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羅姆即將參展PCIM Europe 2024:賦能增長(cháng),推動(dòng)創(chuàng )新

發(fā)布時(shí)間:2024-05-31 來(lái)源:投稿 責任編輯:admin

~展示高效的EcoGaN? 和SiC電源解決方案~

在今年于德國紐倫堡舉行的歐洲電力電子展(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Europe)這場(chǎng)業(yè)界年度盛會(huì )期間(6月11日至13日),羅姆將展示功率半導體新解決方案,尤其是寬帶隙器件。羅姆豐富的SiC、Si和GaN系列產(chǎn)品組合旨在滿(mǎn)足各個(gè)應用領(lǐng)域的需求,尤其是電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域和電源應用領(lǐng)域。遵循“賦能增長(cháng),推動(dòng)創(chuàng )新”的理念,羅姆始終持續用技術(shù)促進(jìn)可持續發(fā)展,解決社會(huì )和生態(tài)所面臨的各種問(wèn)題。

(展位號:9號館304)

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羅姆在9號館304展位上展示的產(chǎn)品和產(chǎn)品亮點(diǎn)如下:

SiC(碳化硅):

作為SiC行業(yè)佼佼者,羅姆將在PCIM Europe 2024上首次推出其適用于汽車(chē)應用的新型SiC功率模塊。除此之外,羅姆還將展示生產(chǎn)工藝向8英寸SiC晶圓工藝的轉換,并探討有關(guān)SiC產(chǎn)品的未來(lái)發(fā)展方向。羅姆的第4代SiC MOSFET實(shí)現了業(yè)界超低的導通電阻,能夠更大程度地降低開(kāi)關(guān)損耗,并支持15V和18V柵源電壓。

GaN(氮化鎵):

羅姆會(huì )通過(guò)多個(gè)評估套件展示EcoGaN?系列150V和650V級的GaN HEMT。Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB(包含內置650V GaN HEMT和柵極驅動(dòng)器)能夠實(shí)現集成度更高、體積更小的PFC和QR(準諧振)反激轉換器。這些器件能為各種需要高功率密度和效率的電子系統提供更佳解決方案。羅姆還將展示十余種EcoGaN?系列產(chǎn)品的相關(guān)電路板以及它們在工業(yè)解決方案中的貢獻。

展會(huì )期間,羅姆的電源專(zhuān)家將參加多個(gè)小組討論,并會(huì )發(fā)表多次會(huì )議演講。此外,他們還將在此次展會(huì )上展示相關(guān)海報。

有關(guān)羅姆在PCIM Europe 2024上的更多信息,請訪(fǎng)問(wèn):https://www.rohm.com/pcim

EcoGaN? 是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

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