【導讀】在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢是由各種應用中對提高效率和功率密度的需求所推動(dòng)的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強大的解決方案來(lái)滿(mǎn)足這些需求。
在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢是由各種應用中對提高效率和功率密度的需求所推動(dòng)的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強大的解決方案來(lái)滿(mǎn)足這些需求。
在工業(yè)環(huán)境中，內部電壓軌也在向上發(fā)展。這些更高的電壓對于在電機驅動(dòng)、壓縮機和大型HVAC系統等應用中提供更高功率至關(guān)重要。
新興經(jīng)濟體的消費者和工業(yè)部門(mén)快速增長(cháng)，面臨電網(wǎng)不穩定的挑戰。電壓波動(dòng)和線(xiàn)路膨脹（經(jīng)常由于老化基礎設施而加?。﹄娮酉到y構成了重大威脅。
硅器件在高壓環(huán)境中的挑戰
所有功率器件都有定義的操作限制。例如，725 V的硅MOSFET通?？梢园踩ぷ鞯?50 V，并降額到725 V。長(cháng)期暴露在高于725 V的電壓下會(huì )導致雪崩擊穿，導致局部加熱和潛在的結構損壞。電壓尖峰（如閃電襲擊或電源接線(xiàn)錯誤）和電網(wǎng)不穩定導致的線(xiàn)路膨脹可以將這些器件推向極限，導致災難性故障。
PowiGaN技術(shù)在高壓應用中的優(yōu)勢
相比之下，PowiGaN器件不表現出硅器件固有的雪崩擊穿機制。它們的內部級聯(lián)結構和高擊穿電壓（通常是額定電壓的兩倍以上）使它們能夠承受高電壓尖峰和長(cháng)期的線(xiàn)路膨脹。這些器件在電壓尖峰期間會(huì )暫時(shí)增加電阻，稍微降低效率，但能迅速恢復而不會(huì )對性能產(chǎn)生明顯影響。即使在多個(gè)尖峰事件或長(cháng)期膨脹下，PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不會(huì )退化。
PowiGaN在未來(lái)高壓應用中的作用
Power Integrations最近推出的1250 V PowiGaN器件標志著(zhù)一個(gè)重要的進(jìn)步。該器件允許1000 V的操作峰值并具有顯著(zhù)的降額，提供了對電網(wǎng)不穩定和電力干擾的強大保護。這些器件現在正在進(jìn)入傳統上由碳化硅（SiC）器件主導的領(lǐng)域，擴大了它們的應用范圍。
總之，在當前市場(chǎng)中，PowiGaN技術(shù)在面對電網(wǎng)不穩定時(shí)具有顯著(zhù)優(yōu)勢。它確保在不斷擴大的消費市場(chǎng)中提供高質(zhì)量、可靠的產(chǎn)品。此外，PowiGaN的強大級聯(lián)結構和更高電壓應用的潛力使其成為未來(lái)電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵參與者。
文章來(lái)源：PI電源芯片
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