3月12日，全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商鎧俠參展中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )CFMS 2025/MemoryS 2025，在現場(chǎng)針對人工智能 AI應用提出了全新的存儲解決方案，并預告了全新一代的QLC企業(yè)級與數據中心級SSD，以及下一代BiCS FLASH?，為云端計算、大模型加速，提供了高效、可靠的先進(jìn)存儲解決方案。
用QLC SSD滿(mǎn)足AI應用
以DeepSeek為主的人工智能應用正在推動(dòng)企業(yè)服務(wù)器和數據中心積極升級，在關(guān)注AI加速運算成本的同時(shí)，存儲密度和效能也已經(jīng)成為關(guān)注的對象。特別是隨著(zhù)AI應用增多，冷數據正在轉向溫數據，HDD已經(jīng)無(wú)法同時(shí)滿(mǎn)足高速讀寫(xiě)和每年以EB級增長(cháng)的數據需求，SSD發(fā)展成為了必然。
在企業(yè)級SSD解決方案中，QLC技術(shù)被認為是能夠幫助服務(wù)器和數據中心提升單位空間存儲密度的解決方案之一，第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH?的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，寫(xiě)入能效比提高了約70%。
鎧俠采用QLC技術(shù)的企業(yè)級SSD蓄勢待發(fā)，配合QLC技術(shù)，新一代鎧俠LC9系列可擁有高達122.88 TB容量，支持PCIe? 5.0、NVMeTM 2.0 ，采用雙端口設計，適用于密集型讀取、大模型加載、AI等應用場(chǎng)景。
另外針對數據中心和超大規模計算環(huán)境，具備前瞻性EDSFF（Enterprise and Data Center Standard Form Factor）規范鎧俠XD8系列也已經(jīng)發(fā)布，E1.S的規格可以幫助數據中心在新的規范下提升存儲密度，可以充分滿(mǎn)足數據中心對AI高性能、高效率和高可擴展性的增長(cháng)需求。
下一代BiCS FLASH?蓄勢待發(fā)
在積極推進(jìn)SSD解決方案的同時(shí)，鎧俠也放眼于未來(lái)的BiCS FLASH?規劃，基于CBA技術(shù)的下一代BiCS FLASH?已經(jīng)蓄勢待發(fā)，可以很好的兼顧每GB的產(chǎn)能、成本和性能，進(jìn)一步優(yōu)化存儲效率，幫助客戶(hù)獲得更優(yōu)秀的存儲解決方案。
下一代BiCS FLASH?將會(huì )獲得更快的4.8Gb/s速度相對第八代BiCS FLASH?提升33%，擁有332堆疊，位密度將大于29Gb/mm2，相對第八代BiCS FLASH?提升59%，并且數據輸出能效提升34%，為PCIe? 6.0和PCIe? 7.0做好準備。
與此同時(shí)，量產(chǎn)的BiCS FLASH?技術(shù)也已經(jīng)與產(chǎn)品實(shí)現了優(yōu)秀的融合，在QLC UFS 4.0，車(chē)規級UFS 4.0以及移動(dòng)端上展開(kāi)應用，為客戶(hù)提供了豐富的存儲解決方案。
在現場(chǎng)， “人工智能應用需求的增長(cháng)，給數據中心技術(shù)建設帶來(lái)了全新的挑戰，憑借先進(jìn)的NAND閃存技術(shù)和豐富的企業(yè)級產(chǎn)品經(jīng)驗，鎧俠提供的SSD產(chǎn)品可以提高數據中心的能效、存儲密度、性能和可靠性。同時(shí)鎧俠也將與中國客戶(hù)建立深度合作關(guān)系，為AI提供更為高效的存儲方案?！?鎧俠技術(shù)執行官柳茂知（Shigenori Yanagi）說(shuō)道。
鎧俠電子（中國）有限公司董事長(cháng)兼總裁岡本成之對今年存儲行情充滿(mǎn)了信心：“DeepSeek成為全球范圍內的熱點(diǎn)話(huà)題，給2025年發(fā)展提供了無(wú)限想象空間，相信整個(gè)行業(yè)在今年會(huì )隨著(zhù)AI東風(fēng)闊步向前?！?/p>
在CFMS 2025現場(chǎng)分享的內容僅僅是鎧俠技術(shù)規劃的一部分。鎧俠會(huì )持續推動(dòng)先進(jìn)存儲技術(shù)研發(fā)，將技術(shù)與熱門(mén)應用結合，并與中國客戶(hù)加深合作，共同推進(jìn)存儲行業(yè)的快速發(fā)展，為客戶(hù)提供高效、穩定、可靠的存儲解決方案。
關(guān)于鎧俠
鎧俠是全球存儲器解決方案領(lǐng)導者，致力于開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售閃存及固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存，在2017年4月鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離。鎧俠致力于通過(guò)提供產(chǎn)品、服務(wù)和系統，為客戶(hù)創(chuàng )造選擇并為社會(huì )創(chuàng )造基于記憶的價(jià)值，以“記憶”提升世界。鎧俠的創(chuàng )新 3D 閃存技術(shù) BiCS FLASH?，正在塑造諸多高密度應用的未來(lái)存儲方式，其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車(chē)、數據中心和生成式AI系統。
截至 2025 年 3 月 13 日。
*存儲容量：使用 1MB（1 兆字節）= 1,000,000（10 的 6 次方）字節、1GB（1 千兆字節）= 1,000,000,000（10 的 9 次方）字節和 1TB（1 太字節）= 1,000,000,000,000（10 的 12 次方）字節計算。但是，如果計算機操作系統使用 1GB = 1,073,741,824 （2 的 30 次方）字節作為硬盤(pán)容量的計算方法，則顯示的容量會(huì )小于硬盤(pán)容量。硬盤(pán)容量因文件大小、格式化、設置、軟件、操作系統和其他因素而異。
PCI-SIG 和 PCIe 是 PCI-SIG 的商標。
*NVMe 是 NVM Express, Inc. 在美國或其他國家的注冊商標或商標。
*本文提及的其他產(chǎn)品和服務(wù)名稱(chēng)可能是其各自公司的注冊商標或商標。
