【導讀】在電子設計的路上，遇到難題怎么辦？面對同僚們的顧左右而言他，不如來(lái)二姨家論壇里尋求真知灼見(jiàn)。這里有不期而遇的隱身高手，也有誨人不倦的熱情攻城獅，道理越辯越明，思想碰撞出火花，快來(lái)加入吧。
以下Q代表問(wèn)題的提出，A代表網(wǎng)友的回答。
Q:
各位模擬大神，求教一個(gè)問(wèn)題。如下圖，BAT+點(diǎn)的電壓，通常在2.4～2.8V左右，但是，每當按鍵之后，MCU的5腳輸出高電平，導通了Q1的一瞬間，BAT+點(diǎn)的電壓會(huì )被瞬間拉低1.5～1.7V左右，持續約數十毫秒，結果就把MCU給拉死了，導致復位重啟。
求教有無(wú)解決辦法？？？
A1:
電池內阻太大，帶不動(dòng)電機
A2：
C2再并聯(lián)一較大電容數uF，再不行則R7再串蕭持基二極管。電池也并聯(lián)大值電容。我一個(gè)產(chǎn)品也一樣情況，MCU采用2V可動(dòng)作的，大電容用22uF，9V電池，負載是電磁蜂嗚器和RF發(fā)射。
Q:
to A1,電池是鎳氫電池，帶動(dòng)電機沒(méi)問(wèn)題的。電機本身也是一個(gè)很小的有刷直流小電機而已。
最大的問(wèn)題，還是MOS管導通的瞬間，相當于短路到地了，所以才會(huì )將電源電壓給瞬間拉低的。
A2所提到的這些方法都嘗試過(guò)了：
1、C2并大電容，一直試到220uF才解決問(wèn)題，但是電容體積太大（電解電容），外殼裝不下。
2、并聯(lián)肖特基，導致MCU端的供電電壓下降了0.2～0.3V，當電池電壓下降到2.0V時(shí)就面臨復位的風(fēng)險了，因為MCU的復位電壓點(diǎn)就設置在1.6～1.8V之間。并且還是要并聯(lián)大電容，外殼不允許。
3、MCU本身就是可以工作于2.0V以下的，最低可以到1.6V左右。
請指教，看看是否還有其他解決辦法？
A3：
用pwm，占空比從小到大，慢慢啟動(dòng)。
Q：
嗯，軟啟動(dòng)這招已經(jīng)試過(guò)了，效果確實(shí)可以，但是客戶(hù)不接受，理由是：軟啟動(dòng)導致馬達緩慢轉起來(lái)，在轉動(dòng)的那一瞬間，感覺(jué)很沒(méi)勁。
而硬啟動(dòng)，在啟動(dòng)的一瞬間有一種“猛然上沖”的感覺(jué)，體驗比較爽。這是客戶(hù)自己說(shuō)的，我是死活 提驗不出有啥差別。
該客戶(hù)是互聯(lián)網(wǎng)客戶(hù)，典型的不懂硬件的SB，實(shí)在沒(méi)招，唉?。?！
A4：
BAT+到單片機VDD，用肖特基二極管，然后電容盡可能的大。把單片機電源與電池隔離，單片機的耗電在壓一壓。
A5：
當以上方法確實(shí)用盡，終極方法：電機串小電阻。
A6：
mos管，那個(gè)100歐換大點(diǎn)，換個(gè)2K，下拉電阻加大，減少耗電。電容就能多抗一會(huì )。如果那個(gè)3r3換成肖特基，電容應該不需要這么大。電容的體積，不一定很大。
A7：
也許該由電池夾子背鍋。兩個(gè)電池如果用電池夾子安裝，有3-4個(gè)接觸點(diǎn)，如果彈力不足，或接觸表面不好，接觸電阻可能比較大。
A8：
C1 應該改小。1nF 即可。 二極管D2已經(jīng)保護了MOSFET，電容只是通過(guò)EMC用。
用100nF 會(huì )讓電源瞬間跌落一半，甚至更多。MLCC誤差可能達到50%。
電池兩端并聯(lián)大電容可以讓電機有“猛然上沖”的感覺(jué)，還可以減少其他毛病。一個(gè)瓷介電容都沒(méi)有點(diǎn)不可思議。
A9：
用宵特基把MCU的電源和其他部分隔開(kāi)即可。還不行，再加大MCU電源的電容。
A10：
C2并大電容 + 并聯(lián)肖特基要一起上，這樣電容應該可以小點(diǎn)。
如果肖特基壓降太大，可以改用低RDS(ON)的PMOS管，
啟動(dòng)電機前先關(guān)了它，過(guò)了啟動(dòng)大電流期再打開(kāi)。
Q:
A10這個(gè)方法測試過(guò)了，雖然可以解決問(wèn)題，但是又引入了其他新的問(wèn)題，所以最終還是被否決了。
謝謝A8 指教！感覺(jué)挺有道理的，回頭我試試。
這個(gè)電路是客戶(hù)自己設計的，我們只是配合做了MCU及軟件而已?，F在出了問(wèn)題就賴(lài)在我們身上，要求給解決，沒(méi)轍啊，只能硬著(zhù)頭皮上了。
to A7,電池是焊死在板子上的，不存在接觸不良的問(wèn)題。
來(lái)源：21ic論壇
