。

 

硬件設置

 

波形發(fā)生器配置為100 Hz三角波，峰峰值幅度為10 V，偏移為0 V。示波器的差分通道2（2+、2-）用于測量電阻（和晶體管）中的電流。連接示波器通道1 (1–)的單端輸入以測量晶體管兩端的電壓。流過(guò)晶體管的電流是2+和2-之間的電壓差除以電阻值(100 Ω)的結果。

 

圖5.PMOS二極管面包板電路。

 

程序步驟

 

將捕獲的數據加載到Excel表格中，計算電流。計算并繪制電流與V_GS的曲線(xiàn)。應沒(méi)有反向流動(dòng)電流。在正向導通區域，電壓和電流應呈二次函數關(guān)系。計算并繪制電流(I_D)與V_GS的平方根曲線(xiàn)。比較兩條曲線(xiàn)的形狀并評論。

 

圖6.PMOS二極管XY曲線(xiàn)。

 

問(wèn)題

 

●   通過(guò)繪制I_D和V_GS的測量數據曲線(xiàn)，找到并報告V_TH和K (W/L)的值。比較NMOS和PMOS的V_TH和K (W/L)值，有什么區別？

 

 

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