電子元件技術(shù)網(wǎng)主辦的新型節能技術(shù)研討會(huì )取得了圓滿(mǎn)成功，來(lái)自華為、中興、比亞迪、大族精密機電、創(chuàng )維、航盛電子等整機廠(chǎng)商的工程師與采購經(jīng)理，圍繞電源效率的提升、功率器件、電源模塊的選型以及光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展的話(huà)題，與演講嘉賓進(jìn)行了熱烈的互動(dòng)。以下是部分精彩問(wèn)答的摘錄。
問(wèn)題一：我想問(wèn)一下關(guān)于光伏發(fā)電的，您剛才提到3.3元/千瓦，風(fēng)電是0.55元，您預期多長(cháng)時(shí)間光伏發(fā)電可以降到風(fēng)能一樣的水平？
理察森：現在光伏發(fā)電主要用硅，硅是很貴的，我們的發(fā)展方向是用非硅的薄膜，如果把玻璃上鍍一層膜，就可以把太陽(yáng)光轉化為電能，這樣就很便宜的。這是一個(gè)長(cháng)遠的發(fā)展，一方面硅太緊缺，將來(lái)硅的用量沒(méi)那么緊缺，就會(huì )便宜一些。還有技術(shù)會(huì )繼續進(jìn)步，發(fā)展起來(lái)以后，國家就不用把用于環(huán)境改善、用于社會(huì )健康的錢(qián)補貼光伏，不用補貼也可以發(fā)展起來(lái)，我相信不會(huì )太遠，我相信3年-5年吧。
問(wèn)題二：請問(wèn)SynQor的軍用電源模塊可以賣(mài)給中國嗎？
SynQor：關(guān)于軍品我說(shuō)一下，實(shí)際上很多人都關(guān)注軍品，剛剛美國國會(huì )把我們從ITAR拿出來(lái)，對我們來(lái)說(shuō)可以正大光明賣(mài)軍品電源給中國，當然我們用在非常敏感的地方，但你可以不告訴我。
問(wèn)題三：我想請教一下，輸出電壓在輸入電壓范圍的中間，就是說(shuō)輸入電壓可能會(huì )低于輸出電壓，也可能高于輸出電壓，在這種情況下采用兩級還是一級？
SynQor：輸出電壓一般都是比輸入電壓要低，我們也是采用兩級的，就是輸入電壓是3.3V，輸出電壓比輸入電壓低，那中間就是12V了，通過(guò)12V轉為3.3V處理就可以，我們現在所說(shuō)的模塊就是輸出電壓比輸入電壓低。
提問(wèn)：就是把電壓調整到比輸出時(shí)候還要高？
SynQor：對。
問(wèn)題四：你剛才介紹的Trench工藝在二極管里面可以耐壓到200V，請問(wèn)Vishay的Trench工藝的MOSFET上，耐壓可以達到多少？
Vishay：Trench工藝最早應用于MOSFET，后面應用于肖特基來(lái)提升效率，Trench技術(shù)在Vishay的MOS管有很多應用，現在有很多代，Vishay之前在低壓領(lǐng)域，是市場(chǎng)最大的，我們MOS管的市場(chǎng)占有率是15%。2007年從之前的國際整流器IR收購高壓MOS產(chǎn)品線(xiàn)，我們的MOS管從最低壓到高壓有非常全的產(chǎn)品線(xiàn)，同時(shí)我們會(huì )發(fā)布很多的產(chǎn)品。大多數的新產(chǎn)品都是Trench的工藝。
問(wèn)題五：我想問(wèn)一下二極管進(jìn)行選型的時(shí)候，對平均電流選擇還有能夠耐受的最大電流，怎樣進(jìn)行折中？比方說(shuō)一根二極管，在實(shí)際應用的時(shí)候到底應該平均電流是多大？還有擊穿電壓的問(wèn)題，要留多少裕度？
Vishay：這是一個(gè)應用方面的問(wèn)題，針對二極管方面，最重要的熱的考慮，我們的DATASHEET里面會(huì )標出TC的溫度，最大能承受的溫度。TC其實(shí)代表里面的TG，這個(gè)東西不好測量，我們給了一個(gè)更直觀(guān)的東西，我們建議溫度不要超過(guò)case溫度，在應用中不超過(guò)case溫度的應用都可以保證，因為我們保證的是在應用中junction不會(huì )高。
問(wèn)題六：損壞是由于熱損壞嗎？
Vishay：如果二極管溫度非常高，那就是熱損壞。另外是電壓方面，電壓方面，不同的公司有不同的應用，多少都有一些不同，100V的肖特基，有些用到90、有些用到80，大家很難估計，有些在短路情況下二極管的反向電壓突然高起來(lái)，平時(shí)80V會(huì )到150V，都會(huì )有，150V的被打死。新型的第五代產(chǎn)品就會(huì )避免這個(gè)問(wèn)題，因為這個(gè)產(chǎn)品在150V的反向電壓上面加150V的電壓，加到100V的二極管上面，我們測算能承受最高的能量，發(fā)現比以前的產(chǎn)品提升3倍以上，在DATASHEET上你們可以看到EAS，就是Trench能量值。EAS低于所有能承受量值都是OK的。
還有，本身我們給了很多的裕量，針對不同的肖特基裕量不一樣，舉一個(gè)例子，第五代產(chǎn)品breakdown在117以上，就是圍繞120，規格書(shū)的只標到100，本身就有20V的預量，用到100V沒(méi)有問(wèn)題。這是針對不同的產(chǎn)品線(xiàn)，100V有些只能做到105左右。根據不同的廠(chǎng)商對產(chǎn)品的定位，這里面涉及到，你想做到很高效率，就要做到VF很低，VF和breakdown不能同時(shí)達到，越高的breakdown,VF越高，因為你的硅片選擇就越厚。有些廠(chǎng)商想做得更有競爭力，就會(huì )犧牲breakdown，因為到了100V可能會(huì )壞，VF看起來(lái)很誘人，但是用起來(lái)有問(wèn)題。Vishay會(huì )給予更多的裕量，VF做得更好。為什么做到這樣，我們有最新的技術(shù)，可以貢獻給大家最新的產(chǎn)品。
