- 柵極電荷體現IGBT的特性
- 如何測量和確定柵極電荷
- 驅動(dòng)器輸出功率和柵極電流
- IGBT驅動(dòng)器的選擇
- 輸入電容CGC和CGE是計算IGBT關(guān)鍵參數
- 柵極導通電壓VG(on)和關(guān)斷電壓VG(off)之差計算刪極-發(fā)射極電壓
- 驅動(dòng)器的最大平均輸出電流必須大于計算值
除功率模塊自身外，電力電子系統中的一個(gè)關(guān)鍵組件是IGBT驅動(dòng)器，它是功率晶體管和控制器之間重要的接口。驅動(dòng)器的選擇及其準確輸出功率的計算決定了轉換器解決方案的可靠性。驅動(dòng)器功率不足或選擇錯誤可能會(huì )導致模塊和驅動(dòng)器故障。以下總結了一些計算用于開(kāi)關(guān)IGBT的驅動(dòng)器輸出性能的方法。
柵極電荷體現IGBT的特性
IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性主要取決于半導體電容（電荷）及內部和外部的電阻。圖1是IGBT電容的示意圖，其中CGE是柵極-發(fā)射極電容、CCE是集電極-發(fā)射極電容、CGC是柵極-集電極電容（或稱(chēng)為米勒電容）。
圖1IGBT的電容
柵極電荷的特性由輸入電容CGC和CGE來(lái)表示，它是計算IGBT驅動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與電壓關(guān)系密切，是IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE的函數。
當在集電極-發(fā)射極電壓非常低時(shí)這種依賴(lài)性大幅提高，電壓高時(shí)依賴(lài)性下降。當IGBT導通時(shí)，IGBT的特性由柵極電荷來(lái)體現。
圖2簡(jiǎn)化的柵極充電波形
圖2顯示了柵極-發(fā)射極電壓VGE、柵極電流IG和相應的集電極電流IC作為時(shí)間的函數，從IGBT導通到飽和這段時(shí)間的簡(jiǎn)化波形。
[page]
正如IG=f(t)圖所示，導通過(guò)程可以分為三個(gè)階段。分別是柵極-發(fā)射極電容的充電，柵極-集電極電容的充電和柵極-發(fā)射極電容的充電直至IGBT全飽和。柵極電流IG對輸入電容進(jìn)行充電，IGBT的導通和關(guān)斷特性由與充電過(guò)程有關(guān)的電壓VGE和VCE來(lái)體現。在關(guān)斷期間，所描述的過(guò)程運行在相反的方向，電荷必須從柵極上移除。
由于輸入電容的非線(xiàn)性，為了計算驅動(dòng)器輸出功率，輸入電容可能只被應用到某種范圍。一種更為實(shí)際的確定驅動(dòng)器輸出功率的方法是利用柵極電荷特性。
如何測量和確定柵極電荷
柵極電荷可以通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)化的測試電路進(jìn)行測量。當柵極電壓VGE用示波器進(jìn)行測量時(shí)，柵極由一個(gè)恒流源（QG=I*t）驅動(dòng)。所確定的柵極電荷曲線(xiàn)（圖3）可被用來(lái)計算驅動(dòng)IGBT所需的每脈沖柵極電荷。
圖3柵極充電特性
總的刪極-發(fā)射極電壓可通過(guò)考慮所施加的柵極導通電壓VG(on)和關(guān)斷電壓VG(off)之差來(lái)進(jìn)行計算。圖3中來(lái)自IGBT數據表的圖表顯示了在正象限和負象限的柵極電荷曲線(xiàn)。如果柵極電荷曲線(xiàn)只在正象限給出，則柵極電荷的幅值可由外插法讀出。即使在沒(méi)有柵極電荷曲線(xiàn)的情況下，通過(guò)使用輸入電容Cies=CGE+CGC這一準確度稍差的方法也能確定柵極電荷。
驅動(dòng)器輸出功率和柵極電流
驅動(dòng)IGBT所需觸發(fā)電路的單獨功率可被視作是預期開(kāi)關(guān)頻率和能量的函數，該能量用于對IGBT進(jìn)行充放電。驅動(dòng)器輸出功率PGD(out)等于電能E乘(VG(on)-?fSW)。E等于柵極電荷乘以導通和關(guān)斷電壓的差值，
對于IGBT驅動(dòng)器電路的另一個(gè)關(guān)鍵要求是要有足夠的電流可用于IGBT輸入電容的充放電，從而導通和關(guān)斷IGBT。柵極電流可用IGBT輸入電容充電（圖4）的方程來(lái)計算。
IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間受IGBT柵極的充放電控制。如果柵極峰值電流增大，則導通和關(guān)斷時(shí)間將變短，且開(kāi)關(guān)損耗減少。
這顯然也影響其他開(kāi)關(guān)參?QG數，如必須被監視的過(guò)電壓應力。柵極充電電流可由柵極電阻RG(on)和RG(off)控制。理論峰值電流可以很容易計算出，
這里，IGBT模塊的內部柵極電阻RG(int)必須加以考慮。而在實(shí)際中，雜散電感使峰值電流小于可能的理論值。在某個(gè)IGBT驅動(dòng)器的數據表中，所給出的最大峰值電流是當柵極電阻為最小值時(shí)的電流。
如果這兩個(gè)最大和最小的范圍都超過(guò)了，其結果是驅動(dòng)器的輸出可能會(huì )受到損害。
圖4IGBT的電容和柵極電流
IGBT驅動(dòng)器的選擇
選取合適的IGBT驅動(dòng)器需要考慮幾點(diǎn)。驅動(dòng)器的最大平均輸出電流必須大于計算值，且驅動(dòng)器的最大柵極峰值電流必須等于或大于最大計算柵極峰值電流。驅動(dòng)器的輸出電容必須能夠提供IGBT柵極充放電所需的柵極電荷。
當選擇一個(gè)合適的驅動(dòng)器時(shí)，驅動(dòng)器數據表中所列出的每脈沖最大電荷必須被充分地考慮到。無(wú)論哪種應用，都可以很容易地通過(guò)使用DriverSel工具來(lái)選擇合適的驅動(dòng)器。
DriverSel是一款免費軟件工具，可從www.semikron.com下載。它基于上述的特點(diǎn)和方程，根據所選擇的IGBT模塊類(lèi)型、并聯(lián)模塊的數量、柵極電阻、開(kāi)關(guān)頻率以及集電極-發(fā)射極電壓計算出合適的IGBT驅動(dòng)器。該工具可用于驅動(dòng)器的計算，任何品牌和IGBT封裝的選擇，以及計算所需的柵極電荷和平均電流。
