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交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構

發(fā)布時(shí)間:2020-12-21 來(lái)源:Jon Kraft 和 Steve Knoth 責任編輯:wenwei

【導讀】精密儀器儀表或射頻(RF)電路中的噪聲必須最小化,但由于這些系統的特性,降低噪聲要應對許多挑戰。例如,這些系統常常必須在寬輸入電壓范圍內工作,同時(shí)要滿(mǎn)足嚴格的電磁干擾(EMI)和電磁兼容性(EMC)要求。此外,系統中擠滿(mǎn)了電子元器件,因而存在空間限制且對熱敏感。集成電路(IC)日益提高的復雜度導致這些系統需要更多的電源電壓軌。生成所有這些電壓軌,滿(mǎn)足上述要求,并使整個(gè)系統保持低噪聲,是一個(gè)艱巨任務(wù)。
 
ADI公司提供了多種多樣的解決方案來(lái)產(chǎn)生低噪聲電源。這些解決方案中的大多數設計用于產(chǎn)生正電壓軌,只有很少的專(zhuān)用IC用于產(chǎn)生負電壓。當負電壓需要為低噪聲器件(如RF放大器、開(kāi)關(guān)和數據轉換器ADC/DAC)供電時(shí),選擇范圍特別有限。
 
本系列文章的第一部分將介紹一種從正電源產(chǎn)生這種低噪聲負電壓軌的新方法。首先簡(jiǎn)要說(shuō)明負電壓軌通常如何產(chǎn)生以及用在何處。然后,在介紹交錯式反相電荷泵(IICP)拓撲之前,我們將討論標準反相電荷泵。通過(guò)對IICP的輸入和輸出電壓紋波的簡(jiǎn)短推導,強調其在低噪聲系統中的特有優(yōu)勢。
 
該系列的第二部分將給出一個(gè)使用ADI公司新型ADP5600實(shí)現IICP的實(shí)際示例。首先通過(guò)測量電壓紋波和電磁輻射騷擾來(lái)將此器件與標準反相電荷泵進(jìn)行比較。然后使用第一部分中的公式來(lái)優(yōu)化IICP性能,并開(kāi)發(fā)出一種為低噪聲RF電路供電的完整解決方案。
 
產(chǎn)生負電壓的傳統方法
 
為了產(chǎn)生負電壓,通常采用以下兩種方法之一:使用電感開(kāi)關(guān)穩壓器或使用電荷泵。電感開(kāi)關(guān)穩壓器利用電感或變壓器產(chǎn)生負電壓。這些磁轉換器拓撲的例子有:反相降壓、反相降壓-升壓和?uk。在解決方案尺寸、成本、效率、噪聲產(chǎn)生和控制環(huán)路復雜性方面,每種拓撲都有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)1, 2。一般而言,基于磁性元件的轉換器適合需要較高輸出電流(>100 mA)的應用。
 
對于所需輸出電流小于100 mA的應用,電荷泵正轉負(反相)DC-DC轉換器可以非常小,并且EMI低,因為不需要電感或控制環(huán)路。它們只需要通過(guò)開(kāi)關(guān)在電容之間移動(dòng)電荷——將產(chǎn)生的電荷提供給輸出。
 
因為電荷泵不使用任何磁性元件(電感或變壓器),所以其EMI通常比感性開(kāi)關(guān)拓撲要低。電感往往比電容大得多,非屏蔽電感還會(huì )像天線(xiàn)一樣廣播電磁輻射騷擾。相比之下,電荷泵中使用的電容不會(huì )產(chǎn)生比典型數字輸出更多的EMI。電荷泵可以用短走線(xiàn)輕松布線(xiàn),以減少天線(xiàn)面積和容性耦合,從而降低EMI。
 
表1比較了基于電感的開(kāi)關(guān)穩壓器和開(kāi)關(guān)電容反相拓撲。
 
表1.磁電荷泵與反相電荷泵的比較
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
傳統反相電荷泵
 
傳統反相電荷泵的配置如圖1所示。
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
圖1.反相電荷泵原理圖。
 
電荷泵的輸出阻抗ROUT定義為電荷泵機制從輸入到輸出的等效電阻。它可以通過(guò)測量輸入至輸出電壓差并除以負載電流來(lái)求得:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
對于反相電荷泵,GAIN = –1。
 
或者,等效輸出電阻可以作為開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)電阻和反激電容大小的函數來(lái)計算,一般簡(jiǎn)化為:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
其中
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
為四個(gè)開(kāi)關(guān)電阻之和。
 
四個(gè)開(kāi)關(guān)以相同頻率fOSC工作,每個(gè)都在開(kāi)關(guān)周期T的一半時(shí)間內處于導通狀態(tài),其中T = 1/fOSC?;陂_(kāi)關(guān)周期的兩部分,可以將操作分為兩個(gè)階段,如圖2所示。
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
圖2.電荷泵在每個(gè)操作階段都要反相。
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
圖3.反相電荷泵的時(shí)序圖。
 
