導讀：近年來(lái)，微機電系統(MEMS)技術(shù)的發(fā)展，為光纖傳感領(lǐng)域注入新活力，將其與光纖結合為高靈敏度壓力測量提供可能。光纖MEMS法珀傳感器具有高一致性、可大批量生產(chǎn)、性能優(yōu)易穩定等特點(diǎn)。

撰稿  天津大學(xué) 博士研究生代小爽(論文第一作者)& 王雙(通訊作者)

01 導讀

近年來(lái)，微機電系統(MEMS)技術(shù)的發(fā)展，為光纖傳感領(lǐng)域注入新活力，將其與光纖結合為高靈敏度壓力測量提供可能。光纖MEMS法珀傳感器具有高一致性、可大批量生產(chǎn)、性能優(yōu)易穩定等特點(diǎn)。傳統解調方法一般可通過(guò)快速傅里葉變換結合譜峰追跡法解調得到不同壓力下的精確光程差 (OPDs)，但此方法對法珀腔的長(cháng)度有嚴格要求，具體表現為：短腔長(cháng)有利于提高壓力靈敏度，但是在經(jīng)過(guò)快速傅里葉變換后，存在頻譜分量混疊問(wèn)題，不利于后續信號的提取和解調。本研究為實(shí)現在短真空腔長(cháng)情況下的高靈敏度壓力測量，從Vernier效應的角度出發(fā)，提出利用MEMS技術(shù)生產(chǎn)的全硅法珀芯片的硅腔和硅/真空混合腔二者光程差匹配，通過(guò)追蹤光譜包絡(luò )的演化來(lái)實(shí)現高靈敏度的壓力傳感。該研究成果以“High-sensiTIve MEMS Fabry-Perot pressure sensor employing an internal-external cavity Vernier effect”為題發(fā)表在光學(xué)期刊OpTIcs Express上，第一作者為天津大學(xué)博士研究生代小爽，通訊作者為王雙副教授。

封面圖：硅/真空混合腔反射光譜以及基于內外腔Vernier效應的反射包絡(luò )光譜。

圖源: OpTIcs Express (2022).https://doi.org/10.1364/OE.469369 (Fig. 3)

02 研究背景

法珀復合微腔干涉光譜中，不同頻率的余弦信號代表不同微腔的干涉信息，無(wú)法直接從復合譜中提取單個(gè)微腔的干涉譜進(jìn)行獨立解調。在課題組之前的研究中，使用傅里葉變換將復合微腔的干涉頻率分離，根據復合微腔頻率譜的頻率分量特征，構造帶通濾波器，經(jīng)過(guò)傅里葉逆變換濾除掉其他頻率分量，只得到其中一個(gè)微腔對應的獨立干涉光譜，再通過(guò)單峰追跡法可以追跡譜峰波長(cháng)漂移量。但是，當法珀腔長(cháng)較短時(shí)，上述方法不再適用。原因在于，在全光譜范圍內，較短腔長(cháng)的真空腔經(jīng)過(guò)傅里葉變換后得到的低頻信號非常接近于直流基頻，不利于構造帶通濾波器，導致實(shí)驗結果存在偏差?；诖?，考慮了內外腔Vernier效應，設計全硅法珀壓力傳感器，其中硅腔作為內腔，硅/真空混合腔作為外腔進(jìn)行光程差匹配，通過(guò)跟蹤反射譜的包絡(luò )演化，避免了頻域濾波方法的不足，實(shí)現了高靈敏壓力測量。

03 創(chuàng )新研究

3.1 內外腔Vernier效應理論分析

真空腔壓力靈敏度為：

硅/真空混合腔的壓力靈敏度為：

其中，m表示干涉級次，L2表示真空腔腔長(cháng)，n2表示真空腔折射率，L1表示硅腔腔長(cháng)，n2表示硅腔折射率。

在該全硅法珀傳感結構中，硅腔和硅/真空混合腔二者光程差匹配。放大因子為：

反射光譜包絡(luò )的靈敏度則為：

對設計的傳感器在10~300 kPa的壓力范圍和1500~1600 nm的波長(cháng)范圍內進(jìn)行仿真測試，得到在真空腔長(cháng)為30 μm的壓力靈敏度和溫度靈敏度結果(圖2)。

