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壓敏電阻技術(shù)全解析與選型的專(zhuān)業(yè)指南
壓敏電阻（Varistor，Voltage Dependent Resistor）是一種電壓敏感型非線(xiàn)性電阻器，核心材料為氧化鋅（ZnO）陶瓷摻雜Bi?O?、Co?O?等金屬氧化物。其電阻值隨外加電壓呈指數級變化，具備雙向對稱(chēng)的伏安特性，主要功能為過(guò)電壓保護。
2025-05-11
壓敏電阻
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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現單片集成雙向開(kāi)關(guān)
氮化鎵（GaN）單片雙向開(kāi)關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導通，反向電流需依賴(lài)體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現第三象限傳導。這種被動(dòng)式反向導通不僅缺乏門(mén)極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實(shí)現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B...
2025-05-11
氮化鎵 單片雙向開(kāi)關(guān) 功率器件
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BMS開(kāi)路檢測新突破：算法如何攻克電芯連接故障識別難題？
噪聲敏感器件的功耗不斷提高。醫療超聲成像系統、5G收發(fā)器和自動(dòng)測試設備(ATE)等應用需要在面積較小的PCB上實(shí)現高輸出電流(>5 A)、低噪聲水平和高帶寬。由于對輸出電流的需求較高，以前使用的傳統雙級（降壓+低壓差(LDO)穩壓器）解決方案需要的PCB面積較大，導致功耗較高，因此不太受歡迎。
2025-05-11
BMS電路 電芯連接
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功率電阻從原理到選型的工程實(shí)踐指南
功率電阻是專(zhuān)用于高功率電路的能量耗散器件，其設計基準以熱管理為核心。
2025-05-11
功率電阻
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薄膜電阻技術(shù)深度解析與產(chǎn)業(yè)應用指南
薄膜電阻（Thin Film Resistor）通過(guò)物理/化學(xué)氣相沉積（PVD/CVD）工藝，在陶瓷基板（Al?O?或AlN）表面形成納米級（50-250nm）金屬或合金薄膜（如NiCr、TaN）。
2025-05-10
薄膜電阻
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雙脈沖測試系統如何確保晶體管性能可比較性
在電源轉換器設計中，為確保電源晶體管的性能評估準確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導體供應商提供的數據表應包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測試，實(shí)現使寄生蟲(chóng)保持較小且從系統之間保持一致的挑戰。本...
2025-05-10
雙脈沖測試系統 動(dòng)態(tài)特征
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金屬膜電阻技術(shù)解析與產(chǎn)業(yè)應用指南
金屬膜電阻（Metal Film Resistor）是在高純度陶瓷基板（通常為Al?O?）表面，通過(guò)真空沉積工藝形成鎳鉻合金（NiCr）或氮化鉭（TaN）薄膜，再經(jīng)激光微調達到目標阻值的精密電阻器。
2025-05-09
金屬膜電阻
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線(xiàn)繞電阻技術(shù)解析與選型策略
線(xiàn)繞電阻作為功率型電阻的典型代表，采用電阻合金線(xiàn)（如鎳鉻、錳銅）繞制于陶瓷或云母基體，通過(guò)精密焊接與封裝工藝制成。
2025-05-09
線(xiàn)繞電阻
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芝識課堂——運算放大器（二），在使用之前有哪些注意事項？
運算放大器具有高增益能力，其增益取決于頻率（如圖1），并受溫度和其它環(huán)境條件的影響。在實(shí)際市場(chǎng)應用場(chǎng)景中，東芝能夠提供品種廣泛的運算放大器，包括適用于放大物聯(lián)網(wǎng)設備中各種傳感器的小信號的低噪聲運算放大器，有助于物聯(lián)網(wǎng)設備長(cháng)期運行的超低電流消耗運算放大器，和I／O全系列（I／O軌對軌...
2025-05-08
運算放大器
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