【導讀】2018年7月30日，第二屆全國大學(xué)生集成電路創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)大賽總決賽組委會(huì )宣布，存儲行業(yè)龍頭公司長(cháng)江存儲科技有限責任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)長(cháng)江存儲）與大賽達成合作，將冠名大賽總決賽，以期匯聚高校集成電路英才，共圓中國“芯”之夢(mèng)。
長(cháng)江存儲冠名全國大學(xué)生集成電路創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)大賽總決賽
2018年7月30日，第二屆全國大學(xué)生集成電路創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)大賽總決賽組委會(huì )宣布，存儲行業(yè)龍頭公司長(cháng)江存儲科技有限責任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)長(cháng)江存儲）與大賽達成合作，將冠名大賽總決賽，以期匯聚高校集成電路英才，共圓中國“芯”之夢(mèng)。
全國大學(xué)生集成電路創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)大賽由工業(yè)和信息化部人才交流中心主辦，由北京智芯國信創(chuàng )建“芯人類(lèi)”集成電路產(chǎn)業(yè)人才培養服務(wù)平臺提供運營(yíng)支撐。大賽以服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求為導向，以提升我國集成電路產(chǎn)業(yè)人才培養質(zhì)量為目標，打造產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同創(chuàng )新平臺，將行業(yè)發(fā)展需求融入教學(xué)過(guò)程，提升在校大學(xué)生創(chuàng )新實(shí)踐能力、工程素質(zhì)以及團隊協(xié)作精神，助力我國集成電路產(chǎn)業(yè)健康快速發(fā)展。第二屆大賽于2017年12月正式啟動(dòng)，共有120所院校，900多支團隊，3000多名師生參賽，大賽總決賽將于8月22至24日在南京舉行。
2018年4月26日，習近平總書(shū)記視察長(cháng)江存儲及其子公司武漢新芯，聽(tīng)取了國家存儲器基地項目的情況介紹。習總書(shū)記囑托公司全體員工，要加快在芯片技術(shù)上實(shí)現重大突破，勇攀世界半導體存儲科技高峰。
2018年第四季度，由1000人團隊、歷時(shí)2年、耗資10億美元自主研發(fā)成功的中國第一顆32層三維閃存芯片，將在長(cháng)江存儲實(shí)現量產(chǎn)，從而實(shí)現中國存儲器零的突破。這相當于中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦出海試航，未來(lái)有望使中國進(jìn)入世界存儲芯片的第一陣營(yíng)。
長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國表示：“集成電路作為核心技術(shù)，是關(guān)系國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展全局的基礎性、先導性和戰略性產(chǎn)業(yè)。在國家戰略的大力推動(dòng)下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展正迎來(lái)重大歷史機遇，同時(shí)也帶來(lái)了旺盛的人才需求。長(cháng)江存儲是一家全球化的半導體制造企業(yè)，擁有一支國際化的管理團隊，聚集了半導體各個(gè)領(lǐng)域的資深專(zhuān)家。”目前，在臺灣地區有存儲器教父之稱(chēng)的高啟全出任長(cháng)江存儲執行董事長(cháng)，在英特爾帶領(lǐng)過(guò)世界最前沿研發(fā)團隊的楊士寧出任長(cháng)江存儲CEO。國際化人才的技術(shù)能力、運營(yíng)能力、管理能力和國際視野為長(cháng)江存儲帶來(lái)了全新前景。同時(shí)，長(cháng)江存儲為每位員工都提供職業(yè)化、多元化的培訓機制，讓每位員工都能充分發(fā)揮自己的潛能。
長(cháng)江存儲冠名此次大賽，一方面希望借助本次大賽，踐行企業(yè)社會(huì )責任，進(jìn)一步樹(shù)立品牌形象；同時(shí)也希望創(chuàng )造一個(gè)更好的平臺，讓創(chuàng )新技術(shù)和創(chuàng )新人才加速涌現，為企業(yè)打造富有活力的人才環(huán)境，推動(dòng)國家集成電路產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展，早日在全世界擁有一席之地。
關(guān)于長(cháng)江存儲：
長(cháng)江存儲是一家集芯片設計、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷(xiāo)售服務(wù)于一體的存儲器IDM企業(yè)。它于2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北地方集成電路基金、湖北科投聯(lián)合投資發(fā)起成立。以長(cháng)江存儲為實(shí)施主體的國家存儲器基地項目，包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠(chǎng)房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，核心廠(chǎng)區占地面積約1717畝，相當于160個(gè)足球場(chǎng)，項目總投資將達240億美元。長(cháng)江存儲現已在武漢、北京、上海、硅谷等地設立研發(fā)中心，將為全球客戶(hù)提供先進(jìn)的存儲產(chǎn)品和解決方案，廣泛應用于移動(dòng)通信、計算機、數據中心和消費電子等領(lǐng)域。
