- 電動(dòng)車(chē)無(wú)刷電機控制器短路的工作模型
- 控制器在短路時(shí)MOSFET的工作狀態(tài)
- 計算MOSFET瞬態(tài)溫升的計算公式
- 設定短路保護時(shí)間的原則
- 溫升公式：Tj = Tc + P × Rth(jc)
- 根據單脈沖的熱阻系數確定允許的短路時(shí)間
- 工作溫度越高短路保護時(shí)間就應該越短
1 短路模型及分析
短路模型如圖1所示，其中僅畫(huà)出了功率輸出級的A、B兩相（共三相）。Q1和Q3為A相MOSFET，Q2和Q4為B相MOSFET，所有功率MOSFET均為AOT430。L1為電機線(xiàn)圈，Rs為電流檢測電阻。
當控制器工作時(shí)，如電機短路，則會(huì )形成如圖1中所示的流經(jīng)Q2，Q3的短路電流，其電流值很大，達幾百安培，MOSFET的瞬態(tài)溫升很大，這種情況下應及時(shí)保護，否則會(huì )使MOSFET結點(diǎn)溫度過(guò)高而使MOSFET損壞。短路時(shí)Q3電壓和電流波形如圖2所示。圖2a中的MOSFET能承受45us的大電流短路，而圖2b中的MOSFET不能承受45us的大電流短路，當脈沖45us關(guān)斷后，Vds回升，由于溫度過(guò)高，僅經(jīng)過(guò)10us的時(shí)間MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路電流迅速上升。由圖2我們可以看出短路時(shí)峰值電流達500A，這是由于短路時(shí)MOSFET直接將電源正負極短路，回路阻抗是導線(xiàn)，PCB走線(xiàn)及MOSFET的Rds（on）之和，其數值很小，一般為幾十毫歐至幾百毫歐。
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2 計算合理的保護時(shí)間
在實(shí)際應用中，不同設計的控制器，其回路電感和電阻存在一定的差別以及短路時(shí)的電源電壓不同，導致控制器三相輸出線(xiàn)短路時(shí)的短路電流各不相同，所以設計者應跟據自己的實(shí)際電路和使用條件設計合理的保護時(shí)間。
短路保護時(shí)間計算步驟：
2．1 計算MOSFET短路時(shí)允許的瞬態(tài)溫升
因為控制器有可能是在正常工作時(shí)突然短路，所以我們的設計應是基于正常工作時(shí)的溫度來(lái)計算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結點(diǎn)溫度可由下式計算：
Tj = Tc + P × Rth(jc)
其中：
Tc：MOSFET表面溫度
Tj：MOSFET結點(diǎn)溫度
Tj：MOSFET結點(diǎn)溫度
Rth（jc）：結點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Date sheet中查得。
一般來(lái)說(shuō)，一只控制器輸出功率為350W時(shí)，并且采用同步整流技術(shù)，續流側MOSFET的耗散功率為20W左右，即P=20W。同時(shí)我們假設MOSFET工作時(shí)的表面溫度Tc為100℃（炎熱的夏季MOSFET的表面溫度一般都會(huì )達到此值），則：Tj = Tc+P× Rth(jc) = 100+20×0.45 = 109℃。
理論上MOSFET的結點(diǎn)溫度不能超過(guò)175℃，所以電機相線(xiàn)短路時(shí)MOSFET允許的溫升為：Trising = Tjmax - Tj = 175-109 = 66℃。2．2 根據瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時(shí)的熱阻
由圖2可知，短路時(shí)MOSFET耗散的功率約為：
P = Vds × I = 25 × 400 = 10000W
脈沖的功率也可以通過(guò)將圖二測得波形存為EXCEL格式的數據，然后通過(guò)EXCEL進(jìn)行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數據。對于MOSFET溫升計算有如下公式：
Trising = P × Zθjc × Rθjc
其中：
Rθjc------結點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Date sheet中查得。
Zθjc------熱阻系數
Zθjc------熱阻系數
由上式變形可得，
Zθjc = Trising ÷（ P × Rθjc）
代入數據得：
Zθjc = 66 ÷ （10000 × 0.45）= 0.015
2．3 根據單脈沖的熱阻系數確定允許的短路時(shí)間
由圖3最下面一條曲線(xiàn)（單脈沖）可知，對于單脈沖來(lái)說(shuō)，要想獲得0.015的熱阻系數，其脈沖寬度不能大于20us。
3 設計短路保護應注意的幾個(gè)問(wèn)題
由于不同控制器的PCB布線(xiàn)參數不一樣，導致相線(xiàn)短路時(shí)回路阻抗不等，短路電流也因此不同。所以，不同設計的控制器應根據實(shí)際情況設計確當的短路保護時(shí)間。
由于應用中使用的電源電壓有可能不同，也會(huì )導致短路電流的不同，同樣也會(huì )影響到保護時(shí)間。
注意控制器實(shí)際工作時(shí)的可能最高溫度，工作溫度越高，短路保護時(shí)間就應該越短。
本文討論的短路保護時(shí)間是指MOSFET能承受的最長(cháng)短路時(shí)間。在設計短路保護電路時(shí)，應考慮硬件及軟件的響應時(shí)間，以及電流保護的峰值，這些參數都會(huì )影響到最終的保護時(shí)間。因此，硬件電路設計和軟件的編寫(xiě)致關(guān)重要。
本文討論的短路保護時(shí)間是單次短路保護時(shí)間，短路后短時(shí)間內不能再次短路。如果設計成周期性短路保護，則短路保護時(shí)間應更短。
4 結論
短路保護在瞬間大電流時(shí)能對MOSFET提供可靠的快速保護，大大增加了控制的可靠性，減少了控制器的損壞率。
