【導讀】如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著(zhù)發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著(zhù)發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
電源系統需要更低的系統總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個(gè)1U機架通常只有5 kW，增加到現在的20 kW、30 kW 或更高。
圖1：數據中心供電：從電網(wǎng)到GPU
電源供應器(PSU)還必須滿(mǎn)足數據中心行業(yè)的特定需求。人工智能數據中心的PSU應滿(mǎn)足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規范，要求30%到100%負載下的峰值效率達到97.5%以上，并且10%到30%負載下的最低效率達到94%。
電源拓撲
作為PSU中交流/直流轉換的關(guān)鍵部分，在功率因數校正(PFC)級實(shí)現高能效至關(guān)重要，該級負責調整輸入電流，從而最大限度地提高有用功率與總輸入功率的比率。為滿(mǎn)足IEC 61000-3-2 等法規中的電磁兼容性(EMC)標準，并確保符合ENERGY STAR?等能效規范，PFC設計是關(guān)鍵所在。
在許多應用中，最佳方法是采用“圖騰柱”P(pán)FC拓撲（圖2），這種拓撲通常用于數據中心3 kW 至8 kW 系統的PFC功能塊。圖騰柱PFC級基于MOSFET，通過(guò)移除體積大且損耗高的橋式整流器，提高了交流電源的能效和功率密度。
圖2：圖騰柱PFC拓撲
為了達到97.5%的能效，圖騰柱PFC需要使用碳化硅(SiC)等“寬禁帶”半導體的MOSFET。如今，所有PFC級均采用SiC MOSFET 作為快速開(kāi)關(guān)橋臂，并使用硅基超級結MOSFET作為相位或慢速橋臂。
與超級結MOSFET等硅(Si) MOSFET 相比，SiC MOSFET 具有更好的性能和更高的能效。它們在高溫下表現出色，具有更強的穩健性，并能在更高的開(kāi)關(guān)頻率下運行。
與Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 在輸出電容中存儲的能量(EOSS)更少，這在PFC級的低負載條件下至關(guān)重要，因為在低負載運行下，開(kāi)關(guān)損耗在整個(gè)MOSFET功耗中占據了主要部分。較低的EOSS和柵極電荷可最大限度地減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失，從而提高圖騰柱PFC快速橋臂的能效。此外，由于SiC器件具有出色的熱導率，相當于硅基器件的三倍，因此與Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 具有更好的正溫度系數RDS(ON)。
這意味著(zhù)，SiC MOSFET 的導通電阻在結溫升高時(shí)增幅小于Si MOSFET。在175oC等高溫下，SiC MOSFET 的導通損耗較低，而導通損耗在總功率損耗中占據主要部分。
下表比較了目前市面上的650V超級結MOSFET與安森美(onsemi)650V SiC MOSFET 的關(guān)鍵參數。
SiC MOSFET 助力實(shí)現高能效
在眾多SiC MOSFET 產(chǎn)品中，安森美650 V M3S EliteSiC MOSFET（包括NTBL032N065M3S和NTBL023N065M3S）提供了出眾的開(kāi)關(guān)性能，并顯著(zhù)提高了超大規模數據中心的PFC和LLC級能效。
M3S EliteSiC 技術(shù)性能遠遠超過(guò)其前代產(chǎn)品，其中柵極電荷降低了50%，EOSS降低了44%，輸出電容中存儲的電荷(QOSS)也減少了44%。用于PFC級的硬開(kāi)關(guān)拓撲中時(shí)，這個(gè)出色的EOSS數值能夠提高輕載下的系統能效。此外，較低的QOSS簡(jiǎn)化了LLC級軟開(kāi)關(guān)拓撲的諧振儲能電感設計。
得益于出色的開(kāi)關(guān)性能和能效，M3S EliteSiC MOSFET 散發(fā)的熱量更少。此外，MOSFET的柵極電荷Qg在同電壓等級的產(chǎn)品中表現出色，能夠降低柵極驅動(dòng)損耗。同時(shí)，出色的Qgs和Qgd也有效降低了開(kāi)關(guān)導通和關(guān)斷損耗。
圖3：650V M3S EliteSiC MOSFET 的優(yōu)勢
在LLC功能塊中，當VDS從關(guān)斷狀態(tài)轉換到二極管導通狀態(tài)時(shí)，需要對輸出電容進(jìn)行放電。為了快速完成這一過(guò)程，必須使用低瞬態(tài)輸出電容。瞬態(tài)COSS之所以重要，是因為它可以最大限度地減少諧振儲能的循環(huán)損耗，并縮短LLC的死區時(shí)間，從而減少初級側的循環(huán)損耗。低導通電阻能夠最大限度地減少導通損耗，而低EOFF有助于最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗。
總體而言，提升系統能效是最重要的性能標準，這使得SiC MOSFET 成為數據中心PFC和LLC級的首選方案。
相較于市場(chǎng)上的眾多其他SiC MOSFET 產(chǎn)品，基于相同的RDS(ON)，安森美650V EliteSiC MOSFET 在成本、EMI、高溫運行和開(kāi)關(guān)性能方面，可與超級結MOSFET競爭。650V M3S EliteSiC MOSFET 的RDS(ON)低于相同封裝的超級結MOSFET，這提升了LLC拓撲的系統能效，同時(shí)，由于其開(kāi)關(guān)損耗遠低于硅基替代品，因此性能表現優(yōu)于后者。
圖4：M3S 650V EliteSiC MOSFET 產(chǎn)品組合
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