【導讀】SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統的損耗并顯著(zhù)提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車(chē)等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統的損耗并顯著(zhù)提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車(chē)等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。
SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而SiC的擊穿電場(chǎng)強度是Si的10倍。因此，采用SiC半導體，理論上是有可能制造出與Si器件厚度相同、同時(shí)其耐壓10倍于Si器件的SiC SBD。例如，耐壓為3300V的SiC SBD漂移層厚度約為30μm，這使其比Si更薄。
SBD是一種單極型器件，因此器件內部不會(huì )積聚少數載流子。關(guān)斷過(guò)程中流過(guò)的電流是其n漂移區形成耗盡層期間掃出的電荷，以維持反向阻斷電壓，這種現象類(lèi)似于快恢復二極管的反向恢復電流。
如圖1為SiC SBD不同溫度下正向壓降對比，其微分電阻具有正溫度特性，可在并聯(lián)使用時(shí)抑制芯片之間的電流不平衡。這一特性有利于防止SBD熱失控。圖2為SiC SBD不同溫度下正向特性變化。
圖1：SiC SBD（FMF600DXZ-24B）正向壓降
圖2：SiC SBD（FMF600DXZ-24B）溫度特性
圖3顯示了SiC SBD從導通狀態(tài)變?yōu)榻刂範顟B(tài)時(shí)的電流和電壓波形。對于PIN Si二極管來(lái)說(shuō)，即使二極管關(guān)斷，電流仍會(huì )繼續流動(dòng)，直到內部的少數載流子耗盡（反向恢復電流），因此需要一定的時(shí)間才能將電流恢復為零。而SiC SBD是單極型器件，沒(méi)有少數載流子，只需要為結電容充電所需的電流。此外，SiC SBD的結電容相對較小，因此反向恢復時(shí)間短，損耗極小。
圖3：SiC SBD（FMF600DXZ-24B）關(guān)斷波形
三菱電機將高頻IGBT芯片和SiC SBD結合，開(kāi)發(fā)了一系列混合SiC模塊，如表1所示，適合高頻應用。從性?xún)r(jià)比的角度出發(fā)，可以與全SiC模塊進(jìn)行比較和選擇。
表1：混合SiC模塊
關(guān)于三菱電機
三菱電機創(chuàng )立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財年，集團營(yíng)收52579億日元（約合美元348億）。作為一家技術(shù)主導型企業(yè)，三菱電機擁有多項專(zhuān)利技術(shù)，并憑借強大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng)，三菱電機從事開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導體已有68年。其半導體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車(chē)、模擬/數字通訊以及有線(xiàn)/無(wú)線(xiàn)通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應用。
文章來(lái)源：三菱電機半導體
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