在這些傳感器中，雖然SQUID可探測極小磁感應強度(fT)，但裝置需要低溫冷卻，并且易受電磁干擾，為此需要復雜的外圍設備;磁通門(mén)磁力計具有體積大、功耗大、運行范圍小和不能檢測靜態(tài)磁場(chǎng)的特性，限制了其應用;霍爾效應傳感器顯示增加靈敏度需靠增加功耗實(shí)現;而AMR傳感器則要求沉積磁性材料及自動(dòng)校正系統，且在幾mT時(shí)易出現飽和;由于MEMS技術(shù)可以將傳統的磁傳感器小型化，因此基于MEMS的磁傳感器具有體積小、性能高、成本低、功耗低、高靈敏和批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，其制備材料以Si為主，消除了磁傳感器制備必須采用特殊磁性材料及其對被測磁場(chǎng)的影響。本文對目前基于MEMS的磁傳感器在制備過(guò)程中涉及的主要設計、制作，傳感技術(shù)及器件性質(zhì)進(jìn)行綜述，并對其未來(lái)發(fā)展進(jìn)行展望。

 

1、MEMS磁傳感器設計及制作

 

1.1 MEMS磁傳感器設計

 

為了獲得高性能的MEMS磁傳感器，首先要根據器件的應用對象對器件進(jìn)行設計，由此確定器件的結構、使用的材料、應用的工作原理和感應技術(shù)等。MEMS設計人員可以根據模擬和建模工具選擇制造傳感器的最佳工藝和材料，并預測MEMS磁傳感器的性能。同時(shí)設計人員必須考慮器件制作過(guò)程應遵從的材料生長(cháng)、器件制作、信號調制和感應技術(shù)的實(shí)現等規則，以避免發(fā)生影響傳感器性能的錯誤。在開(kāi)發(fā)商用MEMS傳感器時(shí)，必須考慮以下幾點(diǎn)：優(yōu)化器件結構設計;包裝設計；可靠的材料性能和標準制造工藝；合適的設計和仿真工具；減少電子噪聲和寄生電容；可靠的信號處理系統；可靠的測試。

 

目前常使用的MEMS設計工具包括MEMSCAP、CoventorWare、IntelliSuite和Sandia Ultra-planar Multi-level MEMS Technology (SUMMiTV) 。這些設計工具具有創(chuàng )建傳感器版圖和檢查設計規則的模塊，并且可以模擬微加工過(guò)程的步驟，有利于減少獲得高性能MEMS磁傳感器的時(shí)間。

 

1.2 MEMS磁傳感器制作

 

通常，MEMS磁場(chǎng)傳感器的制造可以采用體或表面微加工工藝來(lái)實(shí)現。由于硅具有很好的機械和電學(xué)性質(zhì)而被用來(lái)作為其主要加工材料，例如，硅具有最小的機械滯后和接近1GPa的斷裂應力。此外，硅在摻雜磷或硼后其電性能可得到明顯的改善。

 

體微加工工藝是采用濕法和干法蝕刻技術(shù)，通過(guò)材料的各向同性和各向異性蝕刻制備所需要的材料結構。表面微加工工藝是通過(guò)在襯底上進(jìn)行不同材料層的沉積，圖案化和蝕刻實(shí)現對MEMS器件的制造。通常，這些層被用作結構和犧牲層。圖1分別給出了通過(guò)體加工和表面微加工工藝制備的磁傳感器的SEM。

 

圖1 體加工和表面加工獲得的SEM

 

2、傳感技術(shù)及MEMS磁傳感器

 

2.1 傳感技術(shù)

 

可以采用不同的傳感技術(shù)制備MEMS磁傳感器，例如壓阻式、電容和光學(xué)技術(shù)。這些技術(shù)能夠將磁場(chǎng)信號分別轉換成電信號或光信號。在電信號檢測中，當電源受限或存在強電磁干擾時(shí)，會(huì )影響其應用。而光信號檢測在強電磁場(chǎng)作用及長(cháng)距離傳輸等條件下應用比電信號檢測更有優(yōu)勢，因此常應用在極端場(chǎng)合。此外，為了獲得高的分辨率和靈敏度，MEMS磁傳感器需要配有低電子噪聲和寄生電容的信號調制系統。

 

2.2 各類(lèi)MEMS磁傳感器

 

V. Kumar等報道通過(guò)內部熱壓阻振蕩放大器實(shí)現的洛侖茲力諧振MEMS磁力計具有極高的靈敏度。他們采用偏置電流調諧方法，將諧振器的有效品質(zhì)因子從680提高到1.14x10^6，已證明內部放大系數提高了1620倍。此外，諧振器偏置電流的增加除了改善器件的品質(zhì)因子外，也使器件的靈敏度提高了2400倍(從0.9 μV·nT^(-1)到 2.107 mV·nT^(-1)) 。在直流偏置電流為7.245 mA時(shí)，獲得最大靈敏度為2.107 mV·nT^(-1)，本底噪聲為2.8 pT·Hz^(-1/2)。

