- 探究3G手機顯示屏和照相機模塊的ESD保護
- 接口設計將面臨更嚴重的ESD、EMI問(wèn)題
- 開(kāi)發(fā)了高速串行總量技術(shù)
- 采用意法半導體(ST)的方案
豐富多媒體業(yè)務(wù)推動(dòng)3G手機中LCD顯示屏和照相機的分辨率走上一個(gè)又一個(gè)新臺階。不過(guò)，將顯示屏和照相模塊連接到基帶電路或者多媒體處理器之間的接口設計將面臨更嚴重的ESD、EMI問(wèn)題。下面討論的來(lái)自意法半導體(ST)的方案將有助于解決這個(gè)問(wèn)題。
為解決這些問(wèn)題，有些顯示器廠(chǎng)商、半導體廠(chǎng)商和相機模塊廠(chǎng)商都開(kāi)發(fā)了高速串行總量技術(shù)來(lái)幫助設計工程師從繁雜的并行總線(xiàn)設計中解脫出來(lái)。
根據串行總線(xiàn)的信號傳輸速度選擇TVS二極管是設計高效ESD保護功能的關(guān)鍵之一?；旧?，信號的數據傳輸速率越高，ESD保護二極管的電容就要求越低。因此，必須把保護組件在電流信號上產(chǎn)生的干擾降至最低。這與TVS二極管的寄生電容有直接的關(guān)聯(lián)。
兩條數據線(xiàn)路之間的差分電容均衡性是設計人員必須考慮的另一個(gè)特性。因此設計人員可以給電容參數差量極小的數據線(xiàn)路設計極其相似的組件。這是硅二極管的一個(gè)十分顯著(zhù)的優(yōu)點(diǎn)，因為變阻器的電容偏差大約10%到20%。
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在某情況下，ESD問(wèn)題并不是工程師要解決的唯一問(wèn)題。因為手機發(fā)射和傳送RF信號時(shí)，很多電子組件受到RF輻射，因此，必須抑制RF輻射以保護正常的工作。甚至在某些情況下，某些IC自己也會(huì )產(chǎn)生RF輻射以及射頻干擾。
LCD或相機模塊都會(huì )容易受到脈沖的攻擊，產(chǎn)生能夠聽(tīng)見(jiàn)的噪聲或可以看見(jiàn)的屏幕抖動(dòng)。這就是在設計手機時(shí)強烈推薦EMI濾波器的原因。在某種意義上，EMI輻射抑制已成為下一代手機如多頻手機或3G手機的關(guān)鍵問(wèn)題，因為現有解決方案即將達到技術(shù)極限。
