DC/DC降壓型電路在日常的電路設計中經(jīng)常遇到，這些電路的接地節點(diǎn)會(huì )聚快速變化的大電流。當接地節點(diǎn)移動(dòng)時(shí)，系統性能會(huì )遭受影響并且該系統會(huì )輻射電磁干擾（EMI）。但是如果很好地理解“接地“引起的接地噪聲的物理本質(zhì)可提供一種減小接地噪聲問(wèn)題的直觀(guān)認識。

 

在高頻時(shí)，一個(gè)大電容器——例如降壓型變換器輸入電容器，CVIN——可以看作一個(gè)DC電壓源。類(lèi)似地，一個(gè)大電感器——例如降壓型變換器輸出電感器，LBUCK——也可以看作一個(gè)DC電流源。所做的這些近似有助于直觀(guān)理解。

圖2示出當開(kāi)關(guān)在兩個(gè)位置之間交替切換時(shí)磁通量如何變化。

 

 

大電感器LBUCK使輸出電流大約保持恒定。類(lèi)似地，大電容器CVIN保持電壓大約等于VIN。由于輸入引線(xiàn)電感兩端的電壓不變，所以輸入電流也大約保持恒定。

 

盡管輸入電流和輸出電流基本不變，但當開(kāi)關(guān)從位置1切換到位置2時(shí)，總環(huán)路面積會(huì )迅速變?yōu)樵瓉?lái)的一半。環(huán)路面積的變化意味著(zhù)磁通量的快速變化，從而沿著(zhù)接地回路引起接地反彈。

 

實(shí)際上，降壓型變換器由一對半導體開(kāi)關(guān)構成，如圖3所示。

 

雖然每個(gè)圖中的復雜程度增加，但是通過(guò)磁通量變化引起接地反彈的分析方法仍然很簡(jiǎn)單和直觀(guān)。

 

 

事實(shí)上，磁通量的變化會(huì )沿著(zhù)接地回路各處都產(chǎn)生電壓，這就帶來(lái)了一個(gè)有趣的問(wèn)題：哪里是真正的地？因為接地反彈意味著(zhù)，相對于稱(chēng)作地的某個(gè)理想點(diǎn)（那一點(diǎn)需要定義），在接地返回印制線(xiàn)上產(chǎn)生一個(gè)反彈電壓。

 

在電源穩壓器電路中，真實(shí)的地應該連接在負載的低壓端。畢竟，DC/DC變換器的目的是為負載提供穩定的電壓和電流。電流回路上的其它所有點(diǎn)都不是真正的地，只是接地回路的一部分。

 

由于在負載的低壓端接地并且環(huán)路面積的變化是接地反彈的原因，圖4顯示了如何精心地放置CVIN通過(guò)減小環(huán)路面積變化的比率降低接地反彈。

 

 

電容器CVIN旁路PCB頂層的高端開(kāi)關(guān)直接到達底層低端開(kāi)關(guān)兩端，因此減小了環(huán)路面積的變化，將其與接地回路隔離。當開(kāi)關(guān)從一種狀態(tài)切換到另一種狀態(tài)時(shí)，從VIN的底部到負載的底部，無(wú)環(huán)路面積變化或開(kāi)關(guān)電流變化。因此接地回路沒(méi)有發(fā)生反彈。

 

 

實(shí)際上，PCB布線(xiàn)本身決定了電路的性能。圖5為圖3中降壓型變換器電路原理圖的PCB布線(xiàn)圖。當開(kāi)關(guān)處于狀態(tài)1所示的位置，高端開(kāi)關(guān)閉合，DC電流沿著(zhù)外圈紅色環(huán)路流動(dòng)。當開(kāi)關(guān)處于狀態(tài)2所示的位置，低端開(kāi)關(guān)閉合，DC電流沿著(zhù)藍色環(huán)路流動(dòng)。注意由于環(huán)路面積變化引起磁通量變化。因此產(chǎn)生電壓和接地反彈。

 

為了清晰起見(jiàn)，在單層PCB上實(shí)現布線(xiàn)，但即使使用第二層整塊接地平面也無(wú)法解決接地反彈問(wèn)題。在展示改進(jìn)布線(xiàn)圖之前，圖6給出了一個(gè)簡(jiǎn)單例子說(shuō)明地平面無(wú)法解決問(wèn)題。

 

 

這里，我們采用雙層PCB以便在與頂層電源線(xiàn)垂直處附加一個(gè)旁路電容。在左邊的例子中，地平面是整體的并且未切割。頂層印制線(xiàn)電流通過(guò)電容器流過(guò)，穿過(guò)過(guò)孔，到達地平面。

 

因為交流(AC)電總是沿著(zhù)最小阻抗路徑流動(dòng)，接地返回電流繞著(zhù)其路徑拐角返回電源。所以當電流的幅度或頻率發(fā)生變化時(shí)，電流的磁場(chǎng)及其環(huán)路面積發(fā)生變化，從而改變磁通量。電流沿最小阻抗路徑流動(dòng)的規律意味著(zhù)，即使采用整體地平面也會(huì )發(fā)生接地反彈——與其導通性無(wú)關(guān)。

 

在右邊的例子中，一個(gè)經(jīng)過(guò)合理規劃切割的地平面會(huì )限制返回電流以使環(huán)路面積最小，從而大大減小接地反彈。在切割返回線(xiàn)路內產(chǎn)生的任何剩余接地反彈電壓與通用地平面隔離。

 

圖7中的PCB布線(xiàn)利用圖6中示出的原理減小了接地反彈。采用雙層PCB板以便將輸入電容器和兩個(gè)開(kāi)關(guān)安排在地平面的孤島上。

 

這種布線(xiàn)不必最好，但它工作很好，而且能夠說(shuō)明關(guān)鍵問(wèn)題。應該注意紅色電流（狀態(tài)1）和藍色電流（狀態(tài)2）包圍的環(huán)路面積很大，但兩個(gè)環(huán)路面積之差很小。環(huán)路面積變換很小意味著(zhù)磁通量的變化小——即接地反彈小。（然而，一般情況下，也要保證環(huán)路面積小——圖7只是為了說(shuō)明AC電流路徑匹配的重要性。）

 

另外，在磁場(chǎng)和環(huán)路面積發(fā)生變化的接地回路孤島內，沿著(zhù)任何接地回路引起的接地反彈都受接地切割限制。

 

此外，可能第一眼看上去，輸入電容器CVIN好像沒(méi)有位于圖4中所示的頂層高端開(kāi)關(guān)和低層低端開(kāi)關(guān)之間，但進(jìn)一步觀(guān)察才會(huì )發(fā)現是這樣。盡管物理鄰近可以很好，但真正起作用的是通過(guò)最小化環(huán)路面積實(shí)現的電子接近。

 

 

在大多數情況下，應該首先考慮地平面的電阻，然后考慮所有開(kāi)關(guān)和進(jìn)入返回路徑的寄生電容器兩端流過(guò)的位移電流。

 

無(wú)論什么電路，基本接地原理都是相同的——應該使磁通量的變化最小或者對它隔離。

 

注：本文摘抄Analog Dialogue第41卷第2期。

 

（轉載自：貿澤工程師社區，來(lái)源：韜略科技EMC，作者：袁韶庚）