 

E. Mehdizadeh等報道了基于洛倫茲力在低電阻率n型SOI襯底上制造的MEMS磁傳感器，其主元件的SEM和電連接分別如圖2所示。該傳感器利用了雙板硅諧振器(厚度10 μm，其中之一具有10 μm x 200 nm的金線(xiàn))，其中間設計的2個(gè)窄梁與2個(gè)Si板連接;當諧振器在平面振動(dòng)模式下振蕩時(shí)，它會(huì )受到周期性的拉伸和壓縮應力，因此呈現壓阻特性。諧諧振器的品質(zhì)因子在大氣壓下被放大(從1140到16900) 。此外，該傳感器可通過(guò)增加諧振器振動(dòng)幅度來(lái)提高其靈敏度。在空氣中，當諧振頻率為2. 6 MHz、品質(zhì)因子為16900時(shí)，獲得傳感器靈敏度為262 mV/T。

 

圖2 壓阻式MEMS磁傳感器主元件的SEM和電連接

 

A. L. Herrera-May等制備了具有簡(jiǎn)單諧振器和線(xiàn)性電響應的MEMS磁傳感器。它由穿孔板(472μm x 300 μm x 15 μm) 、4 個(gè)彎曲梁(18 μm x 15 μm x 15 μm) 、2 個(gè)支撐梁(60 μm x 36 μm x 15 μm)和4個(gè)p型壓敏電阻構成的惠斯登電橋形成，見(jiàn)圖3。在SOI襯底上采用標準的體微加工工藝制造器件，通過(guò)調整激勵電流控制器件的動(dòng)態(tài)范圍使其保持線(xiàn)性電響應，獲得器件品質(zhì)因子為419. 6、靈敏度為230 mV·T、分辨率為2. 5 μT，功耗為12 mW。該傳感器適合應用于非破壞性的磁性測試及鐵磁材料缺陷和腐蝕的檢測。

 

圖3 MEMS磁傳感器主要部分的頂視圖和4個(gè)壓敏電阻組成的惠斯登電橋

 

Langfelder等制備了具有電容讀出的MEMS磁場(chǎng)傳感器，該傳感器可檢測與諧振結構表面垂直方向(z軸) 的磁場(chǎng)。它由一組固定定子和兩根細梁懸掛的梭子組成，形成2個(gè)差分平行板敏感電容器C1和C2，見(jiàn)圖4。具有傳感器共振頻率的梁，在通有電流時(shí)與磁場(chǎng)相互作用，從而使2個(gè)細梁受到洛倫茲力作用。這個(gè)力垂直于磁場(chǎng)和交流電流所構成的平面，導致梁和平行板產(chǎn)生位移，該位移可以通過(guò)差分電容的變化來(lái)檢測。傳感器在峰值驅動(dòng)電流為250 μA時(shí)的總靈敏度為150 μV·μT^(-1)、理論噪聲為557. 2 μV·Hz^(-1/2)、分辨率為520 nT·mA^(-1)·Hz^(-1/2)、品質(zhì)因子約328、共振頻率為28.3 kHz。

 

圖4 由平行板、固定定子和2根細梁支撐的梭子形成的MEMS磁場(chǎng)傳感器的示意圖

 

M. Li等設計了由彎曲梁諧振器(1200 μm x 680 μm x 40 μm)組成的磁場(chǎng)傳感器。彎曲梁諧振器與載有電流的Si梁通過(guò)微杠桿機制耦合，諧振器借助彎曲梁的每一側的30個(gè)叉指電極實(shí)現靜電驅動(dòng)和電容感應，獲得傳感器的靈敏度為6687 ppm·mA^(-1)·T^(-1)、品質(zhì)因子為540、諧振頻率為21.9 kHz (1 ppm = 10^(-6)) 。

 

Aditi等通過(guò)采用SOI和玻璃片的陽(yáng)極鍵合技術(shù)制備了MEMS磁場(chǎng)傳感器。該器件制作工藝具有以下優(yōu)點(diǎn)：低溫(≤400 ℃) 、可靠、可重復、少的光刻步驟及可控電極間距離的能力。獲得傳感器功耗為0.45 mW，分辨率為215 nT·Hz^(-1/2)。

 

B. Park等設計了由硅諧振器和緊湊型激光定位系統構成的磁場(chǎng)傳感器，如圖5所示。該系統具有光電探測器和激光二極管，用于監測電流偏置的反射鏡角位移。諧振器由涂覆有鋁層(2500 μm x 2500 μm x 0.8 μm)的硅膜(3000 μm x 3000 μm x 12 μm)組成，膜由兩根扭轉彈簧(2100 μm x 100 μm x 12 μm)支撐，寬度為30 μm、厚度為0. 8 μm的鋁線(xiàn)沉積在其上。施加的磁場(chǎng)與反向鏡的位移有關(guān)，當線(xiàn)圈偏置電流為50 mA時(shí)，獲得傳感器的靈敏度為62 mV·μT^(-1)、共振頻率為364 Hz、品質(zhì)因子為116、53 mHz帶寬的分辨率為0.4 nT、本底噪聲為1.78 nT·Hz^(-1/2)。

