【導讀】IGBT是一種電壓驅動(dòng)的電子開(kāi)關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實(shí)際器件的驅動(dòng)是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅動(dòng)電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。

IGBT驅動(dòng)需要電流：

IGBT是一種電壓驅動(dòng)的電子開(kāi)關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實(shí)際器件的驅動(dòng)是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅動(dòng)電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。

驅動(dòng)的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅動(dòng)電壓和驅動(dòng)電阻決定：

但在小阻值驅動(dòng)回路中，實(shí)際測得驅動(dòng)電流一般比上述公式計算值要小，原因是驅動(dòng)回路中還有雜散電感存在，因此電流峰值一般為計算值的70%。

如果柵極存在振蕩，而且是低阻尼振蕩的話(huà)，驅動(dòng)電流會(huì )大于計算值，這在驅動(dòng)電路設計中要考慮到。

柵極電感對驅動(dòng)電流的影響：

先看一個(gè)實(shí)測的例子，結果可能出乎你意料，電感大，開(kāi)通損耗低。

圖中給出了一個(gè)實(shí)驗測量結果。該實(shí)驗中，比較了6cm和18cm長(cháng)的雙絞驅動(dòng)線(xiàn)下的IGBT動(dòng)態(tài)特性，長(cháng)線(xiàn)18cm，驅動(dòng)電感L_G大，但開(kāi)通損耗E_on降低了約31mJ。

這是為什么呢？

當將驅動(dòng)連接到IGBT柵極時(shí)，不可避免地會(huì )存在寄生電感，且寄生電感與柵極電阻串聯(lián)。這個(gè)寄生電感包括引線(xiàn)電感(無(wú)論這種連接是線(xiàn)纜或是電路板上的走線(xiàn))，柵極電阻自身電感和與模塊柵極結構的電感。

柵極引線(xiàn)電感對IGBT開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程的影響如下圖所示。引線(xiàn)電感越大，IGBT開(kāi)通的di/dt和dv/dt越大。然而，關(guān)斷時(shí)開(kāi)關(guān)速度保持不變，但有延遲。

如何解釋這一現象呢？電感特性就是阻止電流變化，在電感中電流不能突變，就是說(shuō)最初時(shí)寄生電感阻礙著(zhù)柵極電容充電，一旦達到最大柵極電流，電感就趨向維持這個(gè)電流，釋放電感中的能量，就像一個(gè)電流源一樣為IGBT的柵極電容充電，所以驅動(dòng)電流是增加的，開(kāi)通損耗降低。

實(shí)驗發(fā)現只有在正負電源驅動(dòng)中，如-15V/15V驅動(dòng)的開(kāi)通過(guò)程中才會(huì )出現這種現象，單電源，如0V/15V驅動(dòng)的開(kāi)通只會(huì )延遲，開(kāi)關(guān)速度沒(méi)變，開(kāi)通損耗沒(méi)有降低。這又是為什么呢？

對于IGBT，當柵極電壓達到閥值電壓U_GE(TO)之前，它是關(guān)斷的。在柵極電壓為0V/15V的驅動(dòng)器中，如果增加柵極引線(xiàn)電感，一般柵極電壓超過(guò)U_GE(TO)后柵極電流才達到最大值。在這種情況下，離開(kāi)密勒平臺后，才會(huì )有儲存在寄生電感中的能量去充柵極電容，使得柵極電壓最終達到15V，這時(shí)有點(diǎn)晚了，只會(huì )產(chǎn)生開(kāi)通延遲，不會(huì )對開(kāi)通速度產(chǎn)生影響。

在-15V/15V的柵極電壓下，情況不同，在柵極電壓即將達到U_GE(TO)時(shí)，柵極電流已經(jīng)達到最大，存儲在寄生電感中的能量加快了IGBT開(kāi)通速度，當然也產(chǎn)生開(kāi)通延遲。

驅動(dòng)電流越大越好嗎？

這里講的是實(shí)際的驅動(dòng)電流，不是驅動(dòng)器輸出電流能力。設計驅動(dòng)電流就是選柵極電阻值，驅動(dòng)電流大就意味著(zhù)減小柵極電阻R_g，要使得開(kāi)關(guān)損耗最低，要找到電路不振蕩的臨界值。

振蕩臨界值：

含寄生參數的驅動(dòng)電路，主要關(guān)注驅動(dòng)線(xiàn)的電感，在這里只研究它對振蕩臨界值的影響。

在開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)，假設IGBT的內部電容C_GE恒定，寄生電感L_G和獨立的引線(xiàn)電感L_Gon與L_Goff由二階RLC電路的微分方程推導確定,即：

式中，L為柵極路徑中電感的總和(H)；RG為外部和內部柵極電阻的總和(Ω)，i_G(t)為隨時(shí)間變化的柵極電流(A)。

求解上述微分方程得出I_peak為：

式中，e為自然對數，e=2.71828。

同時(shí)可以得到柵極路徑中不會(huì )引起振蕩的最小柵極電阻R_G,min為：

式中，∑L_G為柵極負載電感總和(L_G+L_Gon或L_G+L_Goff)(H)。

從公式中可以看出，如果電感L_G比較大，相應的柵極電阻R_G的值也必須增大，以避免振蕩，尤其要注意R_Gon選值，太小的話(huà)，IGBT開(kāi)通過(guò)快，一方面造成二極管的反向恢復損耗增加，甚至會(huì )導致續流二極管會(huì )發(fā)生跳變行為（snap-off），從而引起振蕩，還有可能損壞二極管。

上圖解讀：開(kāi)通過(guò)程中,由于柵極雜散電感太高（R_g電阻沒(méi)有為此選很大時(shí)）導致二極管振蕩并超出SOA (1.7kV IGBT模塊)

舉個(gè)數值例子：

如果驅動(dòng)為+15V,-10V,那么?U_GE=25V，柵極回路電感量為20nH，IGBT的輸入電容為30nF，那么：

如果設計中柵極電阻取值小于1.63歐姆，驅動(dòng)電路就會(huì )振蕩，如果在這一臨界值上電路不振蕩，那么驅動(dòng)電流峰值為：

如果增加柵極電阻，寄生電感參數影響變小，系數0.74會(huì )接近1.0。

結論：

1. 理解IGBT驅動(dòng)電流很重要；

2. IGBT驅動(dòng)線(xiàn)長(cháng)，開(kāi)通損耗可能降低；

3. 驅動(dòng)設計時(shí)需要選取合適的驅動(dòng)電流，太小驅動(dòng)能力不足，增加功率器件損耗，太大可能引起開(kāi)通振蕩。

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