【導讀】無(wú)源探頭受到帶寬限制,它們不能用于當今的開(kāi)關(guān)電源設計。高頻探頭價(jià)格昂貴,很多小公司都無(wú)法實(shí)現。之前我們介紹了50Ω、1:1無(wú)源探頭的基本結構,并討論了可能使信號失真的傳輸線(xiàn)影響以及如何進(jìn)行補償。本文將介紹一個(gè)n:1電壓探頭和一個(gè)電流探頭的設計與結構。

之前我們介紹了無(wú)源探頭的帶寬限制以及為什么它們不能用于當今的開(kāi)關(guān)電源設計。高頻探頭價(jià)格昂貴,很多小公司通常無(wú)力購買(mǎi)。我們還研究了50Ω、1:1無(wú)源探頭的基本結構,并討論了可能導致信號失真的傳輸線(xiàn)效應以及如何補償這些誤差。本文將介紹一個(gè)n:1電壓探頭和一個(gè)電流探頭的設計和建構。
50Ω、n:1電壓探頭
只要到達示波器的信號不超過(guò)輸入放大器可處理的范圍,基本的1:1無(wú)源探頭就非常有用。雖然許多商用無(wú)源探頭可以1:1和10:1雙模式工作,但有時(shí)10:1的衰減也還不夠。例如,將交流電源電壓連接到10:1探頭就會(huì )損壞示波器,所以常常需要1000:1的探頭。對其它應用,則可能需要不同的衰減比。
要求:為> 1GHz的示波器打造一款50Ω探頭,以測量110 VAC到220 VAC、300W功率因數校正電路的功率信號。
最大電壓:+400VDC加上任何尖峰電壓。
被測器件:
● D3超結MOSFET,部件號:D3S340N65B-U(VDSS=650V, ID =12A, RDS(on)=360mΩ(標稱(chēng)), tf >6.5ns)
● CREE SiC肖特基整流器,部件號:C3D04060A(600V, 7.5A)
步驟:
切下一段長(cháng)約5英寸(12.5cm)的RG174(50Ω)電纜。最好是一端已有BNC連接器;
從電纜上剝去0.5英寸(12mm)的絕緣護層。切開(kāi)絕緣護層的屏蔽層。剝去0.25英寸(6mm)的中心導體絕緣層;
從直徑0.5英寸的黃銅管切下0.5英寸(12mm),去掉切口毛刺;
探頭將承受的最大電壓為400 VDC。查看電容的VMAX額定值。要求的顯示電壓為100mV/格(1000:1),即50Ω示波器終端電阻上的電壓為100mV。通過(guò)尖端檢測電阻的電流(IS)為:

檢測電阻的值是:

5.檢查檢測電阻的功耗:

注意:該功耗在單個(gè)¼W電阻的額定功率范圍內,但電阻會(huì )變熱。我將兩個(gè)100kΩ、¼W電阻并聯(lián)使用。
6.如圖1所示組裝電纜的檢測端。

圖1:1000:1、 50Ω電壓探頭使用兩個(gè)100kΩ電阻并聯(lián),比使用單個(gè)50kΩ電阻的功率耗散能力增加了一倍。
高頻電流探頭
市面上常見(jiàn)的電流探頭帶寬從60MHz到120MHz不等。查看高頻電流波形對估算高頻半導體開(kāi)關(guān)內的開(kāi)關(guān)損耗很重要。因此,你可能需要帶寬更高的電流探頭。圖2是一個(gè)電流探頭的示例。

圖2:高頻電流探頭使用螺旋線(xiàn)圈來(lái)捕獲導線(xiàn)中電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)。
圖2中的電流探頭本質(zhì)上是個(gè)具有較高漏電流的¼匝初級、1:n正向模式互感器。由于初級不是理想的單匝,其準確性將在最終的校準中確定。次級線(xiàn)圈均勻地排布在螺旋線(xiàn)圈磁芯周?chē)?/div>
終端電阻必須緊靠繞線(xiàn)螺旋線(xiàn)圈放置。這樣做可以使同軸電纜的傳輸線(xiàn)效應最小,避免成為示波器輸入信號的有效部分。終端電阻可防止大信號電流進(jìn)入電纜。示波器終端應設為1MΩ。
電流是通過(guò)電路支路測量的,阻抗應非常低。電流探頭的反射阻抗(插入阻抗)應盡可能低(低Rt),且仍能為示波器輸入提供所需的幅度。
次級繞組上感應的電流是:

