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設計分享:教你設計電動(dòng)汽車(chē)的功率半導體模塊

發(fā)布時(shí)間:2014-11-13 責任編輯:sherryyu

【導讀】汽車(chē)行業(yè)目前正在經(jīng)歷一個(gè)重大的技術(shù)變革時(shí)期,這已經(jīng)是個(gè)不爭的事實(shí)。在眾多電動(dòng)汽車(chē)中,需求最多的便是主逆變器,在這里,采用專(zhuān)門(mén)針對應用進(jìn)行開(kāi)發(fā)的芯片和封裝解決方案至關(guān)重要。本文為大家介紹如何設計用于電動(dòng)汽車(chē)的功率半導體模塊?
 
汽車(chē)行業(yè)目前正在經(jīng)歷一個(gè)重大的技術(shù)變革時(shí)期,這已經(jīng)是個(gè)不爭的事實(shí)。過(guò)去100多年里,內燃機引擎中都在使用燃油泵和活塞,而現在正在被鋰離子電池、逆變器和IGBT所取代。簡(jiǎn)言之,汽車(chē)正在變得更加電子化。汽車(chē)的第一次電子化可能僅僅被看作是增加其電子含量的演練,或在適應現有的非汽車(chē)系統(如高壓工業(yè)驅動(dòng)器),最終適應汽車(chē)中的應用。然后,采用這種方法將會(huì )大大低估可能面臨的挑戰。在功率和電壓等級方面,就目前的相似度而言,它們都與相關(guān)的工業(yè)離線(xiàn)應用類(lèi)似。在汽車(chē)世界里,空間和重量都受到限制,而且環(huán)境也很惡劣,0ppm(ppm=不合格品個(gè)數*1000000/批量)質(zhì)量至關(guān)重要,而讓問(wèn)題變得更加嚴重的是,純電動(dòng)車(chē)(EV)中的能源供應是有限的,因此效率就成為關(guān)鍵所在。所以,我們還不能忽略對于低成本系統的需求,要與內燃機引擎(在過(guò)去幾十年里,這一技術(shù)在魯棒性、可靠性和出色的功率密度方面進(jìn)行了優(yōu)化)進(jìn)行競爭。這是一個(gè)新興的市場(chǎng),需要專(zhuān)門(mén)基于這一因素開(kāi)發(fā)半導體解決方案!
 
在眾多電動(dòng)汽車(chē)中,需求最多的便是主逆變器,在這里,采用專(zhuān)門(mén)針對應用進(jìn)行開(kāi)發(fā)的芯片和封裝解決方案至關(guān)重要。在(H)EV發(fā)展早期,普遍采用工業(yè)"磚"型模塊(這些最初是設計用于工業(yè)離線(xiàn)應用),因此對于汽車(chē)的功率密度以及有限結構因數的限制基本沒(méi)有考慮。它們一般包括IGBT和二極管,額定電壓為600V或1200V,結溫最高達到150℃。在室溫范圍內,短路保護性能限制在6μs。在汽車(chē)世界中,一個(gè)重要的因數是工作溫度范圍,其最低可以達到-40℃,在更低的溫度下,IGBT和二極管的BV(擊穿電壓)下降,器件處理電壓峰值時(shí),潛在的會(huì )帶來(lái)一些問(wèn)題。為此,采用具有更高BV的功率元件將會(huì )受益,CooliRIGBT Gen 2平臺便是一個(gè)示例。
 
超薄晶體IGBT技術(shù),額定電壓為680V,24A至600A的芯片尺寸,在-40℃溫度,最低600V的BV下,能夠實(shí)現良好的Vce(on)性能。與此相配合的性能主要針對在175℃的結溫下運行的器件,不止限制時(shí)間量(如一些替代技術(shù)),而且溫度始終為175℃。因為具有更高的BV的緣故,更高的電壓峰值可以適應系統,因此降低了對于高成本解決方案的需求,這可以限制電感,又或者,系統的確可以更快的轉換,獲得更多的優(yōu)勢,如降低電機尺寸。與器件的主逆變器的保護相關(guān)的高功率水平顯然是非常重要的,對于這種高溫環(huán)境下開(kāi)關(guān)的短路保護性能同樣也非常重要。CooliRIGBT器件能夠針對性能平衡進(jìn)行優(yōu)化,但是一般是設計用于處在150℃,至少6μs的短路保護時(shí)間。保護特性通過(guò)芯片上的電流感應最終完成。圖1總結了新的IGBT平臺的一些特性。   
CooliR IGBT和CooliR二極管特性的總結
圖1:CooliR IGBT和CooliR二極管特性的總結
  
