【導讀】TriQuint推出四款新放大器，采用創(chuàng )新封裝來(lái)簡(jiǎn)化組裝，它令制造商更易于通過(guò)將半導體FET或MMIC放大器放在均熱器上來(lái)處置晶粒級器件和組裝元件。是用于點(diǎn)對點(diǎn)微波無(wú)線(xiàn)電和極小口徑終端 (VSAT) 等商業(yè)應用的理想選擇。
技術(shù)創(chuàng )新的射頻解決方案領(lǐng)導廠(chǎng)商TriQuint半導體公司，推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT 射頻功率放大器模塊，提供高輸出功率、增益及效率，覆蓋頻率范圍為6-38 GHz。 其中每款新放大器的封裝都更方便進(jìn)行組裝，包括支持多層印刷電路板布局的設計。TriQuint新的放大器是用于點(diǎn)對點(diǎn)微波無(wú)線(xiàn)電和極小口徑終端 (VSAT) 等商業(yè)應用的理想選擇。
這四款新放大器包括：TGA2502-GSG（3.6W [CW]，13-16 GHz，適用于VSAT系統）；TGA2575-TS（3W [CW]，32-38 GHz，適用于通信系統）；TGA2704-SM（7W [CW]，9-11 GHz，適用于微波無(wú)線(xiàn)電）以及TGA2710-SM（7W [CW]，9.5-12 GHz，亦適用于微波無(wú)線(xiàn)電）。
TGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab產(chǎn)品系列的最新成員，它令制造商更易于通過(guò)將半導體FET或MMIC放大器放在均熱器上來(lái)處置晶粒級器件和組裝元件。 通過(guò)真空回流焊工藝建立晶粒和基礎之間的焊接。 這些焊接幾乎無(wú)空隙且熱穩定性很高。 TGA2575-TS和所有die-on-tab產(chǎn)品都在工廠(chǎng)進(jìn)行嚴格檢驗，來(lái)提供全面質(zhì)量保證和更高的有效產(chǎn)率。
技術(shù)規格： 新封裝砷化鎵pHEMT解決方案，如下表：
