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TSFF5510：Vishay寬視角新型高功率高速紅外發(fā)射器
Vishay推出其首款寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴大了其光電子產(chǎn)品組合。通過(guò)其獨特設計的鏡頭，TSFF5510具有 ±38o 視角，與標準的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。
2008-04-30
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8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高頻整流器
日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，這些器件具有超快、超穩定的反向恢復時(shí)間及低正向壓降，可減少高效 PFC 及 SMPS 應用中的開(kāi)關(guān)損失。
2008-04-25
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Vishay的電點(diǎn)火器芯片電阻器榮獲 EDN無(wú)源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng )新獎
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會(huì )和頒獎典禮上，其電點(diǎn)火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無(wú)源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng )新獎。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿(mǎn)足對便攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導通電阻。
2008-04-09
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實(shí)現快速輕松的替代，以滿(mǎn)足無(wú)鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評為年度最佳產(chǎn)品
日前，Vishay宣布，其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎”。
2008-03-31
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀錄的導通電阻規格及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
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GA..系列：Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊
日前，Vishay宣布推出采用業(yè)界標準 Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標準及超快速度下實(shí)現高開(kāi)關(guān)工作頻率。
2008-03-14
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VLMW611../VLMW621..系列：Vishay新型功率SMD LED
日前，Vishay推出采用 InGan技術(shù)且具有低電阻及高光功率的兩個(gè)新系列暖白色 SMD LED。VLMW611..系列采用 CLCC-6 封裝，而 VLMW621..系列采用具有 0.9mm 業(yè)界超薄厚度的 CLCC-6 扁平封裝。
2008-03-12
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PTS：Vishay新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器
日前，Vishay宣布推出具有三種標準芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 且采用先進(jìn)薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s（空中）的較短反應時(shí)間以及 -55°C～+155oC 的溫度范圍。
2008-03-07
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CRCW....-EL：Vishay新型高可靠性厚膜電阻
日前，Vishay宣布推出一款新型厚膜電阻，該電阻將超低的電阻值與面向電流感應應用的小容差及低 TCR 進(jìn)行了完美結合。
2008-03-07
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WSL0603…18：Vishay 0.20W Power Metal Strip電阻
日前，Vishay宣布推出以小型 0603 封裝具有 0.20 W 高額定功率的業(yè)界首款 Power Metal Strip電阻。WSL0603…18 的功率是標準 WSL0603 型器件的兩倍，該產(chǎn)品是一種小型表面貼裝電阻，主要面向直流到直流轉換器、電源/鋰離子電池管理系統以及計算機與電信系統的 VRM 中的高功率、電流感應應用。
2008-02-27
- 車(chē)輛區域控制架構關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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