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高速 ADC 為什么有多個(gè)不同的電源軌和電源域?

發(fā)布時(shí)間:2018-06-19 責任編輯:lina

【導讀】為了解電源域和電源的增長(cháng)情況,我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò )。早在A(yíng)DC不過(guò)爾爾的時(shí)候,采樣速度很慢,大約在數十MHz內,而數字內容很少,幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 或現場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點(diǎn)幾何尺寸較大,約在180 nm或更大。


 
問(wèn):高速 ADC 為什么有如此多電源域?
 
答:在采樣速率和可用帶寬方面,當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長(cháng)足的發(fā)展。其中還納入了大量數字處理功能,電源方面的復雜性也有提高。那么,當今的RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域?
 
為了解電源域和電源的增長(cháng)情況,我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò )。早在A(yíng)DC不過(guò)爾爾的時(shí)候,采樣速度很慢,大約在數十MHz內,而數字內容很少,幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 或現場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點(diǎn)幾何尺寸較大,約在180 nm或更大。使用單電壓軌(1.8 V )和兩個(gè)不同的域(AVDD和DVDD,分別用于模擬域和數字域),便可獲得足夠好的性能。
 
隨著(zhù)硅處理技術(shù)的改進(jìn),晶體管的幾何尺寸不斷減小,意味著(zhù)每 mm2面積上可以容納更多的晶體管(即特征)。但是,人們仍然希望 ADC 實(shí)現與其前一代器件相同(或更好)的性能。
 
現在,ADC 的設計采取了多層面方法,其中:
 
采樣速度和模擬帶寬必須得到改善;
性能必須與前一代相同或更好;
納入更多片內數字處理功能來(lái)輔助數字接收邏輯。
下面將進(jìn)一步討論上述各方面特性以及它們對芯片設計構成怎樣的挑戰。
 
需要高速度
 
在 CMOS 技術(shù)中,提高速度(帶寬)的最普遍方法是讓晶體管幾何尺寸變小。使用更精細的 CMOS 晶體管可降低寄生效應,從而有助于提高晶體管的速度。晶體管速度越快,則帶寬越寬。數字電路的功耗與開(kāi)關(guān)速度有直接關(guān)系,與電源電壓則是平方關(guān)系,如下式所示:
 
其中:
 
P為功耗
 
CLD 為負載電容
 
V 為電源電壓
 
fSW 為開(kāi)關(guān)頻率
 
幾何尺寸越小,電路設計人員能實(shí)現的電路速度就越快,而每MHz每個(gè)晶體管的功耗與上一代相同。以 AD9680 和 AD9695為例,二者分別采用65 nm和28 nm CMOS技術(shù)設計而成。在1.25 GSPS和1.3GSPS時(shí),AD9680和AD9695的功耗分別為3.7 W和1.6 W。這表明,架構大致相同時(shí),采用28 nm工藝制造的電路功耗比采用65 nm工藝制造的相同電路的功耗要低一半。因此,在消耗相同功率的情況下,28 nm工藝電路的運行速度可以是65 nm工藝電路的一倍。AD9208很好地說(shuō)明了這一點(diǎn)。
 
裕量最重要
 
對更寬采樣帶寬的需求促使業(yè)界采用更精細的幾何尺寸,不過(guò)對數據轉換器性能(如噪聲和線(xiàn)性度)的期望仍然存在。這對模擬設計提出了獨特的挑戰。轉向更小幾何尺寸的一個(gè)不希望出現的結果是電源電壓降低,這使得開(kāi)發(fā)模擬電路以工作在高采樣速率并保持相同的噪聲/線(xiàn)性度性能所需的裕量大大降低。為了克服這一限制,電路設計有不同的電壓軌以提供所需的噪聲和線(xiàn)性度性能。
 
例如在 AD9208中,0.975 V電源為需要快速切換的電路供電。這包括比較器和其他相關(guān)電路,以及數字和驅動(dòng)器輸出。1.9 V電源為基準電壓和其他偏置電路供電。2.5 V電源為輸入緩沖器供電,而要在高模擬頻率下工作,裕量必須很高。沒(méi)有必要為緩沖器提供2.5 V電源,它也可以工作在1.9 V。電壓軌的降低會(huì )導致線(xiàn)性度性能下降。
 
