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這兒有3個(gè)“秘方”,助您提高隔離式電源的效率

發(fā)布時(shí)間:2020-02-24 責任編輯:lina

【導讀】在大多數降壓調節器的典型應用中,使用有源開(kāi)關(guān)而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉換效率,尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時(shí)。在需要電流隔離的應用中,也可使用同步整流來(lái)提高轉換效率。圖1所示為副邊同步整流的正激轉換器。
 
如何提高隔離式電源的效率?
在大多數降壓調節器的典型應用中,使用有源開(kāi)關(guān)而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉換效率,尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時(shí)。在需要電流隔離的應用中,也可使用同步整流來(lái)提高轉換效率。圖1所示為副邊同步整流的正激轉換器。
 
這兒有3個(gè)“秘方”,助您提高隔離式電源的效率
圖1. 正激轉換器的自驅動(dòng)同步整流
 
驅動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行同步整流可以通過(guò)不同方式實(shí)現——
 
 
一種簡(jiǎn)單的方法,涉及到跨越變壓器副邊繞組來(lái)驅動(dòng)。如圖1所示。本例中,輸入電壓范圍可能不是非常寬。使用最小輸入電壓時(shí),SR1和SR2的柵極需要有足夠的電壓,以便開(kāi)關(guān)能夠可靠地導通。為確保MOSFET SR1和MOSFET SR2的柵極電壓不超過(guò)其最大額定電壓,最大輸入電壓不能過(guò)高。
 
在所有帶同步整流的電源中,電路中可能會(huì )產(chǎn)生負電流。例如,若電路輸出端電容在電路通電之前便已預充電,則電流可能會(huì )從輸出側流向輸入側。負電流可能會(huì )提高M(jìn)OSFET SR1和MOSFET SR2的電壓,致使其受損。務(wù)必小心保護開(kāi)關(guān),避免受此類(lèi)事件影響。
 
 
圖2顯示一種利用LT3900實(shí)現同步整流的方法。此控制器驅動(dòng)正激拓撲中的同步整流開(kāi)關(guān)SR1和SR2。
 
這兒有3個(gè)“秘方”,助您提高隔離式電源的效率
圖2. 帶專(zhuān)用驅動(dòng)器IC的正激轉換器的同步整流。
 
這種設想很有效。但是,LTC3900需要防止負電流流過(guò)外部開(kāi)關(guān)。首先,器件需要快速檢測負電流;然后,SR1和SR2開(kāi)關(guān)需要迅速斷開(kāi)。為防止在啟動(dòng)期間或可能的突發(fā)模式中發(fā)生電路受損,這樣的做法很有必要。
 
 
圖3顯示了一種采用新型ADP1074的非常優(yōu)雅的電路設計。輸出電壓信息通過(guò)反饋引腳檢測。為防范某些情況下(例如輸出電壓已預充電時(shí))負電流流過(guò)SR1和SR2開(kāi)關(guān)的風(fēng)險,同步整流未激活。兩個(gè)開(kāi)關(guān)的體二極管執行整流。這樣便可防止開(kāi)關(guān)受損。利用ADP1074內置的i Coupler®技術(shù),可實(shí)現無(wú)負電流流動(dòng)的安全操作。
 
這兒有3個(gè)“秘方”,助您提高隔離式電源的效率
圖3. 通過(guò)與ADP1074完全集成實(shí)現正激拓撲的同步整流。
 
這3個(gè)“秘方”有沒(méi)有幫到您呢?歡迎在下方留言,給出您的觀(guān)點(diǎn)哦
 
ADP1074
● 電流模式控制器,實(shí)現有源鉗位正激式拓撲
● 集成 5 kV(寬體 SOIC 封裝)或 3.0 kV(LGA 封裝)電介質(zhì)額定絕緣電壓,采用 ADI 公司的 iCoupler 專(zhuān)利技術(shù)
● 寬電源電壓范圍
   ● 原邊 VIN:高達 60 V
   ● 副邊 VDD2:高達 36 V
● 用于電源開(kāi)關(guān)和有源鉗位復位開(kāi)關(guān)的集成 1A 原邊 MOSFET 驅動(dòng)器
● 用于同步整流的集成 1A 副邊 MOSFET 驅動(dòng)器
● 集成誤差放大器和 < 1% 精密基準電壓
● 可編程斜率補償
● 可編程頻率范圍:50 kHz 至 600 kHz(典型值)
● 頻率同步
● 可編程最大占空比限值
● 可編程軟啟動(dòng)
● 從預充電負載開(kāi)始平穩啟動(dòng)
● 可編程死區
● 使用 MODE 引腳的省電輕負載模式
● 短路、輸出過(guò)壓和過(guò)溫保護等保護功能
   ● 逐周期輸入過(guò)流保護
● 具有遲滯特性的精密使能 UVLO
● 用于系統標記的 PGOOD 引腳
● 副邊跟蹤功能
● 遠程(副邊)關(guān)斷/復位功能
● 安全和法規認證(申請中)
   ● DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
   ● VIORM = 849 V 峰值
   ● VIORM = 560 V 峰值(適用于 LGA 封裝)
   ● 1 分鐘 5000 V rms,符合 UL 1577 標準
   ● UL 認證:
   ● CSA 元件驗收通知 5A
   ● VDE 合格證書(shū)
● CQC 認證符合 GB4943.1-2011
● 提供 24 引腳 SOIC_W 和 24 引腳 LGA 封裝
 
 
 
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