【導讀】可控硅在電路設計中屬于最基礎的元件,可控硅質(zhì)量的優(yōu)劣關(guān)系到系統運行是否安全可靠。所以要在電路設計之前,判斷可控硅的性能質(zhì)量的優(yōu)劣。本文就教你如何判定可控硅質(zhì)量,四種方法輕松搞定。
判斷一個(gè)可控硅元件是否完好,工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查,首先是判斷該元件的三個(gè)PN結應完好,其次是當陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導通,第三是當控制極開(kāi)路時(shí),陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí),可控硅應當導通,把控制極電流去掉后仍處于導通狀態(tài)。滿(mǎn)足以上四個(gè)條件的可控硅元件,才是符合設計使用要求的。
想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求,其實(shí)非常簡(jiǎn)單,只需要用萬(wàn)用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對前三個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個(gè)阻值均應很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無(wú)窮大,說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路,此可控硅不能使用了。
接下來(lái)需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測陽(yáng)極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無(wú)窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經(jīng)損壞。反向阻值應很大,但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽(yáng)極,紅表筆仍接陰極,此時(shí)萬(wàn)用表指針應不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng),黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆,陰極接紅表筆時(shí),萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉,說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。
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