【導讀】在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
SiC MOSFET的橋式結構
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時(shí)導通，設置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區時(shí)間。右下方的波形表示其門(mén)極信號（VG）時(shí)序。
該電路中HS和LS MOSFET的Drain-Source電壓（VDS）和漏極電流（ID）的波形示意圖如下。這是電感L的電流處于連續動(dòng)作狀態(tài)，即所謂的硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)的波形。
橫軸表示時(shí)間，時(shí)間范圍Tk（k=1～8）的定義如下：
T1： LS為ON時(shí)、MOSFET電流變化的時(shí)間段
T2： LS為ON時(shí)、MOSFET電壓變化的時(shí)間段
T3： LS為ON時(shí)的時(shí)間段
T4： LS為OFF時(shí)、MOSFET電壓變化的時(shí)間段
T5： LS為OFF時(shí)、MOSFET電流變化的時(shí)間段
T4～T6： HS變?yōu)镺N之前的死區時(shí)間
T7： HS為ON的時(shí)間段（同步整流時(shí)間段）
T8： HS為OFF時(shí)、LS變?yōu)镺N之前的死區時(shí)間
從下一篇文章開(kāi)始，將以上述內容為前提展開(kāi)介紹。希望通過(guò)本文大致了解這種SiC MOSFET橋式電路的工作、以及電壓和電流的波形。
（來(lái)源：Rohm）
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