產(chǎn)品特性：

• 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合
• 采用了5x6 mm PQFN封裝
• 優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)

應用范圍：

• 網(wǎng)絡(luò )和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源（SMPS）及電機驅動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應用

國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現基準性能，適用于網(wǎng)絡(luò )和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源（SMPS）及電機驅動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶(hù)的特定應用提供優(yōu)化的性能和更低成本。

IR 亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“由于新器件的尺寸僅為0.9mm，并具有標準引腳，可提供高額定電流和低導通電阻，因此與需要多個(gè)并行元件的解決方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常適合電路板空間狹小的開(kāi)關(guān)應用。”

所有器件都具有低熱阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 標準，所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品基本規格