數字電路不需要裕量,因為最重要的參數是速度。所以,數字電路通常以最低電源電壓運行,以獲取CMOS開(kāi)關(guān)速度和功耗的優(yōu)勢。這在新一代ADC中很明顯,最低電壓軌已降低至0.975 V。下面的表1列出了若干代的一些常見(jiàn)ADC。
 
表1:產(chǎn)品比較
 

 
隔離是關(guān)鍵
 
隨著(zhù)業(yè)界轉向深亞微米技術(shù)和高速開(kāi)關(guān)電路,功能集成度也在提高。以 AD9467 和A D9208為例,AD9467采用180 nm BiCMOS工藝,而AD9208采用28 nm CMOS工藝。當然,AD9467的噪聲密度約為-157 dBF S/Hz,而AD9208的噪聲密度約為-152 dBF S/Hz。 但是,如果拿數據手冊做一個(gè)簡(jiǎn)單的計算,取總功耗(每通道)并將其除以分辨率和采樣速率,就可以看到A D9467的功耗約為330μW/位/MSPS,而AD9208僅為40μW/位/MSPS。
 
與AD9467相比,AD9208具有更高的采樣速率(3 GSPS對250 MSPS)和高得多的輸入帶寬(9 GHz對0.9 GHz),并且集成了更多數字特性。A D9208可以完成所有這些工作,每位每MSPS的功耗只有大約1/8。每位每MSPS的功耗不是工業(yè)標準指標,其在本例中的作用是突出ADC設計中使用更小尺寸工藝的好處。當超快電路在非常近的距離內運行時(shí),各個(gè)模塊之間總會(huì )存在耦合或震顫的風(fēng)險。
 
為了改善隔離,設計者必須考慮各種耦合機制。最明顯的機制是通過(guò)共享電源域。如果電源域盡可能遠離電路,那么共享同一電壓軌(AD9208為0.975 V)的數字電路和模擬電路發(fā)生震顫的可能性將非常小。在硅片中,電源已被分開(kāi),接地也是如此。封裝設計繼續貫徹了這種隔離電源域處理。由此所得的同一封裝內不同電源域和地的劃分,如表2所示,其以AD9208為例。
 
表2:AD9208電源域和接地域
 

 
顯示AD9208各不同域的引腳排列圖如圖1所示。
 
圖1. AD9208引腳配置(頂視圖)
 
這可能會(huì )讓系統設計人員驚慌失措。乍一看,數據手冊給人的印象是這些域需要分開(kāi)處理以?xún)?yōu)化系統性能。
 
看不到盡頭?
 
情況并不像看起來(lái)那么可怕。數據手冊的目的僅僅是喚起人們對各種敏感域的關(guān)注,讓系統設計人員可以關(guān)注PDN(電源輸送網(wǎng)絡(luò ))設計,對其進(jìn)行適當的劃分。共享相同供電軌的大多數電源域和接地域可以合并,因此PDN可以簡(jiǎn)化。這導致BOM(物料清單)和布局得以簡(jiǎn)化。根據設計約束,圖2和圖3顯示了AD9208的兩種PDN設計方法。
 
圖2. AD9208引腳配置(頂視圖)
 
圖3. AD9208 PDN,DC-DC轉換器為所有域供電
 
通過(guò)充分濾波和布局分離,各個(gè)域可以合理布置,使得ADC性能最大化,同時(shí)降低BOM和PDN復雜性。各接地域采用開(kāi)爾文連接方法也會(huì )改善隔離。從網(wǎng)表角度來(lái)看,仍然只有一個(gè)GND網(wǎng)。電路板可以劃分為不同接地域以提供充分的隔離。在A(yíng)D9208的評估板AD9208-3000EBZ中,不同接地分區在第9層上形成開(kāi)爾文連接。圖4所示為10層PCB(印刷電路板)AD9208-3000EBZ的橫截面,其顯示了不同GND連接。
 
圖4. AD9208下方的AD9208-3000 EBZ PCB橫截面
 
所以,這不是世界末日?
 
絕對不是。僅僅因為AD9208數據手冊顯示了所有這些域,并不意味著(zhù)它們在系統板上必須全部分離。了解系統性能目標和ADC目標性能對優(yōu)化ADC的PDN起著(zhù)重要作用。在電路板上使用智能分區以減少不必要的接地回路,是將各個(gè)域之間的串擾降到最低的關(guān)鍵。適當地共享電源域,同時(shí)滿(mǎn)足隔離要求,將能簡(jiǎn)化PDN和BOM。




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