產(chǎn)品特性：

• 通過(guò)減少封裝寄生效應來(lái)降低功耗
• 在更高的工作頻率上提供更高的效率
• 具有源極朝下和低側MOSFET可以實(shí)現簡(jiǎn)單的布局和布線(xiàn)
• 提供更緊湊的線(xiàn)路板布局并獲得最佳的散熱性能

適用范圍：

• 電源設計

隨著(zhù)功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著(zhù)在較小的線(xiàn)路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱(chēng)N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統挑戰。

FDPC8011S專(zhuān)為更高的開(kāi)關(guān)頻率的應用而開(kāi)發(fā)，在一個(gè)采用全Clip封裝內集成1.4m? SyncFETTM 技術(shù)和一個(gè)5.4m?控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應用中的電容數量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側MOSFET可以實(shí)現簡(jiǎn)單的布局和布線(xiàn)，提供更緊湊的線(xiàn)路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過(guò)25A的輸出電流，與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。