【導讀】早在4年前，宜特就開(kāi)始研究WLCSP第一代FIB電路修補技術(shù)，當年不僅入選國際材料工程與科學(xué)協(xié)會(huì )(ASM)所舉辦的ISTFA論壇，更通過(guò)材料科學(xué)期刊(jMS)的審核，成為該論文的期刊文章...

 

近日，宜特利用獨特前處理工法，研發(fā)出第二代WLCSP(Wafer-level chip scale package，晶圓級芯片尺寸封裝)電路修補解決方案，可以更有效縮短工時(shí)，提升電路修補成功率。

 

宜特第一代WLCSPFIB電路修補技術(shù)，也從研發(fā)階段，走向開(kāi)案階段，成功協(xié)助多家電源管理、模擬、多媒體IC設計與手機芯片業(yè)者，縮短產(chǎn)品驗證及除錯的時(shí)程，使產(chǎn)品可順利上市。

 

今年更再接再厲，開(kāi)發(fā)獨特WLCSP電路修補前處理工法，非常榮幸獲得IEEE半導體故障分析領(lǐng)域最高殿堂IPFA(International Symposiumonthe Physical and Failure Analysisof Integrated Circuits,集成電路失效分析論壇)，邀請宜特發(fā)表WLCSP第二代FIB電路修補解決方案。

 

宜特科技材料分析與FIB工程部經(jīng)理陳聲宇博士表示，WLCSP意指在晶圓切割前，利用錫球來(lái)形成接點(diǎn)，直接在晶圓上完成IC封裝的技術(shù)，比起傳統打線(xiàn)封裝，可有效縮減封裝體積;面對穿戴式、智能手持式裝置輕薄化的趨勢，具有面積最小、厚度最薄等特征的WLCSP封裝方式，也受到越來(lái)越多廠(chǎng)商采用。

 

“然而此封裝形式的IC產(chǎn)品，在進(jìn)行FIB線(xiàn)路修補時(shí)將面臨到兩大挑戰，一是IC下層的電路，絕大部分都會(huì )被上方的錫球與RDL(RedistributionLayer,線(xiàn)路重布層)給遮蓋住，這些區域在過(guò)往是無(wú)法進(jìn)行線(xiàn)路修補的。二是少數沒(méi)有遮蓋到的部分，也會(huì )因上方較厚的Organic Passivation(有機護層)，大大增加線(xiàn)路修補的難度與工時(shí)。”陳聲宇進(jìn)一步指出。

 

宜特今年所研發(fā)出的第二代WLCSP電路修補技術(shù)，已為此類(lèi)產(chǎn)品帶來(lái)解決方案，透過(guò)獨特的前處理工法，任何在錫球、RDL、或有機謢層下方的區域，都能順利完成電路修補(參見(jiàn)下圖);比起利用宜特第一代使用導電電子連接金屬導線(xiàn)的線(xiàn)路修補接合方法，施工工時(shí)大幅縮短一半，良率提升一倍。

 

圖說(shuō):透過(guò)獨特的前處理工法，任何被錫球(site-3)、RDL(site-2)、或有機謢層(site-1)遮蓋的區域都能順利完成FIB線(xiàn)路修補。

 

宜特研發(fā)技術(shù)與設備能量的升級，將可協(xié)助使用先進(jìn)封裝的IC設計者，在電路驗證、偵錯、失效分析上更直接、靈活且快速，加速產(chǎn)品上市時(shí)間(Time-to-market)。

 

除了在先進(jìn)封裝產(chǎn)品上的研發(fā)成果，宜特在先進(jìn)制程上的技術(shù)進(jìn)展也不停歇，日前引進(jìn)了業(yè)界具有極佳分辨率及穩定度的FEIV400ACEFIB機臺，能成功執行16nm制程IC的線(xiàn)路修補。