新聞事件：

• 第七/八屆新型節能設計技術(shù)研討會(huì )成功舉辦

事件影響：

• 知名廠(chǎng)商技術(shù)專(zhuān)家全面介紹電子元器件在新能源領(lǐng)域的應用

由CNT Networks、中國電子展組委會(huì )和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節能設計技術(shù)研討會(huì )成功舉辦。本屆研討會(huì )成都站活動(dòng)于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦；8月25日移師西安曲江國際會(huì )展中心，與中國（西安）電子展同期舉行。來(lái)自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術(shù)專(zhuān)家全面介紹了包括超快恢復二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內的電子元器件在太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車(chē)、工業(yè)與通訊等領(lǐng)域中的應用。

第七/八屆新型節能設計技術(shù)研討會(huì )是2011西部電子論壇期間重要的活動(dòng)，本屆西部電子論壇共吸引了1000多名專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾，有超過(guò)400名觀(guān)眾參加了新型節能設計技術(shù)研討會(huì )。

研討會(huì )詳情，請點(diǎn)擊：http://www.zzmyjiv.cn/seminar

新型節能設計技術(shù)研討會(huì )已經(jīng)成功舉行了六屆，每一屆都吸引了大量的研發(fā)工程師和技術(shù)管理人員的參與。“能源危機與氣候變化提升了節能減碳的重要性，新能源越發(fā)成為關(guān)注熱點(diǎn)，各國政府也出臺了相應的法規。我們希望通過(guò)節能設計技術(shù)研討會(huì )幫助工程師了解政府節能減碳以及新能源領(lǐng)域的政策法規，通過(guò)介紹新產(chǎn)品新技術(shù)，提升產(chǎn)品的競爭力。” CNT Networks CEO劉杰博士說(shuō)。

“新能源的利用和電子節能技術(shù)的應用，迎合了當下節能減碳的訴求，節能減碳和新能源利用將為電子信息產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機遇。”中電會(huì )展與信息傳播有限公司（中國電子展主辦方）董事長(cháng)陳雯海說(shuō)。

研討會(huì )中，技術(shù)廠(chǎng)商展示的系列新技術(shù)和解決方案引人關(guān)注。

威世專(zhuān)場(chǎng)元器件技術(shù)講座聚焦新能源利用與節能設計

新能源利用與節能設計備受關(guān)注，威世公司（Vishay）在兩地的新型節能設計技術(shù)研討會(huì )上開(kāi)展專(zhuān)場(chǎng)元器件技術(shù)講座，講解電容、MOSFET、電源管理、二極管與功率模塊、光耦在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源中的應用。

Vishay二極管部門(mén)亞洲地區市場(chǎng)部技術(shù)工程師魏武介紹了二極管和電源模塊在太陽(yáng)能及工業(yè)領(lǐng)域中的應用，包括低正向壓降的45V TMBS肖特基二極管在太陽(yáng)能接線(xiàn)盒用作旁路二極管，以及用在不同類(lèi)型太陽(yáng)能逆變器中的逆變電源模塊、FRED® Pt超快二極管和晶閘管。

Vishay 光電子部門(mén)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Jose Espina與Vishay光電子部門(mén)產(chǎn)品應用經(jīng)理陸驍聯(lián)合介紹了使用光耦合器來(lái)改進(jìn)系統設計的技巧，包括如何用光耦合器大幅提高現有系統的性能，以及對危及人身安全的電壓級別提供安全隔離。

Vishay Siliconix 高級區域市場(chǎng)經(jīng)理唐建忠介紹了Vishay Siliconix的高、中、低壓MOSFET的晶圓制造和封裝技術(shù)，以及UPS、通信和替代能源應用中的電源管理問(wèn)題。

Vishay 電容器部門(mén)區域市場(chǎng)經(jīng)理黃勇介紹了Vishay電容器在軍工和替代能源應用中的使用包括DC-link薄膜電容器、鋁101/102 PHR-ST系列高可靠性鉭電容器和高可靠性的MLCC器件。
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凌力爾特展示能量捕獲與轉化IC

