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Vishay依托技術(shù)優(yōu)勢，大力推動(dòng)綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)發(fā)展
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，替代能源虛擬貿易展(Alternative Energy Virtual Trade Show)在公司網(wǎng)站正式上線(xiàn)。
2009-06-19
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1242 QPL系列：Vishay推出新的微調電位器
Vishay推出1242 QPL系列微調電位器，它具有低至±10ppm/℃的端到端TCR，在滑動(dòng)端上的TCR為±25ppm/℃，負載壽命穩定率為0.1%，可設定值小于0.05%；1/4平方英寸、RJ26型的器件滿(mǎn)足并超出MIL-PRF-22097標準F章的要求。用于航空、軍工和航天。
2009-06-08
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ACAS 0606 AT：Vishay新推出精密薄膜電阻陣列
Vishay Intertechnology, Inc.推出新款ACAS 0606 AT，擴大了ACAS AT系列精密薄膜電阻陣列的可用功率等級
2009-06-03
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Accutrim系列：Vishay新型超高精度微調電位器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用Bulk Metal?箔技術(shù)的超高精度Accutrim?系列微調電位器 --- 1240和1260系列，達到并超出了MIL-PRF-39035標準H章的要求。
2009-06-01
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Sfernice LPS系列：Vishay新型超小尺寸高性能厚膜功率電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出小尺寸、寬阻值范圍的新型300W、600W和800W厚膜功率電阻 --- Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800
2009-05-31
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Vishay推出通過(guò)嚴格軍標認證的新型Bulk Metal箔電阻及其代替器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，已將其QPL RNC90Y系列高可靠Bulk Metal?箔電阻的容差減小到±0.005%。如果設計者需要的電阻阻值比QPL規定的范圍更高或更低，但是要求具有同樣的性能，也可采用非QPL版的S555器件。
2009-05-25
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VLMW711U2U3XV：Vishay新型SMD功率封裝1W白光LED
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為其Little Star?系列LED增添了一個(gè)新成員－通過(guò)汽車(chē)行業(yè)標準認證的1W白光LED --- Little Star VLMW711U2U3XV
2009-05-22
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1202系列：Vishay超高精度AccutrimTM微調電位器
Vishay宣布，推出采用Bulk Metal?箔工藝的超高精度Accutrim?系列微調電位器 --- 1202系列，該系列器件采用1?英寸的直線(xiàn)RJ12型定型長(cháng)度，達到并超出了MIL-PRF-22097標準F章的要求。對于精確的調校，該器件在-55℃～+150℃、+25℃參考溫度下提供了±10ppm/℃的端到端TCR，在整個(gè)滑動(dòng)臂上的TCR為±25ppm/℃，在滿(mǎn)載額定功率、+85℃溫度下工作2000小時(shí)后的典型負載壽命穩定率為0.1%，典型設置精度小于0.05%。
2009-05-20
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Vishay推出厚度僅為0.6mm的LC EMI/ESD濾波器陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款LC EMI/ESD濾波器陣列，包括四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK，在超級緊湊的LLP1713和LLP3313無(wú)引線(xiàn)封裝內提供了小于1db的輸入損耗。
2009-05-15
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Si7615DN：Vishay 新型第三代20V P通道功率MOSFET
Vishay Siliconix發(fā)布具有業(yè)界最低導通電阻的新型第三代20V P通道TrenchFET?功率MOSFET
2009-05-14
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Vishay發(fā)布三款經(jīng)CECC認證的新型高精度Bulk Metal箔電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款面向航空、國防和航天(AMS)應用的通過(guò)CECC認證的新型高精度Bulk Metal?箔電阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃～+155℃、+20℃參考溫度條件下，器件的典型TCR只有±2ppm/℃，容差為±0.01%，在70℃溫度下工作2000小時(shí)后的負載壽命穩定率為±0.005%(50ppm)。
2009-05-02
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Vishay Siliconix推出業(yè)界最小導通電阻的雙P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有兩個(gè)20V P溝道的第三代TrenchFET?功率MOSFET --- SiA921EDJ，其導通電阻是目前所有雙P溝道器件當中最小的，所采用的熱增強PowerPAK? SC-70封裝的占位面積只有2mmx2mm。
2009-05-01
- 車(chē)輛區域控制架構關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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