圖3給出了電荷泵各階段操作的電壓和電流。在階段1中,S1和S2閉合,S3和S4斷開(kāi)。這會(huì )將飛跨電容(CFLY)充電至+VIN的電壓。在階段2中,S1和S2斷開(kāi),S3和S4閉合,來(lái)自CFLYIN流入CFLY,斷續電流從CFLY流出到COUT。這會(huì )導致CIN和COUT上出現電壓紋波,紋波可以計算如下:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
求解輸出電壓紋波可得:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
同樣,輸入電壓紋波為:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
公式4和公式5說(shuō)明,對于標準反相電荷泵,電壓紋波是開(kāi)關(guān)頻率和輸入(或輸出)電容的函數。更高的頻率和更高的電容會(huì )以1:1的關(guān)系減少紋波。然而,提高頻率存在實(shí)際障礙——這會(huì )增加芯片的電流消耗,從而降低效率。/p>
 
同樣,成本和PCB面積常常會(huì )限制反相電荷泵的最大輸入和輸出電容。另請注意,反激電容在電荷泵的電壓紋波中不起作用。
 
為了減少紋波,可以在電荷泵周?chē)鷺嫿ㄝ斎牒洼敵鰹V波器,但這又會(huì )提高復雜性和電荷泵的輸出電阻。不過(guò),這些問(wèn)題可以通過(guò)對標準反相電荷泵逆變器進(jìn)行改進(jìn)來(lái)解決:交錯式反相電荷泵(IICP)。
 
交錯式反相電荷泵(IICP)
 
相位交錯廣泛用于感性開(kāi)關(guān)穩壓器(即多相操作)中,目的是減少輸出電壓紋波3。以恰好50%的占空比交錯的2相降壓轉換器,理論上產(chǎn)生0 mV的輸出電壓紋波。當然,穩壓降壓轉換器的占空比會(huì )隨輸入和輸出電壓而變化,因此只有VIN = 2 VOUT時(shí)才能實(shí)現50%的占空比。電荷泵通常以恰好50%的占空比工作,因此,交錯式電荷泵逆變器值得考慮。/p>
 
當裸片上需要極低電流的負軌時(shí),有時(shí)會(huì )在IC內使用交錯式電荷泵,但目前尚無(wú)商用的專(zhuān)用IICP反相DC-DC轉換器。IICP的結構需要兩個(gè)電荷泵和兩個(gè)飛跨電容。第二電荷泵與第一電荷泵以180°錯相操作開(kāi)關(guān)。我們來(lái)看一下IICP的設置和輸出紋波,并重點(diǎn)說(shuō)明如何優(yōu)化其性能。設置如圖4所示,時(shí)序圖如圖5所示。
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
圖4.交錯式反相電荷泵。
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
圖5.交錯式反相電荷泵的時(shí)序圖。
 
在振蕩器的每一相中,飛跨電容之一連接到VIN,另一個(gè)連接到VOUT。乍一看,有人可能會(huì )認為添加第二個(gè)電容只會(huì )將電壓紋波減小一半。但是,這是不準確的過(guò)度簡(jiǎn)化。實(shí)際上,輸入和輸出電壓紋波可能遠小于標準逆變器,因為電容始終從輸入端充電并向輸出端放電。從IICP輸出電壓紋波的推導過(guò)程可以更好地理解這一點(diǎn)。
 
IICP輸出電壓紋波推導
 
由于IICP總是有一個(gè)飛跨電容向輸出提供電流,因此可以簡(jiǎn)化其輸出級,如圖6所示。
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
圖6.簡(jiǎn)化的IICP輸出級。
 
此外,IICP的輸出電阻(如公式1所定義)可近似為:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
其中
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
為開(kāi)關(guān)電阻之和。
 
將電流加到ILOAD中,我們得出:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
其中dt等于開(kāi)關(guān)周期的四分之一(T/4或1/(4 × fOSC))。輸出電壓紋波?VOUT為dVOUT,VCFLY(t)為CFLY兩端的電壓差。我們可以合理地假設,相對于飛跨電容電壓紋波,輸出電壓紋波很小。為了計算?VOUT,我們需要了解VCFLY(t)。從圖6可知,IFLY等于流經(jīng)兩個(gè)導通開(kāi)關(guān)的電流。每個(gè)開(kāi)關(guān)有RON的電阻。所以:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
為了求解VCFLY(t)的這個(gè)微分方程,必須知道至少一個(gè)初始條件。此條件可通過(guò)查閱圖5中的時(shí)序圖得知。請注意,從t = 0到t = T/4,兩個(gè)CFLY電容均向ILOAD提供電流,并對COUT充電。然后,從t = T/4到t = T/2,CFLY和COUT向輸出負載提供電流。在t = T/4(及類(lèi)似的t = 3/4 T)時(shí)刻,COUT對ILOAD的貢獻恰好為0。所以,此時(shí)ILOAD等于IFLY,而VCFLY的電壓為:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
使用公式8和公式9,我們可以微分求解VCFLY(t):
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
為了求得公式7的VCFLY變化量,取兩個(gè)點(diǎn)(例如t = 0和t = T/4),對每個(gè)點(diǎn)求解公式10。結果簡(jiǎn)化為:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
結合公式11和公式7,求解?VOUT得出:
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
公式12的影響最初可能并不明顯。先通過(guò)考慮理想開(kāi)關(guān)的情況(RON = 0Ω)來(lái)簡(jiǎn)化它可能會(huì )有幫助。這樣做會(huì )使第二項接近于零,僅留下第一項。第一項非常類(lèi)似于標準反相電荷泵紋波(公式4),但IICP的雙飛跨電容使分母增大2倍。兩倍的電荷泵使波紋減半。該結果與直觀(guān)判斷一致。
 