 

圖5 具有光讀出的MEMS磁場(chǎng)傳感器和傳感器工作原理圖

 

M. Lara-Castro等提出在印刷電路板上實(shí)現的MEMS磁場(chǎng)傳感器的便攜式信號調制系統，它配有能夠諧磁場(chǎng)傳感器的2個(gè)正弦信號發(fā)生器。磁場(chǎng)傳感器由共振硅結構(600 μm x 700 μm x 5 μm) 、1個(gè)鋁環(huán)(1 μm厚)和4個(gè)p型壓敏電阻組成的惠斯登電橋構成。2個(gè)信號發(fā)生器的頻率穩定度為±100 ppm，分辨率為1 Hz。該系統中，磁場(chǎng)與電壓有近似線(xiàn)性關(guān)系;大氣壓下靈敏度和分辨率分別為0.32 V/T和35 nT。

 

龍亮等采用MEMS磁扭擺和檢測差分電容構成了MEMS磁傳感器。磁扭擺是通過(guò)在雙端固定梁的硅薄膜上制作CoNiMnP永磁薄膜獲得，磁傳感器尺寸為3.7 mm x 2.7 mm x 0.5 mm，制備的MEMS磁傳感器具有良好的線(xiàn)性，靈敏度為27.7 fF/mT，最小可分辨磁場(chǎng)大小為36 nT。

 

3、展望

 

目前基于Lorentz力的MEMS諧振式磁傳感器主要通過(guò)壓阻、光學(xué)和電容感測技術(shù)來(lái)檢測磁場(chǎng)。這些技術(shù)可為設計人員提供研制特定應用場(chǎng)合的最佳傳感器方法，例如，壓阻感測適于采用體微加工工藝實(shí)現和簡(jiǎn)單的信號處理系統。但壓阻感應存在電壓偏移，且電阻易受溫度影響，因此系統中需要提供溫度補償電路。電容感測主要通過(guò)表面微加工工藝實(shí)現，并將所施加的磁場(chǎng)轉換為電輸出信號。該技術(shù)具有很小的溫度依賴(lài)性，并允許電子電路與磁傳感器制作在同一芯片上。通常，電容感應的傳感器在大氣壓下具有高的空氣阻尼，為避免它的影響需要對器件進(jìn)行真空封裝才能提高其靈敏度。利用光學(xué)敏感技術(shù)制備的傳感器由于具有抗電磁干擾的特性，因此系統中所需要電路比電容和壓阻敏感技術(shù)的少，可在惡劣環(huán)境中工作，表面和體微加工工藝均適用于這種傳感技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。然而，這些感測技術(shù)都存在著(zhù)由于焦耳效應而導致傳感器結構發(fā)熱的問(wèn)題，這會(huì )產(chǎn)生熱應力和諧振器的位移。為此，需要進(jìn)一步對器件散熱、諧振器機械可控性及真空封裝研究，以確保獲得更好的MEMS磁傳感器性能。

 

隨著(zhù)微納米技術(shù)的發(fā)展、微機械制造技術(shù)的成熟，越來(lái)越多的傳感器開(kāi)始向著(zhù)集成化、智能化和網(wǎng)絡(luò )化方向發(fā)展，它們已成為工業(yè)生產(chǎn)實(shí)現智能制造的重要動(dòng)力。其智能應用主要在如下幾方面：

 

(1) 傳感技術(shù)。構建傳感器網(wǎng)絡(luò )系統，保證對信息進(jìn)行搜集、整合與傳輸，使工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程得到更有效的控制。

 

(2) 數控生產(chǎn)?？傊骶€(xiàn)模式通過(guò)在線(xiàn)診斷，實(shí)現對整體工業(yè)生產(chǎn)線(xiàn)的儀表控制。

 

(3) 自動(dòng)生產(chǎn)和機械。利用自動(dòng)化技術(shù)開(kāi)展機械生產(chǎn)，可顯著(zhù)提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

 

4、結束語(yǔ)

 

本文綜述了通過(guò)體加工和表面加工方法、利用壓阻、電容和光學(xué)技術(shù)制備的基于洛倫茲力的MEMS磁傳感器，并介紹了各種結構磁傳感器的靈敏度、品質(zhì)因子、噪聲和探測極限等特性。隨著(zhù)納米技術(shù)、集成化技術(shù)以及封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，更多高性能、同時(shí)可監測多個(gè)物理量的智能傳感器會(huì )不斷出現。

 

 

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