中心議題：

• 無(wú)源探頭原理 
• 改善SDRAM信號質(zhì)量

解決方案：

• 串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時(shí)鐘端接策略
• 在原理圖設計中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容
• 無(wú)源探頭在高頻時(shí)阻抗太小，不能準確的測量波形
• 需要使用高帶寬的有源探頭

前個(gè)周末接到了一個(gè)朋友的電話(huà)，詢(xún)問(wèn)我如果內存有問(wèn)題，需要測試哪些項目？對于這個(gè)很常見(jiàn)的問(wèn)題，我習慣性的回答他先測量?jì)却鏁r(shí)鐘和讀寫(xiě)時(shí)序看看，然后結束了通話(huà)。沒(méi)過(guò)一會(huì )，我那朋友又打過(guò)來(lái)，告訴我他遇到一個(gè)怪事，他用探頭點(diǎn)測內存時(shí)鐘時(shí)，系統的程序不卡了，可以順利啟動(dòng)并運行。聽(tīng)到這個(gè)描述，我頓時(shí)感興趣了，開(kāi)始仔細詢(xún)問(wèn)待測試的電路和測試儀器。

待測試的電路板的內存控制器為A公司的ARM架構的MCU，內存為Micron的SDRAM，內存時(shí)鐘頻率為100MHz，測試儀器為某200M帶寬示波器，探頭為示波器標配的無(wú)源探頭。在以往的探頭培訓中，我曾多次給客戶(hù)講探頭的重要性，在我的幻燈片中有以下幾句話(huà)：

在把探頭連接到電路上時(shí)，可能會(huì )發(fā)生下面三種情況：
1. 您可以把實(shí)際波形形狀傳送到示波器屏幕上。
2. 探頭可能會(huì )改變波形形狀，您會(huì )在示波器上觀(guān)察到不同形狀的信號。
3. 您可能會(huì )改變被測設備的運行(良好的設備可能會(huì )開(kāi)始不能正確運行，或反之)

顯然，今天我這位朋友遇到的情況正好滿(mǎn)足第三種的最后三個(gè)字，即探頭使運行異常的設備變正常了。如果這樣的情況能經(jīng)常發(fā)生，想必每位加班debug電路的工程師都可以不再苦惱，只需一個(gè)合適的探頭就可以找到問(wèn)題原因并解決問(wèn)題了。
從無(wú)源探頭的原理來(lái)看，如圖1所示為常見(jiàn)的無(wú)源探頭的簡(jiǎn)化電路圖，通常示波器標配的無(wú)源探頭的直流輸入電阻為10兆歐（探頭的9兆歐與示波器前端1兆歐串聯(lián)），輸入電容為10pf左右，與9兆歐電阻并聯(lián)。當待測試信號的頻率較高時(shí)，容抗隨著(zhù)頻率升高而減小，所以無(wú)源探頭整體的輸入阻抗變小，當頻率為100MHz時(shí)，輸入阻抗為159歐。
回到和朋友的對話(huà)，既然無(wú)源探頭在100MHz時(shí)等效于100多歐的電阻，于是我建議他找個(gè)100歐的電阻并聯(lián)端接到內存芯片的時(shí)鐘上，即時(shí)鐘信號接100歐電阻到地。十多分鐘后，朋友告訴我并聯(lián)100歐電阻后系統正常工作了，可以結束加班了。不過(guò)從示波器僅有的200MHz帶寬來(lái)看，是根本無(wú)法準確測量100MHz的時(shí)鐘信號的，所以，我們約定幾天后把電路板帶到力科深圳的實(shí)驗室用更高帶寬的示波器進(jìn)行測量，這樣可以準確分析端接電阻前后的時(shí)鐘波形。

幾天后，我們在實(shí)驗室重新測試了該系統的時(shí)鐘，測試儀器為SDA816Zi（帶寬16G，采樣率40G），探頭為ZS1500（帶寬1.5GHz）。由于待測試信號頻率僅為100MHz，所以通常1G以上示波器和探頭足以滿(mǎn)足需求（注：對于某些上升時(shí)間很快的時(shí)鐘，比如PCIExpress的100MHz時(shí)鐘，1GHz的帶寬是不夠的，需要更高帶寬的示波器）。下圖2左圖為未作端接時(shí)在SDRAM芯片端測量時(shí)鐘波形，右圖為靠近SDRAM顆粒并聯(lián)100歐電阻后的波形，兩者相比，前者的過(guò)沖高達7.8V，電路板不能正常工作；而后者過(guò)沖較小，電路板可以正常工作。
盡管并聯(lián)了100歐電阻后電路板能正常工作了，但是接收端測量到的峰峰值高達6.2V，對于SDRAM芯片3.3V的工作電壓來(lái)講還是比較大的，長(cháng)期工作可能會(huì )導致內存芯片出問(wèn)題，所以，我們還需改進(jìn)端接策略。在信號完整性書(shū)籍中，通常有串聯(lián)匹配、并聯(lián)匹配、RC網(wǎng)絡(luò )、戴維南網(wǎng)絡(luò )等端接方法，如下圖3所示。相比并聯(lián)匹配，串聯(lián)匹配不用提供DC電流到地或者電源，不會(huì )對輸出的高低電平產(chǎn)生影響，能減小過(guò)沖和EMI，所以我們接著(zhù)嘗試串聯(lián)匹配下的信號質(zhì)量。
由于電路中ARM的MCU輸出的一路100MHz時(shí)鐘要驅動(dòng)兩個(gè)SDRAM芯片，布線(xiàn)上MCU出來(lái)的時(shí)鐘剛出來(lái)就分成兩路后連向兩個(gè)SDRAM的時(shí)鐘引腳，所以我們采用了在兩路時(shí)鐘分支上同時(shí)串聯(lián)100歐電阻加并聯(lián)10pf電容的端接方法。在PCB上割線(xiàn)，焊上電阻和電容后測量的結果如下圖4所示，改進(jìn)后的時(shí)鐘峰峰值為3.44V，波形無(wú)過(guò)沖，信號質(zhì)量良好。電路板系統運行正常。
下圖5所示為只串聯(lián)100歐電阻時(shí)測量到的波形，信號有過(guò)沖，峰峰值為5.35V，偏大，對比圖4的端接方法，串聯(lián)電阻加上并聯(lián)電容是較好的解決方法。
總結：在這個(gè)案例中，我們得到的以下經(jīng)驗：
1、 串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時(shí)鐘端接策略，在原理圖設計中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時(shí)鐘驅動(dòng)能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。
2、 準確的測量?jì)却鏁r(shí)鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無(wú)源探頭在高頻時(shí)阻抗太小，不能準確的測量波形，需要使用高帶寬的有源探頭。