圖2 (a)壓力范圍為10~300 kPa，波長(cháng)范圍為1500~1600 nm下的壓力靈敏度;(b) 中心波長(cháng)1550 nm處的溫度靈敏度。

圖源: OpTIcs Express (2022).https://doi.org/10.1364/OE.469369 (Fig. 4)3.2 全硅壓力傳感器的制作與驗證

該全硅傳感器芯片由兩層硅晶圓組成，選用單晶硅厚度為70 μm的 SOI 晶圓片和一片厚度為500 μm雙面拋光的單晶硅晶圓片作為原材料，晶圓片的大小均為 4 英寸，晶向均為<100>。為了降低界面結合強度對膜片變形重復性的影響，在SOI晶圓表面進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為30 μm，頂部硅膜片的厚度為40 μm。如圖3所示，為所制備的傳感器以及其反射光譜信息。真空腔的低頻信號過(guò)于接近直接分量基頻，不利于其高效提取濾波?；趦韧馇籚ernier效應的包絡(luò )峰追蹤方法適用于短真空腔，以提高壓力靈敏度。

圖3 (a)傳感器芯片;(b) MEMS壓力傳感器;(c) 傳感器的反射光譜;(d) 傅里葉變換振幅頻率曲線(xiàn)。

圖源: Optics Express (2022).https://doi.org/10.1364/OE.469369 (Fig. 5)3.3 高靈敏度壓力測量

通過(guò)追蹤反射譜的包絡(luò )峰值，可以得到壓力值與峰值波長(cháng)良好的線(xiàn)性關(guān)系和-1.028 nm/kPa的壓力靈敏度，如圖4(a)所示。對短法珀腔長(cháng)情況下的反射譜包絡(luò )線(xiàn)進(jìn)行跟蹤，解決了在經(jīng)過(guò)快速傅里葉變換之后，真空腔長(cháng)的低頻信號非常接近于直流分量而不能準確解調的問(wèn)題。

在110 kPa下驗證傳感器的溫度靈敏度。在0-80℃范圍內，反射譜的包絡(luò )峰值演化如圖4(b)所示，溫度靈敏度為0.041 nm/℃。從某種意義上說(shuō)，這是正常的?？紤]真空腔內殘余氣壓的熱膨脹效應會(huì )導致真空腔長(cháng)度出現意想不到的變化，這在理論分析中被忽略。因此，可以改進(jìn)MEMS傳感器的制作工藝，降低殘余氣體壓力的影響，實(shí)現較低的溫度靈敏度。

圖4 (a) 反射光譜包絡(luò )峰波長(cháng)隨壓力的變化;(b) 反射光譜包絡(luò )峰波長(cháng)隨溫度的變化。圖源: Optics Express (2022).https://doi.org/10.1364/OE.469369 (Figs. 8 and 9)

04 應用與展望

綜上所述，本工作采用MEMS技術(shù)制備的全硅法珀傳感器創(chuàng )新性地實(shí)現了內外腔Vernier效應，通過(guò)追蹤反射譜的包絡(luò )演化，實(shí)現了高靈敏的壓力測量，重要的是，有效避免了在短法珀腔長(cháng)情況下頻域濾波方法的不足。MEMS技術(shù)實(shí)現的傳感器具有良好的一致性，可批量生產(chǎn)，為實(shí)現產(chǎn)品工業(yè)化奠定了基礎。由此可見(jiàn)，該傳感器在高靈敏度壓力測量中具有廣闊的應用前景和潛力。

（來(lái)源：中電網(wǎng)，作者：代小爽 王雙）

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