但是,公式12的重要部分是后半部分。注意第二項的負號,這意味著(zhù)該部分會(huì )減小輸出電壓紋波。重點(diǎn)看導通電阻(RON)和飛跨電容(CFLY)。在標準反相電荷泵中,這些項在降低輸出電壓紋波方面不起作用。但在IICP中,導通電阻會(huì )起到讓充電和放電電流平滑的作用。雙飛跨電容使這種充電/放電動(dòng)作不會(huì )中斷。
 
輸出電壓紋波驗證
 
我們可以利用電路仿真來(lái)檢查公式12的準確性以及用于推導該公式的假設的有效性。使用LTspice®很容易完成這項工作。該仿真的原理圖如圖7所示,文件可供 下載。
 
在多種條件下進(jìn)行了比較,結果匯總于表2。
 
表2.各種配置的理論結果與LTspice仿真結果的比較
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
 
表2顯示,公式12與仿真非常接近,從而驗證了簡(jiǎn)化公式時(shí)所做假設的有效性?,F在,我們可以使用該公式權衡在IICP實(shí)現中不同做法的利弊。
 
比較IICP和標準電荷泵的電壓紋波也很有幫助。在本系列的第二部分中,我們將展示這些不同的平臺實(shí)驗數據的差異性。但現在,圖8中的LTspice模型可以說(shuō)明輸出電壓紋波的差異。
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
圖7.LTspice中的交錯式反相電荷泵。
 
交錯式反相電荷泵——第一部分:用于低噪聲負電壓電源的新拓撲結構
圖8.IICP與常規電荷泵的輸出電壓紋波比較:VIN = 12 V,ILOAD = 50 mA,CFLY = 2.2 µF,COUT = 4.7 µF,RON = 3 Ω。為了直觀(guān)地與常規電荷泵進(jìn)行比較,其RON減半且CFLY加倍。
 
IICP拓撲優(yōu)化
 
推導完IICP公式并證明其有效性后,我們得出兩個(gè)主要結論:對于IICP,導通電阻(RON)會(huì )同時(shí)減少輸入和輸出電壓紋波,這是很理想的結果。相反,在標準反相電荷泵中,導通電阻是完全不適宜的,因為它會(huì )增加電荷泵的ROUT,而且不會(huì )降低紋波電壓。實(shí)際上,我們可以在反激電容上串聯(lián)一個(gè)電阻來(lái)進(jìn)一步增加導通電阻。這就為我們以增加電荷泵電阻為代價(jià)來(lái)減少輸入和輸出電壓紋波提供了一種手段。在本系列第二部分討論IICP的使用案例時(shí),我們會(huì )進(jìn)一步探討這種手段。
 
其次,可以?xún)?yōu)化飛跨電容的值及其與COUT的比率,以進(jìn)一步優(yōu)化紋波。例如,小型封裝的大輸出電容可能很難找到,而且在較高電壓下電容會(huì )明顯降額。但是,通過(guò)減小COUT,然后增大CFLY,可以獲得相同的輸出電壓紋波,而電容值更容易獲得。例如,不需要CFLY = 1 µF且COUT = 10 µF,而是將它們都設置為2.2 µF,兩種情況下獲得的輸出電壓紋波幾乎相同。與10 µF/25 V電容相比,小型封裝的2.2 µF/25 V電容更容易獲得。第二部分中的示例應用對此進(jìn)行了探討。
 
結論
 
以上是關(guān)于交錯式反相電荷泵拓撲的系列文章(分兩部分)的第一部分。本部分介紹了IICP拓撲的一般概念,包括輸入/輸出電壓紋波計算。輸入/輸出紋波公式的推導得出了關(guān)于如何優(yōu)化IICP解決方案性能的重要見(jiàn)解。
 
本系列的第2部分將介紹ADP5600,這是一款用于IICP拓撲的集成解決方案。我們將測量其性能,并與標準反相電荷泵進(jìn)行比較。最后,我們將把所有相關(guān)內容組合在一起來(lái)為一個(gè)低噪聲相控陣波束成型解決方案供電。
 
參考電路
 
1Jaino Parasseril。 “如何使用μModule降壓穩壓器從正輸入產(chǎn)生負輸出電壓” 。凌力爾特。
 
2Kevin Scott and Jesus Rosales。“?uk組合式轉換器和反相電荷泵轉換器之間的區別” 。ADI公司。
 
3Majing Xie。 “大功率、單電感、表貼降壓-升壓µModule穩壓器處理36 VIN、10 A負載” 。凌力爾特,2008年3月。
 
致謝
 
Sherlyn Dela Cruz、Alex Ilustrisimo和Roger Peppiette
 
 
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