【導讀】高效率、低EMI降壓型穩壓器廣泛見(jiàn)諸于汽車(chē)、工業(yè)、醫療和電信環(huán)境，用于依靠多種輸入源為各式各樣的應用供電。特別是在電池供電型應用中，大量時(shí)間處于待用模式，因而要求所有的電氣電路以低靜態(tài)電流工作，旨在延長(cháng)電池運行時(shí)間。
高效率、低EMI降壓型穩壓器廣泛見(jiàn)諸于汽車(chē)、工業(yè)、醫療和電信環(huán)境，用于依靠多種輸入源為各式各樣的應用供電。特別是在電池供電型應用中，大量時(shí)間處于待用模式，因而要求所有的電氣電路以低靜態(tài)電流工作，旨在延長(cháng)電池運行時(shí)間。
LT8606/LT8607/LT8608 是一個(gè)單片式降壓型穩壓器系列，專(zhuān)為具有寬輸入電壓范圍、低EMI水平和小解決方案尺寸的應用而優(yōu)化。該系列的所有器件均采用耐熱性能增強型10引腳MSE封裝和8引腳2 mm x 2 mm DFN封裝，因而可安放在狹小的空間里。如表1所示，它們的不同之處在于輸出電流能力。
表1. LT860x系列特性對比
在必須保持低空載電流的電池供電型應用中，LT8606/LT8607/LT8608的低IQ是不可或缺的。這些器件具有突發(fā)模式 (Burst Mode®) 特性，即使在調節輸出電壓的情況下，其從輸入源消耗的靜態(tài)電流也僅為2.5 μA，從而盡可能長(cháng)地保持電池待用時(shí)間。3 V～42 V的寬輸入電壓范圍可滿(mǎn)足工業(yè)和汽車(chē)應用的苛刻要求，此類(lèi)應用的顯著(zhù)特征是缺少穩定的高質(zhì)量電壓源。這三款器件采用10引腳MSE封裝，而且還擁有擴展頻譜操作能力，以滿(mǎn)足超低EMI輻射要求。
電路說(shuō)明和功能
圖1示出了一款基于10引腳LT8607穩壓器的5 V輸出電源。輸入電壓擴展至高達42 V，輸出被設定為5 V（在750 mA），并具有2 MHz的開(kāi)關(guān)頻率。構成這款完整的解決方案僅需少量的額外組件，包括電感器L1和幾個(gè)無(wú)源組件。如圖2所示，此電路能實(shí)現92.5%的峰值效率。
圖1. 高效率LT8607 12 V至5 V同步降壓型轉換器。
圖2. 基于LT8606/LT8607/LT8608的12 VIN至5 VOUT降壓型轉換器的效率 與負載電流關(guān)系曲線(xiàn)。
突發(fā)模式操作可改善輕負載效率
對于電池供電型應用來(lái)說(shuō)，在輕負載運行和無(wú)負載待用模式期間，高效率和低閑置電流是非常重要的特性。LT8606/LT8607/LT8608的2.5 μA靜態(tài)電流和突發(fā)模式操作選項是這些要求的理想解決方案。在輕負載和無(wú)負載情況下，基于LT8606/LT8607/LT8608的轉換器逐漸地降低開(kāi)關(guān)頻率，從而降低開(kāi)關(guān)功耗，并保持低輸出電壓紋波。圖3給出了圖1所示解決方案的輕負載效率。
圖3. 圖1所示電路的效率和功耗與負載電流的關(guān)系曲線(xiàn)。
高開(kāi)關(guān)頻率和超低EMI輻射
在汽車(chē)、工業(yè)、計算和電信環(huán)境中，除了效率之外，還要求具備EMI/EMC合規性。使用較高的開(kāi)關(guān)頻率雖可減小解決方案尺寸，但代價(jià)則往往是增加EMI輻射。LT8606/LT8607/LT8608的集成型MOSFET、內置補償電路和2.2 MHz工作頻率最大限度縮減了解決方案尺寸，但是它們也實(shí)現了卓越的EMI性能，這是因為采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)。開(kāi)關(guān)頻率的擴展頻譜模式操作能夠進(jìn)一步降低EMI輻射。圖4給出了圖1所示解決方案的CISPR 25 EMI測試結果。
圖4. 圖1所示電路的CISPR 25輻射EMI性能。
結論
LT8606/LT8607/LT8608是簡(jiǎn)單易用的單片式降壓型穩壓器，具有集成化功率MOSFET和內置補償電路。這些器件專(zhuān)門(mén)針對那些要求寬輸入電壓范圍和低EMI噪聲的應用而優(yōu)化。這些器件的2.5 μA靜態(tài)電流和突發(fā)模式操作選項使其成為電池供電型降壓轉換器的理想解決方案，可顯著(zhù)延長(cháng)電池待用時(shí)間。200 kHz至2.2 MHz的開(kāi)關(guān)頻率范圍使得它們適合大多數低功率至微功率應用。集成型MOSFET連同高達2.2 MHz的開(kāi)關(guān)頻率能力極大地縮小了解決方案總尺寸。CISPR 25掃描結果顯示了它們出色的輻射EMI性能，因而符合最嚴格的EMI標準。
（來(lái)源：亞德諾半導體）
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