除了依靠太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電來(lái)獲取能量外，依靠溫度差或振動(dòng)也可獲取能量，例如煙囪里的溫度差，電梯的機械振動(dòng)。收集來(lái)自溫差裝置、機械振動(dòng)產(chǎn)生的能量可完全免除增設有線(xiàn)電源或電池的需要?，F在，眾多的無(wú)線(xiàn)傳感器、遠程監視器和其他低功率應用正在使用這種能量收集技術(shù)作為電源。本屆研討會(huì )中，凌力爾特應用技術(shù)工程經(jīng)理盧志豪介紹了新型模擬 IC 解決方案，該方案可從多種“免費”能源對能量進(jìn)行收集。置于能源之上的合適換能器負責提供一個(gè)電信號，此IC對其進(jìn)行轉換，并通過(guò)調理使之成為可用功率，以在使用極少外部組件的情況下提供高效功率轉換。

基美電子聚合物鉭電容可替代傳統鉭電容

基美電子市場(chǎng)部總監陳文全介紹了工作溫度可達200℃的MLCC，適用于新能源汽車(chē)和鉆井?？商娲g電容的高頻響應Low ESR 聚合物電容、高可靠度軍用級聚合物電容、薄膜及電解電容適合在新能源汽車(chē)、太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電和照明領(lǐng)域應用。

羅姆重點(diǎn)推介SiC器件效率高、耐高溫

SiC功率器件是一種新型功率器件，SiC的導通電阻只有Si的1/5，開(kāi)關(guān)速度高，在250度高溫可正常工作，適用于太陽(yáng)能發(fā)電，風(fēng)力發(fā)電等的DC/AC轉換器。羅姆已經(jīng)量產(chǎn)了SiC制SBD、DMOS，正在推進(jìn)新一代SiC制Trench MOS的開(kāi)發(fā)。而且，羅姆成功地進(jìn)行了高速、高溫工作的SiC功率模塊的試制。同時(shí)，羅姆計劃將推出采用了SiC-MOSFET和SiC二極管的FULL SiC POWER MODULE（全SiC功率模塊）產(chǎn)品。羅姆株式會(huì )社新材料元件研發(fā)中心經(jīng)理中村孝與工程師陳彬在西安站介紹了羅姆SiC的性能與研發(fā)應用狀況。

羅姆無(wú)需電解電容的LED驅動(dòng)IC BD555成為亮點(diǎn)

羅姆半導體（深圳）有限公司設計中心LED照明中國區高級工程師潘少聰在成都站介紹了羅姆無(wú)需電解電容的LED驅動(dòng)IC BD555，該IC兼容Triac調光、PWM調光和線(xiàn)性調光。BD555集成了照明專(zhuān)用的數字邏輯控制模塊，無(wú)需增加外圍元件即可實(shí)現LED恒流。

英飛凌科技IGBT模塊實(shí)現高功率密度設計，優(yōu)化太陽(yáng)能逆變器設計

英飛凌工業(yè)功率器件部高級應用工程師趙振波介紹了應用IGBT模塊實(shí)現高功率密度的設計要求。首先，IGBT器件處于安全工作區無(wú)疑是選型和應用的基本要求，也是高功率密度設計的基礎。通常高功率密度意味著(zhù)系統工作點(diǎn)將更靠近IGBT的安全工作區的邊緣。其次，高功率密度將帶來(lái)在有限的冷卻面積下更大的功耗，熱設計和管理是至關(guān)重要，改善冷卻條件，增加輸出電流。最后，功率循環(huán)周次和熱循環(huán)周次作為可靠性和使用壽命的主要指標，在高功率密度條件下如何考慮，趙振波結合CAV應用和風(fēng)能的應用加以說(shuō)明和解釋。

最后，來(lái)自品佳電子的工程師楊龍和彭裔天介紹了目前主流太陽(yáng)能逆變器拓撲結構以及這些拓撲結構中英飛凌半導體功率器件IGBT，MOSFET，SIC Diode的運用。

經(jīng)過(guò)三年的運作，新型節能設計技術(shù)研討會(huì )，已經(jīng)成為中國新能源與高能效設計領(lǐng)域的重要技術(shù)論壇，每年覆蓋深圳、上海、成都和西安等電子行業(yè)重鎮，成為中國電子行業(yè)備受關(guān)注的技術(shù)盛會(huì )。