【導讀】TV、戶(hù)外LED照明等功率比較大的電源系統中，通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統反復起動(dòng)的過(guò)程中，如系統動(dòng)態(tài)老化Burn In測試、輸入打火測試，由于PFC控制芯片的供電VCC電源建立過(guò)程比較慢，特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況，會(huì )導致功率MOSFET管的驅動(dòng)在起動(dòng)的過(guò)程中，由于驅動(dòng)電壓不足，容易進(jìn)入線(xiàn)性區工作，功率MOSFET反復不斷的進(jìn)入線(xiàn)性區工作，工作一段時(shí)間后，就會(huì )形成局部熱點(diǎn)而損壞。
例1：戶(hù)外LED照明電源，拓撲結構為PFC+LLC，PFC兩個(gè)功率MOSFET并聯(lián)，PFC控制芯片ST6562臨界模式，Vin：90-305Vac，PFC輸出Vout即母線(xiàn)電壓460V，PFC電感是200uH。
具體的情況如下：
輸入端305Vac、220Vac進(jìn)行打火測試，滿(mǎn)載情況下，電感電流會(huì )進(jìn)入連續模式狀態(tài)，MOSFET失效。
從失效的圖片，可以明顯的看到，功率MOSFET進(jìn)入線(xiàn)性區失效。
圖1：例1失效圖片
例2：日光燈電子鎮流器的PFC電路，系統在動(dòng)態(tài)老化測試過(guò)程中，MOSFET產(chǎn)生損壞失效，測試實(shí)際的電路，在起動(dòng)過(guò)程中，MOSFET實(shí)際驅動(dòng)電壓只有5V左右，MOSFET相當于有很長(cháng)的一段時(shí)間工作在線(xiàn)性區，器件形成局部熱點(diǎn)，而且離G極比較近，因此，器件是在開(kāi)通過(guò)程中，由于較長(cháng)時(shí)間工作線(xiàn)性區產(chǎn)生的失效，工作波形和失效形態(tài)如圖2、圖3所示。
圖2：例2失效圖片
圖3：例2線(xiàn)性區的工作波形
來(lái)源：松哥電源