要將此電流轉換為示波器上顯示的電壓,必須在次級繞組上放置一個(gè)電阻,該電阻可以是任何值,但電阻值越高,初級目標電路的反電動(dòng)勢就越大。反電動(dòng)勢表現為與目標電流路徑串聯(lián)的額外壓降,它會(huì )影響初級電流,從而影響其測量精度。初級電流測量誤差與次級電阻值成正比。
通常由電流探頭觀(guān)測到的AC電流范圍可從100A(1kW電源)低至mA(柵極驅動(dòng)電路)水平。一個(gè)電流探頭無(wú)法滿(mǎn)足上述范圍要求且仍處在示波器輸入的輸入動(dòng)態(tài)范圍內,因此需要使用多個(gè)電流探頭,它們針對高頻開(kāi)關(guān)電源內的不同電流水平具有不同的匝數比。匝數比不是固定不變的,常見(jiàn)的比率是:
● 25:1 (10A – 20A)
● 50:1 (1A – 10A)
● 100:1 (0.5A – 1A)
由于次級電流很小,只需#32 AWG線(xiàn)規即可。
終端電阻可通過(guò)下式估算:

圖2所示的電流探頭使用SMD電阻,這就是為什么需要一個(gè)小PCB來(lái)安裝它并固定到同軸電纜的末端。務(wù)必保形涂覆整個(gè)電流互感器組件;繞組非常脆弱,同軸電纜會(huì )給電流探頭帶來(lái)很大的機械應力。
校準問(wèn)題
與每個(gè)交流耦合電路一樣,交流電流信號傳遞到次級,但輸出的直流部分自動(dòng)校正為零。 直流“零”平均值出現在平均正值等于平均負值的輸出波形的某一點(diǎn)。短期平均零點(diǎn)將在每個(gè)信號周期內變化。圖3顯示了這一依賴(lài)時(shí)間的現象。每個(gè)電流探頭都有自己的時(shí)間常數。這可以通過(guò)在初級注入低頻脈沖電流來(lái)測量和表征。

圖3:通過(guò)注入輸入電流脈沖來(lái)校正電流探頭,以確定探頭的時(shí)間常數。
時(shí)間常數會(huì )導致電流波形失真(圖4)。

圖4:由互感器時(shí)間常數引起的電流顯示誤差。
時(shí)間常數約為:

結果是近似值,因為次級并非獨立的互感器,而是耦合了來(lái)自初級的負載。
用數字示波器校準電流探頭時(shí),必須記住采樣率。將低頻矩形電流信號注入CT的初級電路時(shí),示波器的采樣不會(huì )總與峰值輸出電壓點(diǎn)重合。這就需要注入多個(gè)輸入電流脈沖,并找到最高值的輸出電壓峰值。
你可能會(huì )問(wèn):“電流探頭提供的什么數據我可以相信?”可用的數據是(最值得信賴(lài)的測量,失真引起的誤差非常?。?/div>
1.所有高速轉換幅值;
2.周期比電流探頭的時(shí)間常數小得多的信號波形;
3.轉換之間的周期(時(shí)間)測量;
4. 比探頭時(shí)間常數(tr<˜0.05?C)短得多的上升和下降時(shí)間。
具有可與時(shí)間常數相比的周期的波形將因時(shí)間常數失真。時(shí)間常數被加到實(shí)際信號中。圖5為信號周期大于時(shí)間常數的1/2造成這種失真的一個(gè)例子。

圖5:電流探頭會(huì )因為時(shí)間常數使輸入信號失真。上部(綠色)跡線(xiàn)為干凈的VDS,下部(紅色)跡線(xiàn)為失真的ID。
圖5顯示了一個(gè)110kHz離線(xiàn)LLC轉換器低側MOSFET的VDS和ID。來(lái)自50Ω電壓探頭的電壓波形(頂部)未失真,底部的漏極電流波形則顯示出很大失真。電流探頭有25匝,終端電阻為50Ω,時(shí)間常數為14µs。
圖6顯示了如果在目標電路同一位置的電流檢測電阻上查看,實(shí)際信號是如何按預期出現的。盡管內心里想以任何精度從顯示信號中減去時(shí)間常數,但這在數學(xué)上不切實(shí)際。因此,關(guān)于顯示可信度的陳述與電流轉換相去甚遠。當然,也可以花大價(jià)錢(qián)買(mǎi)一個(gè)磁性“DC”電流探頭幫你做上述數學(xué)計算,但是帶寬太低。

圖6:信號周期由差不多相等的分量組成時(shí)的電流探測信號。
10A高頻電流探頭
本示例概述了適用于>10kHz開(kāi)關(guān)電源的1A至10A電流探頭的設計步驟。
第一個(gè)任務(wù)是決定使用什么磁芯材料。無(wú)需細究磁學(xué)的長(cháng)篇大論,你所需的是低磁導率(μ)高頻材料。磁導率是繞組內的電流量,可在磁芯內產(chǎn)生給定的磁通密度(磁通線(xiàn)數量)變化。在高磁通密度下,磁芯開(kāi)始飽和(磁導率下降并且不再是線(xiàn)性的)。這是你需要避免的情況。
然后需要一個(gè)閉合磁環(huán)路來(lái)引導磁芯內的導線(xiàn)輻射磁場(chǎng)(與電流成比例)??梢杂寐菪€(xiàn)圈或帶間隙的U-I鐵氧體磁芯。鐵氧體磁芯有一些不好的影響因素,如邊緣場(chǎng)效應、因轉角引起的渦流等。理想的磁芯是鉬坡莫合金螺旋線(xiàn)圈,是鉬(一種非磁間隙材料)和鐵氧體的混合物。鉬含量越高,磁導率越低。較低的磁導率還可以得到更大的帶寬。對于合理的線(xiàn)徑,如在中低功率開(kāi)關(guān)電源中所見(jiàn),Magnetics公司的13.5mm(0.5in)環(huán)形磁芯(部件號55051A2)是不錯選擇。更大尺寸的磁芯可在直徑更大的導線(xiàn)中使用。
常見(jiàn)的匝數有25、50、100,當然,其它不同的匝數也是可用的。匝數越多,繞組兩端串聯(lián)電阻上的電壓越高。下面是制作過(guò)程。
對我的漏極電流,我選擇了25匝。流入漏極的電流范圍是0.5A到10A,因此這是合理的選擇。我還想要1V/A輸出。終端電阻應該是:

