【導讀】如何來(lái)檢測IGBT好壞簡(jiǎn)便方法？這里大師來(lái)教你：將數字萬(wàn)用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
1、判斷極性
首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（G）。其余兩極再用萬(wàn)用表測量，若測得阻值為無(wú)窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發(fā)射極（E）。
2、判斷好壞
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E），此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時(shí)IGBT被觸發(fā)導通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時(shí)IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內部電池電壓太低，檢測好壞時(shí)不能使IGBT導通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場(chǎng)效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
逆變器IGBT模塊檢測：
將數字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線(xiàn)拆除，使用二極管測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬(wàn)用表顯示數值為最大；將表筆反過(guò)來(lái)，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬(wàn)用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測U、V、W,萬(wàn)用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬(wàn)用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說(shuō)明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時(shí)，只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性， 萬(wàn)用表兩次所測的數值都為最大，這時(shí)可判定IGBT模塊門(mén)極正常。如果有數值顯示，則門(mén)極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時(shí)，說(shuō)明所檢測的一相門(mén)極已被擊穿短路。門(mén)極損壞時(shí)電路板保護門(mén)極的穩壓管也將擊穿損壞。
