產(chǎn)品特性：
- 采用MICRO FOOT芯片級封裝
- 1.2mm×1.0mm 的超小占位面積
- 1.2 V 時(shí)0.084 ?的低導通電阻范圍
應用范圍：
- 手機、PDA、
- 數碼相機、MP3 播放器
- 智能電話(huà)
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導通電阻。
隨著(zhù)便攜式電子設備的體積越來(lái)越小，以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì )極大減少。為實(shí)現消費者對電池充電間隔間的電池運行時(shí)間的期望，設計人員需要具有低功耗的更小 MOSFET 封裝 — 這恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB所具有的特點(diǎn)。
憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面積，Si8445DB比業(yè)界大小僅次于它的器件小20%，同時(shí)具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB具有 1.2V VGS時(shí) 0.495?～4.5V VGS時(shí) 0.084 ?的低導通電阻范圍。1.2 V 時(shí)的低導通電阻額定值降低了對電平位移電路的需求，從而節約了便攜式電子設計中的空間及功率。
該新器件的典型應用將包括手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話(huà)等便攜式設備中的低閾值負載開(kāi)關(guān)、充電器開(kāi)關(guān)及電池管理。
目前，該新型 MICRO FOOT 芯片級功率 MOSFET 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
