圖1：AON7280和AON7290

使用專(zhuān)有的AOS AlphaMOS技術(shù)，AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競爭對手，分別構建。的低導通電阻減小導通損耗，并允許器件工作在較低的溫度下。這是不影響開(kāi)關(guān)性能的兩個(gè)設備提供最低的RDS * COSS的行業(yè)。這些解決方案被打包在綠色DFN3.3×3.3封裝，電路板空間的關(guān)鍵應用提供電路設計的靈活性。

“在狹小的空間中構建高效的電源解決方案，設計人員在更小的 封裝的高性能MOSFET中實(shí)現。”斯蒂芬說(shuō)。在A(yíng)OS的高級產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)張經(jīng)理說(shuō)：“AON7280和AON7290結合了高密度AlphaMOS技術(shù)，具有結構緊湊DFN3.3×3.3封裝，以滿(mǎn)足設計師需求。“

AON7280技術(shù)要點(diǎn)

80V N溝道MOSFET
RDS <8.5毫歐（最大值）在VGS = 10V（最低在行業(yè)）
COSS = 265 pF的典型
QG（10V）= 26 NC（典型值）
最低RDS * Qg和數字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
最低RDS * COSS數字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
100％的Rg和UIS測試

AON7290技術(shù)要點(diǎn)

100V N溝道MOSFET
RDS <12.6毫歐最大VGS = 10V（最低在行業(yè)）
COSS = 175 pF的典型
QG（10V）= 26.5 NC（典型值）
最低RDS * COSS數字的優(yōu)點(diǎn)在市場(chǎng)上
100％的Rg和UIS測試