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Vishay高精度薄膜SMD環(huán)繞片式電阻陣列助力航空應用
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新系列適用于高溫鉆井和航空應用的高精度薄膜SMD環(huán)繞片式電阻陣列---PRAHT。新的PRAHT四電阻網(wǎng)絡(luò )的工作溫度為-55℃～+215℃，最高存儲溫度為+230℃，是業(yè)內首個(gè)采用薄膜技術(shù)制造的電阻陣列。
2012-09-03
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Vishay小型封裝LED發(fā)光強度實(shí)現超群亮度
Vishay光電子產(chǎn)品部發(fā)布新VLMx1500-GS08系列采用小型表面貼裝0402 ChipLED封裝的大紅、淺橙、黃、嫩綠、藍色和白色的超亮LED。VLMx1500-GS08系列器件的尺寸為1.0mm x 0.5mm，高0.35mm，180mcd的發(fā)光強度實(shí)現了超群亮度。
2012-08-22
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Vishay具有5mm檢測范圍的新反射光學(xué)傳感器
Vishay Intertechnology 宣布推出采用微型表面安裝封裝的帶晶體管輸出的新反射光學(xué)傳感器。TCNT2000 的尺寸只有 3.4mm x 2.7mmx 1.5mm，能提供 0.2mm 到 5mm 的檢測范圍，適用于消費類(lèi)、工業(yè)和計算設備。
2012-08-17
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Vishay高電流、高溫環(huán)形電感器可減少EMI的環(huán)形設計
Vishay近日推出的 TJ3-HT 和 TJ5-HT 電感器具有高達+200°C 的高額定工作溫度和可減少EMI 的環(huán)形設計，特別適合汽車(chē)、工業(yè)和深井鉆探產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)電源、EMI/ RFI 過(guò)濾和輸出扼流圈。
2012-08-16
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最新“e絡(luò )盟專(zhuān)題”：針對醫療應用的方案資源庫
首個(gè)融合電子商務(wù)與在線(xiàn)社區的電子元件分銷(xiāo)商e絡(luò )盟近日推出了最新一期“e絡(luò )盟專(zhuān)題”，專(zhuān)題提供針對醫療應用的設計參考資料、元器件及解決方案，其中不乏行業(yè)領(lǐng)先制造商Molex、德州儀器、Vishay等最新創(chuàng )新產(chǎn)品。詳情請看本文報道。
2012-08-10
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Vishay 4款多層陶瓷片式天線(xiàn)工作在868MHz和915MHz頻率
日前Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件，這些器件可接收和發(fā)送868MHz(VJ5301M868MXBSR和VJ5601M868MXBSR)和915MHz(VJ5301M915MXBSR和VJ5601M915MXBSR)的數字信號，擴充了其陶瓷片式天線(xiàn)產(chǎn)品線(xiàn)。
2012-08-09
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Vishay高度集成解決方案：microBUCK?同步降壓調節器
microBUCK? 集成同步降壓調節器系列利用 Vishay 的分立 MOSFET 設計、IC 專(zhuān)業(yè)技術(shù)和封裝功能的獨特組合，為客戶(hù)提供經(jīng)濟的高性能集成式解決方案。 最新系列 4A SiC413 和10A SiC417 提供 4.75V 到 26V（對于SiC413）和 3V 到 28V（對于 SiC417）的寬輸入電壓范圍，最小輸出電壓分別低至 0.6V 和 0.5V。
2012-07-18
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Vishay新系列3相圓柱形電容器脈沖電流高達21.3kA
Vishay推出用于電力電子產(chǎn)品的新系列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標準電壓等級，以及豐富的容值和封裝選項。日前發(fā)布的EMKP電容器有160mm～265mm共4種高度，64mm～136mm共5種直徑。器件的電流等級取決于套管類(lèi)型，從3 x 56A至3 x 104A，脈沖電流高達 21.3kA，自感小于100nH，串聯(lián)電阻低至0.6m?，容值為4.0μF～600μF，容值容差為±5%。
2012-07-04
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Vishay發(fā)布用于工業(yè)傳動(dòng)和逆變器的3相圓柱形電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電力電子產(chǎn)品的新系列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標準電壓等級，以及豐富的容值和封裝選項。
2012-07-02
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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時(shí)導通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻，4.5V時(shí)導通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
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SiA436DJ:Vishay新MOSFET再度刷新導通電阻的最低記錄
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
2012-06-28
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Vishay用于高溫作業(yè)的N通道MOSFET
Vishay已發(fā)布通過(guò)JAN認證的60V2N6660JANTX/JANTXV和90V2N6661JANTX/JANTXV 軍用級 N 通道功率 MOSFET。提供低導通電阻和快速切換時(shí)間，器件被封裝在一個(gè)密封的TO-205AD 中，可以承受軍事和航空航天領(lǐng)域經(jīng)受的高溫。
2012-06-27
- 車(chē)輛區域控制架構關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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