為了保證最佳的系統效率,必須采用一個(gè)適當的二極管與IGBT相搭配。圖1還介紹了CooliRDIODE Gen 2,這是一款超薄芯片,680V的超快速軟件恢復二極管,提供了無(wú)振鈴性能。Err和Vf根據應用進(jìn)行平衡,很重要的一點(diǎn)是認識到針對空調應用,Err和Vf的平衡將與主逆變器的需要有所不同。最終,24至600A的二極管系列,都根據典型的應用,在每個(gè)電流水平上得到優(yōu)化。近年來(lái),對于稀土金屬供應及成本的關(guān)注不斷增加,促使電機廠(chǎng)商不得不尋求替代解決方案。電機變得更小型、更輕巧,而且同時(shí)還需要15~20kHz的頻率范圍(傳統頻率為5-10kHz),這種情況現在變得越來(lái)越普遍。與此相對應,這需要具有優(yōu)異的高速度開(kāi)關(guān)性能的IGBT和二極管,以保證開(kāi)關(guān)損耗不會(huì )變得不可管理。更高的頻率還意味著(zhù)必須把關(guān)注點(diǎn)放在寄生電感、特別是封裝上面。
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在功率半導體的早期,對于研發(fā)投入大量資金的關(guān)注點(diǎn)是提高芯片的性能。隨著(zhù)半導體技術(shù)變得越來(lái)越好,關(guān)注的重點(diǎn)也開(kāi)始轉移到封裝上面。封裝畢竟是影響系統的一個(gè)因素--無(wú)論從電子方面還是散熱方面上。圖2總結了封裝能夠對系統產(chǎn)生的影響--從根本上講,如果放置在一個(gè)較差的封裝中,系能優(yōu)異的半導體器件僅能實(shí)現極少的價(jià)值。
半導體封裝對于功率電子系統的影響
圖2:半導體封裝對于功率電子系統的影響
 
成本、可靠性和電子性能及熱性能都會(huì )受到封裝的直接影響。但是封裝的另外一個(gè)特性也變得越來(lái)越重要--即結構因數。由于OEM推動(dòng)了功率、效率、可升級性和可靠性要求的提升,因此,成本、重量、尺寸和電感都被要求降低。功率電子集成到電機和制冷設備中的能力日益提高,這帶來(lái)了很大的價(jià)值。傳統的電源模塊通常只能為緊湊型機電一體化提供非常有限的范圍,而且確實(shí),如果選擇了這種解決方案,定制化電源模塊將會(huì )很快就變得更昂貴,也更加的死板。在這樣的功率水平下,我們認為分立式元件難于應用,或者真正可用的解決方案根本不能夠處理足夠的功率。最初被棄用的"分立式"方法現在要被主逆變器重新訪(fǎng)問(wèn),因為需要電子元件和機機械元件更加緊湊的集成。
  
目前,在量產(chǎn)中的一種解決方案是采用超級TO-247封裝。搭載一個(gè)120A IGBT和二極管的AUIRGPS4067D1器件同時(shí)還允許可升級的解決方案,典型地,用來(lái)滿(mǎn)足30至80kW范圍主逆變器。與傳統TO-247封裝(如圖3所示)相比,專(zhuān)利型超級TO-247封裝具有一些獨有的特性:首先是采用一個(gè)夾子將部件附著(zhù)在散熱器上,除去了傳統TO-247封裝上出現的螺絲孔,將封裝內部的空間最大化,以容納最大可能的芯片。為了與芯片的大電流處理性能相配置,特有的切角引線(xiàn)實(shí)現了比傳統TO-247封裝高出30%的橫截面積,從而提高了他們的電流處理性能,并且使得器件運行溫度更低,有更少的寄生電感。切角橫截面同樣可以使器件能安裝到標準TO-247封裝里。封裝上,引腳之間的溝槽增加了爬電距離。最終,符合AEC-Q101的部件要經(jīng)受苛刻的最后測試程序,它包括了正方形RBSOA和100%箝位電感負載測試。
專(zhuān)利型超級TO-247封裝的優(yōu)勢
圖3:專(zhuān)利型超級TO-247封裝的優(yōu)勢
  
