產(chǎn)品特性：
- 低的導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗
- 開(kāi)關(guān)頻率高
- 30V（BVDSS）器件
- 采用DPAK和IPAK封裝
應用范圍：
- 筆記本電腦
- 服務(wù)器
- 電信設備
- 網(wǎng)絡(luò )系統
意法半導體推出兩款適用于直流—直流轉換器的全新功率MOSFET（金屬互補氧化物場(chǎng)效應晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用ST最新版STripFET制造技術(shù)，擁有極低的導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，在一個(gè)典型的穩壓模塊內，兩種損耗的減少可達3瓦。新產(chǎn)品實(shí)現了低的品質(zhì)因數：FOM = 導通電阻Rds(on) x柵電荷量（Qg）。
除高能效外，新款MOSFET準許實(shí)際電路的開(kāi)關(guān)頻率高于正常開(kāi)關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無(wú)源器件的尺寸。例如，把電路的開(kāi)關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無(wú)源器件的尺寸就可以縮小10%。
STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的頭兩款產(chǎn)品，因為導通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30V（BVDSS）器件。因為柵電荷量（Qg）僅為8.8nC（納庫化），在10V電壓時(shí)，導通電阻Rds（on）為7.2毫歐，所以STD60N3LH5是非隔離直流—直流降壓轉換器中的控制型場(chǎng)效應晶體管的理想選擇。在10V電壓時(shí)，導通電阻Rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nC，因此STD85N3LH5是同步場(chǎng)效應晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品都采用DPAK和IPAK封裝，不久還將推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK®封裝的產(chǎn)品。新系列STripFET V產(chǎn)品最適合應用于筆記本電腦、服務(wù)器、電信設備和網(wǎng)絡(luò )系統。
ST的STripFET技術(shù)利用非常高的等效單元密度和更小的單元特征尺寸來(lái)實(shí)現極低的導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)硅面積占用率較低。STripFET V是最新一代的STripFET技術(shù)，與上一代技術(shù)相比，硅阻和活動(dòng)區的關(guān)鍵指標改進(jìn)大約35%，單位活動(dòng)區內的柵電荷總量降低25%。
