【導讀】在上一篇文章中，作為介紹驅動(dòng)器源極引腳效果的前提，我們了解了在沒(méi)有驅動(dòng)器源極引腳的以往封裝MOSFET（以下稱(chēng)“以往MOSFET”）中的開(kāi)關(guān)工作期間的電壓。在本文中，我們將一起了解具有驅動(dòng)器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅動(dòng)器源極引腳的效果。
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
?具備驅動(dòng)器源極引腳，可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
?具備驅動(dòng)器源極引腳，可以提高導通速度。
在上一篇文章中，作為介紹驅動(dòng)器源極引腳效果的前提，我們了解了在沒(méi)有驅動(dòng)器源極引腳的以往封裝MOSFET（以下稱(chēng)“以往MOSFET”）中的開(kāi)關(guān)工作期間的電壓。在本文中，我們將一起了解具有驅動(dòng)器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅動(dòng)器源極引腳的效果。
有無(wú)驅動(dòng)器源極引腳的差異及其效果
左下圖是以往MOSFET的驅動(dòng)電路，右下圖是具有驅動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅動(dòng)電路。不同的是驅動(dòng)電路的回流線(xiàn)的連接方式，以往MOSFET是連接到源極（Source）引腳，而具有驅動(dòng)器源極引腳的MOSFET是連接到驅動(dòng)器源極引腳（Driver Source）引腳，其源極是一個(gè)單獨的電源（Power Source）引腳。此外，每個(gè)藍色箭頭表示開(kāi)關(guān)工作中的電壓。
如藍色箭頭所示，兩者在開(kāi)關(guān)工作中的電壓是相同的。再次提一下，MOSFET被施加VG并導通后，ID增加，LSOURCE沿圖中（I）的方向產(chǎn)生VLSOURCE。由于電流IG流入柵極引腳，因RG_EXT產(chǎn)生壓降VRG_EXT(I)。
如上所述，兩者產(chǎn)生的電壓是一樣的，但在以往MOSFET的情況下，VLSOURCE和VRG_EXT(I)被包含在導通時(shí)的驅動(dòng)電路網(wǎng)中，因此MOSFET的導通工作所需的芯片上的電壓VGS_INT會(huì )減少，最終導致導通速度降低。而在具有驅動(dòng)器源極引腳的情況下，ID會(huì )流向電源（Power Source）引腳，不流向驅動(dòng)器源極（Driver Source）引腳，這部分不包含在驅動(dòng)電路網(wǎng)中，因此可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
如果具備驅動(dòng)器源極引腳，則可以去掉
項（＝VLSOURCE），可以看出這部分電壓不會(huì )影響VGS_INT。這就是驅動(dòng)器源極引腳的效果，可以提高導通速度。
在下一篇文章中，我們將通過(guò)工作波形來(lái)了解驅動(dòng)器源極引腳的效果。
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