簡(jiǎn)化廠(chǎng)商成本和柵極驅動(dòng)要求的努力不斷推進(jìn),客戶(hù)希望在其應用中降低并聯(lián)的IGBT和二極管的數量,因此要求大面積芯片的解決方案。由于最新的IGBT和二極管技術(shù)是基于超薄芯片技術(shù),當你從超級TO-247這樣的傳統分立式封裝中搬出,構建、處理基至是測試這樣的半導體元件就會(huì )充滿(mǎn)挑戰?;谶@種原因,可以容納大的IGBT和二極管芯片的分立式封裝價(jià)值巨大,它們都完全經(jīng)過(guò)測試并且易于安裝。CooliRDIE就是正在開(kāi)發(fā)的解決方案這一。DBC封裝的殼內包括一個(gè)680V, 300A IGBT和一個(gè)二極管對,每個(gè)芯片都具有可焊接前端金屬表面處理。圖4給出CooliRDIE封裝理念的概覽。
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CooliRDIE封裝
圖4:CooliRDIE封裝
  
整個(gè)無(wú)鉛CooliRDIE都是完全的動(dòng)態(tài)供應并經(jīng)過(guò)靜態(tài)測試,達到其卷帶封裝上的額定電流。這就使得客戶(hù)能夠采用一處標準的選擇并將機器安置到已經(jīng)準備好的帶焊盤(pán)準的基座上,處理300A的超薄IGBT和二極管產(chǎn)品。這一部件回流到基底,取代了與大功率模塊相關(guān)的線(xiàn)步驟。省去引線(xiàn)鍵合,提高了可靠性和良率,并且降低了成本、寄生電阻和電感。這些器件可采用兩種版本(正裝和倒裝芯片),可以在一個(gè)單獨的基底上形成非常緊湊的半橋布局,無(wú)需復雜的布局模式(如圖5所示)。
采用CooliRDIE的緊湊型半橋構建
圖5:采用CooliRDIE的緊湊型半橋構建
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事實(shí)上,封裝兩端上的電子連接甚至還可以允許封裝用作總線(xiàn),可以使用一些能夠快速升級的創(chuàng )新型的逆變器布局,如圖6所示。
采用CooliRDIE的可升級逆變器設計
圖6:采用CooliRDIE的可升級逆變器設計
  
將可焊接前端金屬增加到硅片上,意味著(zhù)芯片可以在兩面進(jìn)行焊接,因此去除了對于焊線(xiàn)的需求。這同樣還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn),釋放出了傳統用于焊線(xiàn)的芯片頂部空間--而現在這種空間可用于冷卻。通過(guò)從兩面對部件進(jìn)行制冷的性能,可以將電流處理性能提升50%--或者確實(shí)降低相似工作點(diǎn)上的芯片尺寸,并進(jìn)而降低成本。如果無(wú)需雙面制冷,那么僅僅的增加一個(gè)頂端的散熱量就可以證明其在提高組裝的散熱性能方面非常有效,進(jìn)而可以幫助提升短時(shí)間峰值電流能力。
  
省去焊線(xiàn)不僅可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)并提高冷卻,同時(shí)還可以增強電子性能。采用CooliRDIE封裝的600A半橋模塊已經(jīng)構建起來(lái),展示了低于12nH的回路電感,允許器件可以更快地開(kāi)關(guān),限制了電壓擊穿并提高了效率。最終,像這種無(wú)焊線(xiàn)封裝概念具有極低的封裝電阻--大概比傳統的焊線(xiàn)組裝低出0.5mΩ。在一個(gè)大的電源系統上,如(H)EV的主逆變器上,半毫歐看起來(lái)像一個(gè)無(wú)關(guān)僅要的小數據,但事實(shí)上卻并非如此。由于所涉及的電流非常高,因此,在400A的電流下,節省0.5mΩ的電阻可以減少80W無(wú)用功耗。在電阻中的這種節省是提高效率的一個(gè)積極步驟,并最終提升了汽車(chē)運行里程。
  
起初看似過(guò)于復雜,甚至可能沒(méi)有必要談及集成的功率電子和機械組裝。但是達到機電一體化的更高水平不僅在于更小型、更輕便和更高效率汽車(chē)方面,對于終端客戶(hù)有益,同時(shí)還在系統級上開(kāi)啟了令人關(guān)注的潛在可能,可以提高電子性能,并且實(shí)現與競爭對手的產(chǎn)品差異化。通過(guò)提供針對汽車(chē)應用進(jìn)行優(yōu)化的芯片,在提供了傳統模塊中所有電子和散熱性能的封裝中,靈活的分立式引腳布局允許系統設計者使其創(chuàng )建的系統可以真正的富于想象力和首創(chuàng )理念,從而使得更多的電動(dòng)汽車(chē)成功實(shí)現。
 
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