線(xiàn)規應是#32 AWG絕緣電磁線(xiàn)。
2. 電線(xiàn)纏繞螺旋線(xiàn)圈均勻圍繞著(zhù)磁芯,這有助于將次級導線(xiàn)產(chǎn)生的磁通量包含在磁芯內;
3. 在小的PCB或perf board上,將導線(xiàn)末端連到終端電阻。由于同軸電纜會(huì )給線(xiàn)圈/PCB組件帶來(lái)很大機械應力(圖2),因此PCB也用于將同軸電纜固定在PCB和終端電阻上;
4. 用1A的脈沖電流來(lái)測試探頭,確認峰值瞬態(tài)電壓為1V(圖3)。如果不是,則嘗試用接近25Ω的電阻來(lái)產(chǎn)生1V瞬態(tài)峰值;
5. 保形地涂覆整個(gè)螺旋線(xiàn)圈/PCB組件。環(huán)氧樹(shù)脂效果很好。確保螺旋線(xiàn)圈中心有一個(gè)干凈但有涂層的孔;
6. 執行上述步驟4來(lái)校準電流探頭并測量電流探頭的時(shí)間常數(圖4)。
上述步驟也適用于具有不同電流范圍的電流探頭。
結論
市場(chǎng)上買(mǎi)得到的電壓和電流探頭大都沒(méi)有足夠的帶寬來(lái)查看高頻功率器件呈現的高頻電流波形和邊緣。那么,為了查看“真實(shí)”信號,你需要構建自己的電壓和電流探頭。這兩部分提出的探頭構建是探頭設計的一個(gè)良好起點(diǎn)。
附錄A
使用下面的公式來(lái)計算已知磁芯和匝數的電感值。該計算針對初級電感(1個(gè)繞組和1個(gè)磁芯),沒(méi)有從磁芯其它繞組反射任何負載,例如在一個(gè)互感器內(> 1個(gè)繞組和1個(gè)磁芯)。

其中:
L是電感(單位為H);
N是匝數;
AL是電感系數,單位為nH/T²(由磁芯制造商提供)。
推薦閱讀:
將傳感器設計運用到電池供電的無(wú)線(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設備中
在物聯(lián)網(wǎng)SoC中整合藍牙IP技術(shù)的應用
6年前的一款U盤(pán)大小DNA測序儀終于有了新用途
淺談晶振負載電容的計算方法以及需要注意的地方
詳解ADI的MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)
推薦閱讀:
將傳感器設計運用到電池供電的無(wú)線(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設備中
在物聯(lián)網(wǎng)SoC中整合藍牙IP技術(shù)的應用
6年前的一款U盤(pán)大小DNA測序儀終于有了新用途
淺談晶振負載電容的計算方法以及需要注意的地方
詳解ADI的MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)
特別推薦
- 車(chē)輛區域控制架構關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
- 元器件江湖群英會(huì )!西部電博會(huì )暗藏國產(chǎn)替代新戰局
- 艾邁斯歐司朗OSP協(xié)議,用光解鎖座艙照明交互新維度
- 薄膜電容選型指南:解鎖高頻與長(cháng)壽命的核心優(yōu)勢
- ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn):Siana案例驗證交鑰匙方案提速無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)
- 如何根據不同應用場(chǎng)景更精準地選擇薄膜電容?
- 如何判斷薄膜電容的質(zhì)量好壞?從參數到實(shí)測的全面指南
技術(shù)文章更多>>
- 薄膜電容在新能源領(lǐng)域的未來(lái)發(fā)展趨勢:技術(shù)革新與市場(chǎng)機遇
- 薄膜電容使用指南:從安裝到維護的七大關(guān)鍵注意事項
- 如何判斷薄膜電容的質(zhì)量好壞?從參數到實(shí)測的全面指南
- 如何根據不同應用場(chǎng)景更精準地選擇薄膜電容?
- ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn):Siana案例驗證交鑰匙方案提速無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
- 車(chē)規與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰
- 汽車(chē)模塊拋負載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng )新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門(mén)搜索