賽普拉斯半導體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線(xiàn)適配器（HBA）中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM）。nvSRAM為SAS HBA帶來(lái)高速度、低電壓、無(wú)故障的存儲器，提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個(gè)原因是它可工作在不同的電壓下，而且廣受媒體好評。

 

 

圖1：LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲器

 

LSI近期發(fā)布的LSI® SAS 9300 HBA系列產(chǎn)品是業(yè)界首款用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲系統的12Gb/s SAS HBA解決方案。該系列的產(chǎn)品可加快存儲速度，專(zhuān)為諸如交易數據庫、Web 2.0、數據挖掘、視頻流媒體及編輯等場(chǎng)合的高性能應用而設計。

 

賽普拉斯并行nvSRAM的存取時(shí)間可快至25ns， 是市場(chǎng)上最快的異步非易失性RAM。nvSRAM還具有無(wú)限次讀寫(xiě)和恢復和20年的數據保存能力，對于需連續高速數據寫(xiě)入和絕對非易失性數據安全且無(wú)需備用電池的應用，這一產(chǎn)品是非常理想的選擇。

 

LSI高級市場(chǎng)總監Robin Wagner說(shuō)：“隨著(zhù)數據中心對存儲量管理要求的不斷提升，對12Gb/s SAS的需求隨之增長(cháng)。我們曾成功地運用過(guò)廣受媒體贊譽(yù)的nvSRAM，完全能滿(mǎn)足我們LSI 9300系列產(chǎn)品的嚴苛要求。并行nvSRAM的靈活性能夠接受3V以下的工作電壓，從而簡(jiǎn)化了產(chǎn)品設計流程，加速我們產(chǎn)品的上市進(jìn)程。”

 

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監Rainer Hoehler說(shuō)：“我們很高興存儲界的領(lǐng)先者LSI采用我們的并行nvSRAM產(chǎn)品。這一產(chǎn)品應用于業(yè)界首款12Gb/s解決方案，充分證明了其不同凡響的速度和可靠性。”

 

并行nvSRAM系列產(chǎn)品有從256kb到8Mb的多種配置可供選擇，并可工作在工業(yè)溫度范圍內，擁有業(yè)界標準的封裝方式，如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及 54-TSOPII等。欲了解更多關(guān)于賽普拉斯nvSRAM產(chǎn)品的信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)如下網(wǎng)址：www.cypress.com/go/NVM。

 

賽普拉斯的nvSRAM采用SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲器制造工藝。nvSRAM非常適合需要高性能和絕對非易失性數據安全的應用，如RAID系統、PLC、工業(yè)數據日志、計算和網(wǎng)絡(luò )系統、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機、服務(wù)器和交換機、航空電子、軍用系統，以及游戲系統等。

 

賽普拉斯是SONOS制造工藝的領(lǐng)先者，其旗艦產(chǎn)品PSoC®混合信號陣列、可編程時(shí)鐘及其他產(chǎn)品均采用這一工藝制造。SONOS與標準的CMOS技術(shù)兼容，還具有多種優(yōu)勢，例如長(cháng)壽命、低功耗和抗輻射。SONOS技術(shù)在賽普拉斯自己的工廠(chǎng)和多個(gè)合作伙伴的工廠(chǎng)中同時(shí)采用。與其他基于磁技術(shù)的非易失性存儲技術(shù)相比，這一工藝在規模和可制造性方面擁有顯著(zhù)的優(yōu)勢。賽普拉斯已發(fā)運了超過(guò)10億片采用與nvSRAM中相同的SONOS工藝制造的產(chǎn)品。