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FDMA1024NZ/410NZ:飛兆便攜應用高效MicroFET MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-03-24

產(chǎn)品特點(diǎn):FDMA1024NZ/410NZ:飛兆推出用于便攜應用的高效MicroFET MOSFET

  • 采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝
  • 兩款產(chǎn)品均可確保在VGS低至1.5V時(shí)達到RDS(ON)額定值

應用領(lǐng)域:

  • 適用于鋰離子或原電池應用
  • 手機、電動(dòng)牙刷和須刨

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件,可為手機、電動(dòng)牙刷和須刨等應用延長(cháng)電池壽命。

這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝,適用于空間受限的應用,提供出色的功耗和超低RDS(ON) ,能大大延長(cháng)電池的壽命,這些高效MicroFET MOSFET有助于應對現今功能豐富的便攜式應用所對的功耗挑戰。

FDMA410NZ為便攜產(chǎn)品設計人員提供了業(yè)界最低的RDS(ON),4.5V時(shí)為23 m?,采用纖細 2mm x 2mm封裝,兩款產(chǎn)品均可確保在VGS低至1.5V時(shí)達到RDS(ON)額定值,適用于鋰離子或原電池應用。

飛兆半導體性能先進(jìn)的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)可實(shí)現非常低的RDS(on)、總柵極電荷(QG) 和米勒電荷(QGD),從而獲得出色的開(kāi)關(guān)性能和熱效率。相比傳統的MOSFET封裝,其先進(jìn)的MicroFET封裝提供了卓越的功耗和傳導損耗特性。

飛兆半導體提供業(yè)界最廣泛的高熱效、超緊湊、薄型2mm x 2mm器件,適合各種低功耗應用。這些易于使用、高性能、而且節省空間的MOSFET是低壓開(kāi)關(guān)、功率管理和電池充電系統的理想選擇。

價(jià)格 (訂購1000個(gè),每個(gè)) :  
每個(gè)FDMA1024NZ器件為0.42美元
每個(gè)FDMA410NZ器件為0.38美元

供貨: 現提供樣品

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