【導讀】BQ25618/9是TI為T(mén)WS耳機充電倉專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的一款三合一（保護，充電及升壓）的IIC控制開(kāi)關(guān)充電芯片。其中BQ25618跟BQ25619在規格上一致，區別在于BQ25618采用的是小型化的DSBGA封裝，0.4mm的管腳間距，對生產(chǎn)工藝有較高的要求，而B(niǎo)Q25619采用的稍大一點(diǎn)的WQFN封裝 方便方便線(xiàn)路布板，器件的封裝尺寸見(jiàn)下圖一。
我們從下面四個(gè)角度角度來(lái)了解這顆芯片：
圖二
1: 降壓充電功能：
a) 輸入工作電壓范圍支持4-13.5V，瞬間浪涌電壓可以支持到22V，可以很方便的支持5V,9V,12V工作系統。
b) 輸入過(guò)壓通過(guò)VAC腳檢測，默認值OVP值為14.2V，通過(guò)IIC可以有四擋OVP值調節5.7 V/6.4 V/11 V/14.2，可以根據實(shí)際需求靈活調整。
c) IIC編程設置輸入過(guò)流保護點(diǎn)，范圍可以從100mA到3.2A，最小步進(jìn)電流是100mA。
d) 動(dòng)態(tài)功率管理（DPM-Dynamic Power Management ）,當輸入電流超過(guò)輸入過(guò)流保護點(diǎn)，而使得輸入電壓逐漸降低，當達到設定的電壓跌落值時(shí)默認值為4.5V（3.9V-5.4V，可使用IIC設定，最小步進(jìn)100mV），系統開(kāi)始減少充電電流，從而保證輸入電壓維持在設定值。DPM功能可以很好的防止由于輸入適配器帶負載能力不夠而造成的整個(gè)系統的癱瘓。
e) 具有自動(dòng)輸入檢測功能，當檢測到輸入適配器插入，系統會(huì )自動(dòng)關(guān)閉內置的升壓電路。
2: 升壓放點(diǎn)功能：
a) 當適配器插入，任然可以用PMID給耳機充電，此時(shí)電壓為輸入電壓，升壓停止工作。PMID_GOOD設計用來(lái)做輸入過(guò)壓過(guò)流保護的。
b) PMID 腳是升壓輸出腳，輸出電流最大為1A，輸出電壓支持4檔（4.6V/4.75V/5V/5.15V）IIC可調，方便根據實(shí)際的需求降低輸出電壓，減小損耗。當只有電池的情況下，內置升壓才開(kāi)始工作，通過(guò)PMID輸出相應的設定電壓。
c) PMID_GOOD腳是PMID電壓的檢測腳，當PMID 電壓升到3.8V的時(shí)候，PMID_GOOD電平從低轉為高，表示升壓系統正常工作。如果發(fā)生過(guò)壓（超過(guò)5.8V），電池側過(guò)流（超過(guò)6A）的情況，PMID_GOOD會(huì )從高電平轉為低電平，根據PMID_GOOD指示可以很容易驅動(dòng)外置的PMOS做過(guò)壓、過(guò)流時(shí)升壓系統的切斷，從而給系統疊加雙重保護。外置保護電路可以參考如圖三所示
圖三
3：輸出介紹
a) 充電電流最大1.5A, 同時(shí)具有20mA步進(jìn)（20mA-1.5A 可編程）的充電截止電流，10mV的步進(jìn)充電電壓，可以使充電倉的電池充的更滿(mǎn)。
b) 為了補償截止電流的精度，讓電池能夠充的更滿(mǎn)一些，BQ25618/9增加了TOP-OFF Timer功能，如下圖四紅色框所示，在系統偵測到充電截止后，還可以選擇性的通過(guò)IIC增加充電時(shí)間（0，15min，30min，45min）。
c) QON腳支持運輸模式，在運輸模式下，漏電流可以低至7uA。
d) 優(yōu)化過(guò)的路徑管理功能可以在即使電池過(guò)放或者電池斷開(kāi)的情況下，給系統供電。
e) 室溫下的靜態(tài)電流典型值為9.5uA，相較于開(kāi)關(guān)充電芯片的漏電流下降70%以上?？梢源蟠笤黾与姵毓╇娗闆r下的待機時(shí)間
f) 具有系統過(guò)壓保護，電池過(guò)壓、過(guò)流保護，電池過(guò)放保護，除了TS腳的過(guò)溫保護外，還有芯片內部過(guò)溫保護（150C關(guān)斷）等完善的保護機制。
圖四
4：PCB 布線(xiàn)介紹
BQ25619優(yōu)化管腳的位置，輸入到輸出更加簡(jiǎn)潔。以下為BQ25619的PCB layout走線(xiàn)指導：
a) 輸入電容應盡可能靠近PMID引腳和GND引腳，并使用最短的走線(xiàn)連接。添加1nF小尺寸（例如0402或0201）的去耦電容，去除高 頻率噪聲和改善EMI。
b) 電感輸入引腳應盡可能靠近SW引腳放置。最小化走線(xiàn)的銅面積以降低電場(chǎng)和磁場(chǎng)輻射，
注意走線(xiàn)要滿(mǎn)足最大電流（見(jiàn)圖五中黃色箭頭所示的功率回路）。SW走線(xiàn)不要用多層連接，防止寄生電容造成開(kāi)關(guān)瞬間的尖峰電壓過(guò)高。
c) 將輸出電容器靠近電感和芯片，接地需要與IC的地用最短的走線(xiàn)相連。
d) 將小信號地與功率地分開(kāi)布線(xiàn)，單點(diǎn)接地，或使用0電阻將小信號地連接到功率地。
e) 去耦電容必須用最短的線(xiàn)擺放在IC管腳附近。
f) 將IC背面的裸露散熱焊盤(pán)焊接到PCB上，確保在IC的正下方有足夠的散熱孔，并連接至接地層，以幫助散熱。
圖五
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