PSMN1R0-30YLC的產(chǎn)品特性：
- Power-SO8封裝
- 擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ
- 超低QG、QGD和QOSS確保了高系統效率
PSMN1R0-30YLC的應用范圍：
- 電子產(chǎn)品
- 隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器
恩智浦半導體NXP SemicONductors N.V.日前發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專(zhuān)門(mén)針對4.5V開(kāi)關(guān)應用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專(zhuān)門(mén)針對高性能DC-DC轉換應用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。
特性和優(yōu)勢：
針對4.5V柵極驅動(dòng)的低RDSon而專(zhuān)門(mén)優(yōu)化的先進(jìn)NextPower技術(shù)
Power-SO8封裝確保高可靠性，溫度最高可達175℃
超低QG、QGD和QOSS確保了高系統效率
PSMN1R0-30YLC現已開(kāi)始供貨。
PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款產(chǎn)品，全系列產(chǎn)品將在未來(lái)幾個(gè)月中陸續推出。
積極評論：
恩智浦半導體Power MOSFET營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Charles Limonard表示：“恩智浦NextPower系列MOSFET將幫助設計者實(shí)現高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開(kāi)發(fā)和創(chuàng )新，并不斷改善導通電阻RDSon、開(kāi)關(guān)速度和熱效率等關(guān)鍵參數，從而推出具有業(yè)界領(lǐng)先水平的MOSFET器件。”
Limonard還表示，“PSMN1R0-30YLC具有領(lǐng)先于同類(lèi)器件的超低RDSon，可顯著(zhù)降低功耗；這反過(guò)來(lái)能提高新一代電子產(chǎn)品的能效，使能效等級更高，尺寸更小”。
鏈接
采用LFPAK封裝的N溝道30 V 1.15 mΩ 邏輯電平MOSFET－PSMN1R0-30YLC數據手冊和產(chǎn)品信息：http://www.nxp.com/pip/PSMN1R0-30YLC.html
