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半導體過(guò)壓防護器件應對浪涌挑戰

發(fā)布時(shí)間:2009-11-07 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

上海光宇睿芯微電子有限公司CEO劉建朝浪涌電壓的來(lái)源有四類(lèi),雷擊、工業(yè)過(guò)電壓、靜電、核磁輻射。在極短的時(shí)間內(微妙級),浪涌電壓可以達到很高的幅值。浪涌電壓釋放到設備上,會(huì )干擾設備運行,甚至燒毀電路。為了降低浪涌電壓的危害,需要在電路里添加過(guò)電壓保護器件。就過(guò)壓保護器件的選型問(wèn)題,電子元件技術(shù)網(wǎng)采訪(fǎng)了上海光宇睿芯微電子有限公司CEO劉建朝。劉建朝將于11月12日,在上海新國際博覽中心會(huì )議廳W2-M9舉行的《電路保護和電磁兼容技術(shù)研討會(huì )》上,就半導體過(guò)壓保護器件的選擇和應用做更進(jìn)一步探討。

半導體過(guò)壓保護,主要是用來(lái)防雷。目前市場(chǎng)上主要的防雷器件有這么幾種,氣體防雷管、壓敏電阻、瞬態(tài)二極管,過(guò)壓保護器件。氣體放電管是電容很小,但是里面是充惰性氣體,所以可靠性不強,會(huì )退化;壓敏電阻能夠吸引能量,并且有EMC功能;TVS可以做到很小,但是它的缺點(diǎn)就是寄生電容很大,耐電流很??;半導體過(guò)壓保護器件采用先進(jìn)的離子注入技術(shù),開(kāi)啟電壓的一致性好,明顯優(yōu)于氣體放電管和壓敏電阻;采用了SCR結構,浪涌電流的吸收能力強,明顯優(yōu)于瞬態(tài)抑制二極管(TVS),另外它的可靠性很高,響應速度很快。

上海光宇睿芯微電子有限公司(SINO-IC)從事半導體過(guò)壓保護器件和集成電路的設計、研發(fā)與銷(xiāo)售。SINO-IC產(chǎn)品品種多,覆蓋范圍廣,已廣泛應用于通訊系統的接口保護、便攜產(chǎn)品接口保護、鋰電池的過(guò)充過(guò)放保護、電源系統的過(guò)壓保護、以及LED驅動(dòng)與保護等。

演講時(shí)間:2009年11月12號 11:05-11:40 
地       點(diǎn):上海新國際博覽中心會(huì )議廳W2-M9
演講題目:快速響應半導體過(guò)壓保護器件的選型
演講嘉賓:上海光宇睿芯微電子有限公司CEO劉建朝

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