【導讀】很久很久以前，在一個(gè)遙遠的星系中，有某個(gè)東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā)，而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。
很久很久以前，在一個(gè)遙遠的星系中，有某個(gè)東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā)，而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。
這種情況經(jīng)常重復出現，而且仍有更多的亞原子物質(zhì)正朝著(zhù)這個(gè)方向發(fā)展。當它們到達時(shí)，它們會(huì )非常地分散，以至于可以單獨地檢測到在它們之中的任何一個(gè)。遺憾的是，進(jìn)行這種檢測的對象是您巧妙設計到產(chǎn)品中的半導體時(shí)，造成的結果被稱(chēng)為“單粒子翻轉”(single event upset，SEU)，在某些情況下，它可能造成相當大的破壞。如果您的產(chǎn)品處于地球軌道或在太空中的其他地方快速移動(dòng)，這一點(diǎn)尤其值得關(guān)注。
以使用MOSFET的推挽式逆變器為例。如果“off”側MOSFET在本不應該開(kāi)啟的時(shí)候被錯誤地開(kāi)啟，其結果可能會(huì )導致驅動(dòng)軌電壓對接地近乎短路。類(lèi)似這樣的事件可能是災難性的。
這張草圖顯示的就是這樣的一種逆變器，但它具有保護功能，能夠避免因單粒子翻轉而造成的災難。
圖1：每個(gè)標示的“X”表示MOSFET正經(jīng)歷一次單粒子翻轉。
無(wú)論哪一個(gè)MOSFET因單粒子翻轉而導通，其余三個(gè)開(kāi)關(guān)位置都將保持開(kāi)關(guān)狀態(tài)，直到受到?jīng)_擊的MOSFET開(kāi)關(guān)位置恢復正常。
在此電路中，單粒子翻轉將會(huì )暫時(shí)干擾變壓器驅動(dòng)平衡，但并不至于對+Vcc軌造成潛在的災難性下拉，因為受影響的MOSFET的配套MOSFET可以維持預期的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。
文章來(lái)源：EDN電子技術(shù)設計
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