兩家公司預展第十代3D閃存技術(shù)，為性能、能效和位密度設立新標準
舊金山, 國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）——鎧俠株式會(huì )社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技術(shù)，憑借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，樹(shù)立了行業(yè)新標準。
兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會(huì )議上展示了這項3D閃存創(chuàng )新技術(shù)，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)1相結合，采用最新的NAND閃存接口標準Toggle DDR6.0以及SCA（獨立命令地址）協(xié)議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時(shí)還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)3（在進(jìn)一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用）。
基于此獨有的高速技術(shù)優(yōu)勢，兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實(shí)現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8Gb/s。此外，該技術(shù)也顯著(zhù)提升了數據輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實(shí)現了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。兩家公司預展第十代3D閃存（BiCS FLASH? generation 10）技術(shù)時(shí)介紹，通過(guò)將存儲層數增至332層并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。
鎧俠首席技術(shù)官宮島英史表示：“隨著(zhù)人工智能技術(shù)的普及，預計產(chǎn)生的數據量將顯著(zhù)增加，同時(shí)現代數據中心對能效提升的需求也在增長(cháng)。鎧俠深信，這項新技術(shù)將實(shí)現更大容量、更高速度和更低功耗的產(chǎn)品，包括用于未來(lái)存儲解決方案的SSD產(chǎn)品，并為人工智能的發(fā)展奠定基礎。”
閃迪公司全球戰略與技術(shù)高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“隨著(zhù)人工智能的進(jìn)步，客戶(hù)對存儲器的需求日益多樣化。我們通過(guò)CBA技術(shù)創(chuàng )新，致力于推出在容量、速度、性能和資本效率方面達到最佳組合的產(chǎn)品，以滿(mǎn)足各細分市場(chǎng)客戶(hù)的需求?！?/span>
鎧俠和閃迪還分享了即將推出的第九代3D閃存（BiCS FLASH? generation 9）計劃。通過(guò)其獨特的CBA技術(shù)，兩家公司能夠將新的CMOS技術(shù)與現有的存儲單元技術(shù)相結合，從而提供資本效率高、性能優(yōu)異且功耗低的產(chǎn)品。兩家公司將繼續致力于開(kāi)發(fā)前沿閃存技術(shù)，提供定制化解決方案以滿(mǎn)足客戶(hù)需求，并為數字社會(huì )的發(fā)展做出貢獻。
關(guān)于鎧俠
鎧俠是全球存儲器解決方案領(lǐng)導者，致力于開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售閃存及固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存， 在2017年4月鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離。鎧俠致力于通過(guò)提供產(chǎn)品、服務(wù)和系統，為客戶(hù)創(chuàng )造選擇并為社會(huì )創(chuàng )造基于記憶的價(jià)值，以“記憶”提升世界。鎧俠的創(chuàng )新 3D 閃存技術(shù) BiCS FLASH?，正在塑造諸多高密度應用的未來(lái)存儲方式，其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車(chē)、數據中心和生成式AI系統。
關(guān)于閃迪
閃迪致力于提供創(chuàng )新的閃存解決方案和先進(jìn)的存儲技術(shù)，滿(mǎn)足個(gè)人和企業(yè)用戶(hù)的關(guān)鍵需求，助力他們突破創(chuàng )新邊界，成就更多可能。閃迪公司是西部數據（納斯達克股票代碼：WDC）的全資子公司。關(guān)注閃迪官方社交媒體： Instagram、Facebook、X、LinkedIn、Youtube。在Instagram上加入 TeamSandisk。
注：
(1)CMOS晶圓和單元儲存陣列晶圓都在更優(yōu)的條件下單獨制造然后鍵合在一起的技術(shù)。
(2) 將命令/地址輸入總線(xiàn)與數據傳輸總線(xiàn)完全分離并實(shí)現并行運行的技術(shù)，可減少數據輸入/輸出所需時(shí)間。
(3) 在NAND接口電源中同時(shí)使用現有1.2V電源和額外低壓電源的技術(shù)，可降低數據輸入/輸出過(guò)程中的功耗。
* 1Gbps按1,000,000,000 bits/s計算。該數值是在鎧俠株式會(huì )社的特定測試環(huán)境中獲得，可能會(huì )因用戶(hù)環(huán)境的不同而改變。
* 所有公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能是其各自公司的商標。
前瞻性聲明
本新聞稿包含一些根據聯(lián)邦證券法所做的前瞻性聲明，包括對閃迪技術(shù)和產(chǎn)品的可用性、能力和影響的預期聲明。這些前瞻性聲明基于管理層目前的預期，受風(fēng)險和不確定因素的影響，實(shí)際結果可能與前瞻性聲明中表達或暗示的結果有實(shí)質(zhì)性的差異。
可能導致實(shí)際結果與前瞻性聲明中明示或暗示的結果存在實(shí)質(zhì)性差異的重要風(fēng)險和不確定因素包括：在實(shí)施西部數據公司向閃迪分拆閃存業(yè)務(wù)過(guò)程中固有的運營(yíng)、財務(wù)和法律挑戰及困難；獨立閃存業(yè)務(wù)的未來(lái)運營(yíng)結果；分拆能否按預期條款和預期時(shí)間表完成，或能否完成，包括分拆條件可能無(wú)法滿(mǎn)足的可能性，例如政府機構可能禁止、延遲或拒絕授予必要批準；分拆的預期收益和成本，包括預期收益可能無(wú)法在預期時(shí)間框架內、完全或根本無(wú)法實(shí)現；因分拆的宣布和完成而可能導致與客戶(hù)、供應商或其他合作伙伴的關(guān)系發(fā)生潛在不利反應或變化；對分拆的宣布或完成的競爭性反應；因分拆產(chǎn)生的意外成本、負債、費用或支出；與分拆相關(guān)的訴訟；因分拆而無(wú)法留住關(guān)鍵人員；因分拆導致管理層無(wú)法專(zhuān)注于持續的業(yè)務(wù)運營(yíng)；地緣政治沖突對業(yè)務(wù)的影響；整體經(jīng)濟和/或行業(yè)特定條件的任何變化；其他可能影響分拆的經(jīng)濟、競爭、法律、政府、技術(shù)和其他因素；以及在閃迪公司于2025年1月27日向美國證券交易委員會(huì )（SEC）提交的表格10注冊聲明附件99.1中的最終信息聲明中列出的其他風(fēng)險和不確定性（該文件可在SEC網(wǎng)站 www.sec.gov. 上查閱）。請勿過(guò)度依賴(lài)上述前瞻性聲明，這些聲明的適用性截止于其發(fā)布之日。除非法律要求，否則閃迪不承擔更新或修訂這些前瞻性聲明以反映新信息或事件的義務(wù)。
