【導讀】"總柵極電荷（Qg）是指為導通（驅動(dòng)）MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。 有時(shí)也稱(chēng)為柵極總電荷。"單位為庫侖（C），總柵極電荷值較大，則導通MOSFET所需的電容充電時(shí)間變長(cháng)，開(kāi)關(guān)損耗增加。數值越小，開(kāi)關(guān)損耗（切換損耗）越小，從而可實(shí)現高速開(kāi)關(guān)。
"總柵極電荷（Qg）是指為導通（驅動(dòng)）MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。 有時(shí)也稱(chēng)為柵極總電荷。"單位為庫侖（C），總柵極電荷值較大，則導通MOSFET所需的電容充電時(shí)間變長(cháng)，開(kāi)關(guān)損耗增加。數值越小，開(kāi)關(guān)損耗（切換損耗）越小，從而可實(shí)現高速開(kāi)關(guān)。
總柵極電荷和導通電阻
如上所述，總柵極電荷的值越小，開(kāi)關(guān)損耗越小。而且，導通電阻值越小，工作時(shí)的功耗越小。
然而，總柵極電荷和導通電阻的特性處于權衡關(guān)系。
通常，MOSFET的芯片尺寸（表面積）越小，總電荷量越小，但導通電阻值會(huì )變大。
換句話(huà)說(shuō)，開(kāi)關(guān)損耗與工作時(shí)的功耗之間存在權衡關(guān)系。
動(dòng)態(tài)輸入特性
動(dòng)態(tài)輸入特性
該圖為動(dòng)態(tài)輸入（Qg –VGS）的特性例。
在圖中，常溫下的漏極側電源電壓（VDD ）和漏極電流（ID ）是固定特性， VDD = 300 V ， ID = 30A 時(shí)所需的最小電荷量約為60nC。此時(shí)的柵源電壓 （VGS ） 為6.5V。
實(shí)際上是在MOSFET完全導通的情況下，調整有權衡關(guān)系的導通電阻值，從而設定柵源電壓（VGS ） 。
此時(shí)，可從圖表讀取設定電壓和總柵極電荷（Qg）（例如， VGS = 10 V 時(shí)為85nC ， VGS = 15V 時(shí)為 130nC ）。
文章來(lái)源：羅姆
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