【導讀】今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON) 和柵極電荷等參數的方法測量出來(lái)的，而是被計算出來(lái)的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。
例如，大多數部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個(gè)值同與周?chē)h(huán)境無(wú)關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內在連接線(xiàn)的一個(gè)函數。超過(guò)這個(gè)值不會(huì )立即對FET造成損壞，而在這個(gè)限值以上長(cháng)時(shí)間使用將開(kāi)始減少器件的使用壽命。高于這個(gè)限值的故障機制包括但不限于線(xiàn)路融合、成型復合材料的熱降解、以及電遷移應力所導致的問(wèn)題。
然后是我們考慮的“芯片限值”，通常通過(guò)將外殼溫度保持在25?C來(lái)指定?；旧?，這個(gè)條件假定了一個(gè)理想的散熱片，只使用結至外殼熱阻來(lái)計算器件能夠處理的最大功率（在下面的方程式1和2中顯示）。換句話(huà)說(shuō)，假定RθCase-to-Ambient 為零，這在應用中并不是一個(gè)很實(shí)用的條件，這樣的話(huà)，最好將這個(gè)電流額定值視為表示器件RDS(ON) 和熱阻抗的品質(zhì)因數。
下面的圖表1a和1b分別給出了CSD18536KCS和CSD18535KCS 60V TO-220 MOSFET數據表首頁(yè)上出現的絕對最大額定值表。這兩個(gè)器件的封裝額定值均為200A，不過(guò)，由于CSD18536KCS具有更低的RDS(ON) 和熱阻抗，它具有349A的更高芯片限值，這表明，在處理同樣數量的連續電流時(shí)，它的運行溫度應該比CSD18535KCS的工作溫度低。不過(guò)，我們還是不建議將這兩款器件長(cháng)時(shí)間運行在電流超過(guò)200A的條件下。從FET的角度說(shuō)，這就意味著(zhù)任一超過(guò)100ms的電流脈沖；超過(guò)這個(gè)值的電流脈沖基本上就可以被視為DC脈沖。
圖表1a：CSD18535KCS絕對最大額定值表
圖表1b：CSD18536KCS絕對最大額定值表
某些QFN數據表還包括一個(gè)第3連續電流，計算方法與芯片限值的計算方法完全一樣，不過(guò)，如表格下方的腳注所示，它是器件測得的RθJA 的函數。使用RθJA （對于一個(gè)標準的SON5x6封裝來(lái)說(shuō)，典型值為40?C/W）來(lái)計算最大功率的方法假定QFN在應用中只處理3W左右的功率。因此，對于未暴露于任何散熱片或使用其它冷卻機制的QFN器件來(lái)說(shuō)，這個(gè)計算方法給出了更加實(shí)際的DC電流限值。
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